报告称中韩NAND技术差距缩短至2年

IT之家 11 月 23 日消息，根据韩媒 Business Korea 报道，市场内部人士透露，随着中国大陆加大对存储器产业的支持力度，过去几年已经有了长足的进步，在 NAND 闪存方面，和三星、SK 海力士等全球领先企业的技术差距缩短到 2 年。

该业内人士指出：“虽然 DRAM 依然保持 5 年以上的技术差距，不过由于 NAND 技术壁垒较低，中国企业在大力扶持下快速追赶，不断缩小差距。中国企业的 NAND 产品虽然在市场竞争力上还存在不足，但显然加快了追赶速度”。

报道中特别提及了长江存储，该公司在 2022 年闪存峰会（FMS）上，正式发布了基于晶栈 3.0（Xtacking 3.0）架构的第四代 3D TLC NAND 闪存芯片，名为 X3-9070。

长江存储宣布从 176 层到 232 层量产之后，遭到了外界的诸多质疑，不过该公司用了不到 1 年的时间，成功量产 X3-9070。

除了用于致态 TiPlus7100 系列 SSD，还被用在海康威视的 CC700 2TB SSD 上，这是首个进入零售市场的 200 + 层 3D NAND 闪存解决方案，领先于三星、美光、SK 海力士等厂商。

报道中还指出，随着半导体电路的小型化接近极限，中国企业正抓住先进封装（Efficient packaging）这个机会，进一步缩小技术差距。

在半导体业内，先进封装主要封装多个芯片，从而提高性能，被认为是克服挑战的关键。

中国大陆在半导体封装领域占有第二大市场份额，IT之家援引市场研究公司 IDC 的数据，去年长电科技、通富微电和华天科技 三家公司进入全球前 10 大半导体封装（OSAT）公司，而韩国没有一间公司出现在榜单上。

Hafnia铁电成突破1000层关键，三星将演示全新QLC 3D VNAND技术

IT之家 5 月 11 日消息，三星高管于 2023 年 6 月预测，V-NAND 在 2030 年将叠加到 1000 层以上，而最新消息称铪基薄膜铁电（Hafnia Ferroelectrics）将成为这项成就的关键。

三星高管 Giwuk Kim 将于今年 6 月发表技术演讲，课题为“在推动 1000 层低电压和 QLC 3D VNAND 进程中，深入分析 Hafnia 铁电的关键推动因素，以及实验演示和建模”。

在摘要部分中写到，在金属带工程栅极中间层（BE-G.IL）、铁电（FE）开关、沟道中间层（Ch.IL）和硅（MIFIS） FeFET 架构中，使用 FE 开关相互作用，来显著提高性能，表明 hafnia FE 成为扩展 3D VNAND 技术发展的关键推动力。

IT之家此前报道，三星计划明年推出第 10 代 NAND 芯片，采用三重堆叠技术，达到 430 层，进一步提高 NAND 的密度，并巩固和扩大其领先优势。

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说到底,两个都挺难的,因为存储器的市场是靠销量平摊巨额研发成本的,产品没有竞争力的话就会又贵又难用,这也导致全世界做存储器的大厂就那么几个。说到底,两...

[最佳回答]是这样,英语口语中由于语速的需要所以不可能把每一个词都发得字正腔圆,因此有一些词在一些情况下可以缩读.and就是其中的一个.举个例子:rockandr...

群联的固态比较不错因为群联是一家专注于数据存储和计算方案的芯片设计公司,其固态硬盘在市场上受到了很多好评。采用先进的3DNAND技术和高速缓存,群联的固态...

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[最佳回答]就是N(外贸用语中都这么写)

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