三星2024年底量产256GB CXL 20内存模块，基于1y nm DRAM

IT之家 7 月 18 日消息，据韩媒 ZDNet Korea 报道，三星电子内存部门新业务规划团队负责人 Choi Jang Seok 今日表示，三星将在今年底开始量产符合 CXL 2.0 协议的 256GB CMM-D 2.0 模块。

该内存模组将配备较为成熟的 1y nm（第二代 10+ nm 级）工艺 DRAM 内存颗粒，发挥 CXL 内存模块对 DRAM 颗粒性能要求较低的优势 。未来三星电子还将推出颗粒更为先进的版本。

▲ 三星电子 CMM-D 模组

除 CMM-D 外，三星电子还规划了多个类型的 CXL 存储产品，包含配备多个 CMM-D 模块的 CMM-B 内存盒模组、同时搭载 DRAM 内存和 NAND 闪存颗粒的 CMM-H 混合存储模组。

Choi Jang Seok 提到三星电子正在内部研究另一类名为 CMM-DC 产品，其在 CMM-D 的基础上还具备计算能力 。

展望未来，Choi Jang Seok 称：“当 CXL 3.1 和池化（IT之家注：可在多个主机间共享 CXL 内存资源）技术得到支持后，CXL 市场将在 2028 年左右全面开花 。”

消息称三星电子基本实现 NAND 闪存业务正常化，整体产线利用率达九成

据韩媒 ETNews 报道，业内人士称三星电子近期已将 NAND 产能利用率提升至 90%，相较一季度的 80% 进一步提升。

IT之家注：对于三星电子的 NAND 业务，韩媒中 ETNews 和 The Elec 持较为乐观的态度，后者 3 月表示西安厂开工率已达 70%；而《朝鲜日报》更为消极，认为三星继续在维持减产 50% 策略。

ETNews 在报道中称，三星部分大型闪存晶圆厂已经在事实上处于满负载状态，明显好于去年最低时 60% 的产能利用率。

报道指，中国西安工厂的产能利用率率先大幅提升，此后三星位于韩国本土平泽的 NAND 厂的产能也得到了逐步恢复。

另一位消息人士表示，目前下游客户的 NAND 闪存库存基本耗尽，供需走向均衡，这也是三星持续调升产能利用率的底气。

报道认为，人工智能热潮带动相关企业对企业级固态硬盘需求提升，北美和中国云服务厂商加码购入企业级存储，这是需求面转好的重要因素。

本文源自IT之家

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