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nand母片拷贝终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：传输速度提升一倍

发布时间 : 2025-06-17

作者 : 小编

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终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：传输速度提升一倍

从本月开始，各家厂商将会陆续发布PCIe 5.0 SSD固态盘，同时带来更多新技术和优惠。近日，三星官方宣布开始量产236层3D NAND闪存芯片，并将其命名为第8代V-NAND。

（图片来源：三星电子官方网站）

据小雷了解，新一代存储芯片能够达到2400MTps的传输速度，相比上一代提升了1.2倍，可以制造传输速度超过12GBps的消费级SSD。据介绍，第8代V-NAND可以提供1Tb（128GB）的方案，三星电子没有公布IC的实际密度，不过他们称其是业界最高的比特密度。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

目前三星官方还未发布实际的产品，不过距离新品发布已经不远了。值得一提的是，虽然存储容量变得更大，但是第8代V-NAND的厚度依旧控制在合理水平，封装512GB容量也不会超过0.8mm。

与目前同容量的闪存芯片相比，第8代V-NAND的单晶生产率提高了20%，能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。单晶生产率的提升意味着生产成本进一步降低，后续大家或许可以买到相同容量下更便宜的固态硬盘。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

事实上，不只有三星一家，像东芝、西数、SK海力士等厂商都在大力研发3D NAND技术，以此来拉开与竞争者的差距，从而占据大部分市场份额。就目前而言，三星的3D NAND技术已经完成了全面领先，希望后续其他厂商能够加把劲，争取早日追上三星。

对想购买固态硬盘的用户来说，完全可以等等看，毕竟做等等党“永远不亏”，预计后面还会有更多新品上市。可以预见的是，存储厂商的“内卷”才刚刚开始，未来还会有更多容量大且便宜的固态硬盘。

（封面图来源：三星电子中国官方网站）

以创维8S16为例演示安卓智能主板系统软件拷贝

这是一片能正常使用的创维8S16机芯板，我们接下来为大家演示由iFix团队专门针对安卓智能主板的Nand写入全新算法，自动识别跳过坏块，然后重组数据，完美达到不丢数据的目的。

现在我们先从正常板备份系统软件，先从正常的主板上拆下Nand Flash。

放入Nand Flash转接座。

点智能识别，选择NAND FLASH后确定，会自动识别到芯片型号。

点读取，弹出保存文件名，编辑一个能识别的文件名后点保存。

开始读取，耐心等待读取完毕。

在这里顺便给大家介绍一点Nand Flash的位反转知识。

Nand Flash的位反转现象，主要是由以下一些原因/效应所导致：

1. 漂移效应：漂移效应指的是，Nand Flash中cell的电压值，慢慢地发生了变化，变的和原始值不一样了。

2.写入干扰所产生的错误：此现象有时候也叫做过度写入效应。对于某个页面的写入操作，使得对应的某个位的数据，产生了永久性的变化，即Nand Flash上这个位的值变了。

3.读操作干扰产生的错误：此效应是，对一个页进行数据读取操作，却引起非相关的其他的页面的某个位发生跳变。

如果只是对于单个位的跳变，也许问题看起来并不是很严重。然而，如果恰巧是某个重要文件的某位变化了，那么问题就严重了。如果位反转，只是读取数据出来时候报告出来的位反转，那么很简单，只需要重新再去读取一次数据，即可解决此问题。但是，如果是Nand Flash物理上的某个位真正的翻转了，那么需要通过对应的ECC校验去解决。

相对Nor Flash来说，Nand Flash中，位反转的现象，相对更加容易发生。因此，Nand Flash厂家都推荐在使用Nand Flash的时候，最好要应用ECC算法。当Nand Flash应用于多媒体信息，比如存储音视频文件，那么位反转所造成的问题，并不严重。当用于存储操作系统，配置文件和其他敏感信息的时候，必须要用ECC，以实现数据的校验，保证数据的正确性。所以在实际维修中，iFix给出的建议是Nand Flash尽量用原型号，不要买残次品，读写时候保持引脚干净，引脚及芯片上的残留助焊剂必须彻底清洗并用风枪吹干。

备份成功后，取下母片，放入一片空白的Nand Flash。