东芝全新高速通信光耦可在22V电压下工作并有效减少器件数

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出行业首款[1]能够在低至2.2V电压下工作的高速通信光耦。这两款器件分别是典型数据传输率为5Mbps的“TLP2312”和20Mbps的“TLP2372”。并将于今日开始出货。

新产品能在低至2.2V的低电压下工作，因此能够适应外围电路的较低电压，甚至能配合2.5V LVCMOS这样的低电平电压电路。这种方法无需使用单独的电源驱动光耦，从而能够减少组件数量。

新型光耦在-40℃至+125℃的工作温度范围内阈值输入电流低至1.6mA（最大值）、供电电流低至0.5mA（最大值），能够直接通过微控制器来驱动，有助于降低功耗。

新型光耦采用5引脚SO6封装，最大封装高度仅为2.3mm，为印刷电路板上的组件布局提供了更大的灵活性。

应用：

高速数字接口

（可编程逻辑控制器（PLC）、通用变频器、测量设备和控制设备等）

特性：

低工作电压：VDD＝2.2V至5.5V

低阈值输入电流：IFLH＝1.6mA（最大值）

低供电电流：IDDH、IDDL＝0.5mA（最大值）

高额定工作温度：Topr最大值＝125℃

高速数据传输率：

5Mbps（典型值）（TLP2312）

20Mbps（典型值）（TLP2372）

主要规格：

东芝推出30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和保护电池组

东芝电子设备与存储公司（“东芝”）推出了“SSM10N961L”，这是一种低导通电阻、30V N沟道共漏MOSFET，适用于带USB的设备和保护电池组。

到目前为止，东芝的N沟道共漏MOSFET系列一直专注于12V产品，主要用于保护智能手机的锂离子电池组。30V产品的发布实现了对电压高于12V的应用的更广泛选择，例如USB充电设备电源线的负载切换，以及笔记本电脑和平板电脑中锂离子电池组的保护。

实现具有低漏极-源极导通电阻（RDS（on））的双向开关需要两个MOSFET，3.3×3.3mm或2×2mm，具有低RDS（接通）。东芝的新产品使用了一种新的小型薄封装TCSPAG-341501（3.37mm×1.47mm（典型），t=0.11mm（典型）），在单封装公共漏极配置中具有9.9mΩ的低源极导通电阻（RSS（on））

USB电源传输（USB PD）支持15W（5V/3A）到最大240W（48V/5A）的电源范围，是为需要高电源的设备开发的。USB PD指定了用于交换电源和接收侧的角色交换功能，并要求具有USB充电的设备支持双向电源，以便双方都可以供电和接收电源。新产品是一种N沟道共漏MOSFET，支持双向电源，安装面积小。

将该产品与东芝TCK42xG系列的驱动IC相结合，形成了一个具有防回流功能的负载切换电路或一个电源多路复用器电路，可以在先接通后断（MBB）和先断后接通（BBM）之间切换操作。东芝今天发布了基于该产品组合的功率多路复用器电路（使用公共漏极MOSFET）的参考设计。参考设计的使用将有助于减少产品设计和开发时间。

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