中国64层NAND量产后，三星赴陕再投563亿建最大闪存基地

（观察者网讯 文/吕栋 编辑/尹哲）

尽管关闭了最后一家手机工厂，但三星在华布局并未停歇。

据西安晚报12月11日报道，三星电子西安闪存芯片（NAND）项目二期第二阶段80亿美元（约合人民币563亿元）投资10日正式启动。

报道称，二期项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元，解决上千人就业，并带动一批配套电子信息企业落户，使西安成为全球水平最高、规模最大的闪存芯片制造基地。

据介绍，三星电子西安闪存芯片项目一期投资108亿美元，建成存储芯片项目和封装测试项目。二期项目总投资150亿美元，主要制造闪存芯片。其中，第一阶段投资约70亿美元，明年3月竣工投产；第二阶段投资80亿美元，2021年下半年竣工。

观察者网查询DRAMeXchange数据发现，2018年，三星占全球NAND市场份额的35%，其与美光和SK海力士等厂商几乎垄断市场供应。

中国首款64层 3D NAND 闪存9月 量产

值得一提的是，今年9月2日，紫光集团旗下长江存储宣布，已开始量产基于Xtacking架构的64层256 Gb TLC 3D NAND闪存，以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

紫光集团称，这是中国首款64层3D NAND闪存，亦是全球首款基于Xtacking架构设计并实现量产的闪存产品。

科工力量专栏作者铁君曾在文中提到，由于中国企业在NAND Flash和DRAM两种存储芯片方面的市场占有率微乎其微，且NAND Flash和DRAM被少数国际大厂所垄断，特别是韩国企业拥有非常高的市场份额，这直接导致存储芯片价格很容易受到垄断企业决策影响。

文章认为：“本次长江存储量产64层NAND，一定程度上缓解了三星、SK海力士、美光等公司的垄断局面，在当下的国际环境下，格外具有意义。”

据该文介绍，由于紫光的64层NAND性能逼近国际大厂的96层3D NAND，因而可以直接在商业市场与外商竞争。文章还提到，紫光或跳过96层NAND，直接研发128层NAND，力争在技术上进一步缩短与外商的差距。但目前还未得到官方的证实。

“目前，长江存储只是技术上取得了突破，而且产能也比较有限。相对于三星、SK海力士、镁光、英特尔等国际大厂，无论在技术上，还是在市场份额上都有一定差距。长江存储在原材料、设备等方面对外商有较大依赖，在实现不被卡脖子方面依然任重道远”。

据业界传言，2020年底，长江存储产能有望提升至月产6万片晶圆的规模。

500亿人民币补助支持，中国NAND Flash与韩国技术差距剩两年

近年内存市场局势发生变化，韩国两大内存厂商三星和SK海力士面临中国厂商激烈竞争，感受到更高竞争压力，技术差距也不断缩小。

韩国媒体Business Korea报道，市场人士透露，中国增加支持内存产业，经过多年发展，与世界领先企业NAND Flash闪存技术差距缩短到两年。不过DRAM仍保持距离，技术差距约五年。缩短差距主因是NAND Flash闪存门槛相对低，追赶速度不断加速，差距缩小幅度会更明显。

中国最大内存半导体企业长江存储2022年闪存高峰会（FMS），发布基于晶栈3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代3D TLC闪存，名为X3-9070。长江存储也领先三星和SK海力士，更快量产高层数NAND Flash闪存。

2022整年中国政府与国有投资基金投资就达约500亿人民币，持续且大量资金投入支持以取得发展，一方面是技术追赶，另一方面是更快渗透市场。半导体电路小型化逼近极限，中国可能抓住另一个缩小技术差距的机会，就是先进封装技术。中国是全球第二大封装技术市场，有完善生态系统，长电科技、通富微电和华天科技都进入全球十大半导体封装企业，韩国没有一家公司进入榜单。

(首图来源：三星)

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