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nand坏块怎么消除 新增NAND写入算法:跳过坏块并重建坏块表
发布时间 : 2024-12-03
作者 : 小编
访问数量 : 23
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新增NAND写入算法:跳过坏块并重建坏块表

宝剑锋从磨砺出,梅花香自苦寒来;

博观而约取,厚积而薄发。

有心的小伙伴可能在最新的软件版本里会看到,写入NAND时增加了一个新的算法:跳过坏块并重建坏块表

以海信5079板,MSD6A801芯片方案为例,先给大家演示RT809H写入NAND新算法。

先找一片坏块较多的Nand芯片,按方向放入RT809H编程器,锁好锁紧座。

点智能识别,选择NAND Falsh,稍等会自动识别到相同ID的芯片型号。

识别出两个芯片型号,选择跟芯片型号一致的K9K8G08U0D@TSOP48。

我们先点一下坏块检测,看看此芯片的坏块分布(坏块检测会破坏NAND芯片内数据,谨慎使用)。

检测到23个坏块,严格来说,基本算是残次品。

点设置,出现三个选项,硬拷贝;跳过坏块并重组数据;跳过坏块并重建坏块表。此板请选择“跳过坏块并重建坏块表 ”。

点写入,选择备份文件,开始自动写入。

可以看到界面上已经显示算法为“跳过坏块并重建坏块表”。

开始写入,耐心等待。。。

写入完成,接下来对写入后的NAND芯片进行验证,先把NAND芯片装回电视板卡。

连接上串口,同时监控打印信息。

通电,看到正常进入系统。同时监控显示画面,直到启动完成。

操作遥控,各项功能正常!

由于NAND使用领域的多样性和NAND自身的特殊性,坏块管理都不尽相同,就拿电视主板来说,我们通过大量板卡测试,和大量时间做了深入研究,发现不同的电视厂家,使用的坏块管理算法都不同,我们特此汇总了三种不同的算法,经过测试已经解决了目前在中国能够见到的电视主板NAND写入问题

NAND_AUTO读写芯片时,符合ONFI标准的芯片,读写成功率较高,比如海力士、镁光、ST、华邦等,而三星、东芝等厂商未加入此标准化组织,所以有可能参数识别错误导致读写后不能用,请提交NAND_AUTO读取得到的ID给我们,添加对应的芯片型号即可解决问题

国外用户如果遇到NAND读写问题,请提供好的板卡给我们测试。

没有哪种算法可以解决所有NAND复制问题,只能是遇到问题再研究新算法来解决问题。iFix爱修一直致力于为维修行业解决难题。

最近发现大家都在问一个比较实际的问题:RT809H以后会不会想其他编程器厂家一样,相同封装、不同型号的NAND芯片,使用不同的转接座?转接座的写入次数是多少?

这里是正式回答:RT809H编程器写入所有TSOP48封装的NAND芯片,只需要TSOP48通用座就可以了,永远不会限制写入次数!

视频演示,腾讯视频网址: https://v.qq.com/x/page/h0737szc7xu.html

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NAND和NOR flash的区别

NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了NAND flash结构,强调降低每比特的成本,更高的性能,并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后,仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。  相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处,因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码,这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。   NOR的特点是芯片内执行(XIP, eXecute In Place),这样应用程序可以直接在flash闪存内运行,不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高,在1~4MB的小容量时具有很高的成本效益,但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。  NAND结构能提供极高的单元密度,可以达到高存储密度,并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。性能比较  flash闪存是非易失存储器,可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行,所以大多数情况下,在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的,而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。  由于擦除NOR器件时是以64~128KB的块进行的,执行一个写入/擦除操作的时间为5s,与此相反,擦除NAND器件是以8~32KB的块进行的,执行相同的操作最多只需要4ms。  执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距,统计表明,对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时),更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样,当选择存储解决方案时,设计师必须权衡以下的各项因素。  ● NOR的读速度比NAND稍快一些。  ● NAND的写入速度比NOR快很多。  ● NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。  ● 大多数写入操作需要先进行擦除操作。  ● NAND的擦除单元更小,相应的擦除电路更少。接口差别  NOR flash带有SRAM接口,有足够的地址引脚来寻址,可以很容易地存取其内部的每一个字节。  NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据,各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。  NAND读和写操作采用512字节的块,这一点有点像硬盘管理此类操作,很自然地,基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。容量和成本  NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半,由于生产过程更为简单,NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。  NOR flash占据了容量为1~16MB闪存市场的大部分,而NAND flash只是用在8~128MB的产品当中,这也说明NOR主要应用在代码存储介质中,NAND适合于数据存储,NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。可靠性和耐用性  采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说,Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。  寿命(耐用性)  在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次,而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势,典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍,每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。  位交换  所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见,NAND发生的次数要比NOR多),一个比特位会发生反转或被报告反转了。  一位的变化可能不很明显,但是如果发生在一个关键文件上,这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题,多读几次就可能解决了。  当然,如果这个位真的改变了,就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存,NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候,同时使用EDC/ECC算法。  这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然,如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时,必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。  坏块处理  NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力,但发现成品率太低,代价太高,根本不划算。  NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块,并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中,如果通过可靠的方法不能进行这项处理,将导致高故障率。 易于使用  可以非常直接地使用基于NOR的闪存,可以像其他存储器那样连接,并可以在上面直接运行代码。  由于需要I/O接口,NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。  在使用NAND器件时,必须先写入驱动程序,才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧,因为设计师绝不能向坏块写入,这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。软件支持  当讨论软件支持的时候,应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件,包括性能优化。  在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持,在NAND器件上进行同样操作时,通常需要驱动程序,也就是内存技术驱动程序(MTD),NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。  使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些,许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件,这其中包括M-System的TrueFFS驱动,该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。  驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理,包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

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 郑东河  蓝秀 
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