半导体薄膜沉积设备龙头稀缺性凸显，拓荆科技：订单充沛加速成长

（报告出品方/分析师：华创证券 耿琛 葛星甫）

一、半导体薄膜沉积设备国产先锋，业绩迎来爆发期

（一）国内半导体薄膜沉积设备龙头，硬核赛道稀缺标的

拓荆科技成立于2010年，主要从事高端半导体专用设备的研发、生产、销售和技术服务， 主要产品包括等离子增强化学气相沉积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常态化学气相沉积（SACVD）设备三个产品系列。

公司产品已广泛应用于国内晶圆厂14nm 及以上制程集成电路制造产线，并已展开 10nm 及以下制程产品验证测试，截至2022年2月，客户端累计流片量超过5000万片，引领半导体薄膜沉积设备国产化浪潮。

目前，我国已成为全球规模最大、增速最快的集成电路市场。2021年以来国内晶圆厂加速扩产，国产替代逐步升温，公司抓住市场机遇提升国内市场占有率。

公司招股书显示，2021 年 PECVD、SACVD、ALD 三项设备销售额占营业收入的比重分别为 89.11%、5.43%和 3.78%。随着集成电路制造工艺向前发展，公司产品可以满足客户产线对于不同材料、不同芯片结构薄膜沉积工序的设备要求。

公司深耕薄膜沉积领域超过 10 年，是唯一实现半导体 PECVD 设备产业化的国产厂商。

创立之初至 2014 年公司以研发为绝对重心，与中芯国际建立了密切的合作关系，2011 年 10 月公司首台 12 英寸 PEVCD 出厂到中芯国际验证，2012 年 12 月公司推出 12 英寸多反应腔PF-300T设备，一年后通过中芯国际产品线测试，随即在2014年获其首台订单，标志着公司在PECVD领域实现产业化应用，正式进军国内薄膜沉积设备市场。

继PF-300T 成功经过晶圆厂验证后，公司陆续推出 PF-200T、HTM、ACHM 等型号丰富 PECVD 设备生产线，持续提升竞争力，并不断拓展新客户，至今已进入中芯国际、华虹集团、长江存储、厦门联芯、燕东微电子等国内领先集成电路制造企业产线，打破国际龙头对国内市场垄断。

为避免受限于产品单一化，应对集成电路制造工艺先进化需求，公司着手开拓 ALD、 SACVD 领域，实现国内首个 SACVD 产业化应用，ALD 研发生产技术领先。

在 PECVD、ALD 及 SACVD 设备领域，公司已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备，关键性能指标达到国际同类水平，可满足下游客户晶圆制造产线多种薄膜沉积工艺需求。2020 年 11 月，公司“十三五”国家重大专项通过验收，研发成果显著。

（二）核心人员具备国际化的研发和管理经验

公司现任主要管理技术团队具备丰富的相关领域的研发经验和先进经营管理理念。其中，公司创始人、董事、原董事长姜谦先生系美国布兰迪斯大学物理学博士，主要专长是半导体先进工艺技术及工艺集成等领域，曾任麻省理工学院材料科学工程中心研究员、英特尔公司工作研发部负责人、美国诺发和欣欣科技（沈阳）有限公司副总裁和执行董事。

其多项关键发明成为半导体行业国际标准，拥有 50 余项专利，在行业内被誉为具有“一个人带动一个产业”的能力。公司董事长吕光泉先生先后任职于美国科学基金会尖端电子材料研究中心、美国诺发、德国爱思强公司美国 SSTS 部，历任副研究员、工程技术副总裁等职，主要从事薄膜沉积设备的研发工作。公司设备研发技术团队经验丰富，研发成果显著，先后承接四项国家重大科技专项/课题。

拓荆科技已经建成了一支国际化、专业化的半导体薄膜沉积设备研发技术团队。

公司创始团队以归国海外专家为核心，立足核心技术研发，积极引进海外高层次人才、自主培养本土科研团队。公司国际化专业化的高级管理团队、全员持股的激励制度，吸引了大量具有丰富经验的国内外半导体设备行业专家加入公司，在整机设计、工艺设计、软件设计等方面做出突出贡献。公司自设立以来，自主培养本土科研团队，随着多项产品的研发成功，公司本土科研团队已成长为公司技术研发的中坚力量。

截至 2021 年 9 月，公司研发人员共有 189 名，占公司员工总数的 44.06%。公司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是奠定公司技术实力的基石，保障了公司产品的市场竞争力。

（三）股权激励提高公司活力，市场化薪酬巩固人才优势

公司无控股股东和实际控制人。

第一大股东为国家集成电路基金，持股 26.48%，国投上海持股 18.23%，中微公司持股 11.20%。姜谦先生与其他 7 名自然人股东及 11 个公司员工持股平台签有一致行动协议，为一致行动人，合计持有 15.19%股份。员工持股计划覆盖面大，且重点向研发技术人员、核心管理人员倾斜，符合半导体行业的行业特征。通过股权激励，公司建立健全了长效激励机制，充分调动了高级管理人员与骨干员工的工作积极性，提高了公司的凝聚力，增强了公司竞争力。

公司目前有两家全资子公司。 其中拓荆科技（北京）为客户华北区各产线提供所需高端薄膜装备研发、设备供应以及零部件备货、生产技术支持等服务；拓荆科技（上海）拟作为 “ALD 设备研发与产业化项目”的实施主体。目前均尚未实际开展经营。一家合资设立公司拓荆键科（海宁），主要进行高端半导体新兴工艺设备研发与生产制造。

布局上海广纳良才。

公司始终将员工的薪酬待遇置于重要地位，2017 至 2021 年，公司人均薪酬逐年提升（2021 年数据为前三季度折算，未考虑年终绩效等激励），与主要竞争对手处在同一水准（根据各公司年报数据，中微公司高管平均薪酬水平大幅高于可比公司），公司主要研发人员和核心产线位于沈阳市，考虑到城市物价水平，公司在薪酬待遇方面具有相对优势。

公司于 2020 年在北京、上海、海宁成立三家子公司，在方便与大客户商务接洽的同时，广泛吸纳一流人才增强研发实力，提升国际化视野。

（四）下游需求持续旺盛，盈利能力快速提升

订单放量水到渠成，公司业绩步入快车道。2018-2021 年公司营业收入由 7064.40 万元增 长至 7.58 亿元实现复合增速 120.56%，主要系：

1）半导体设备市场需求强劲。 根据日本半导体制造装置协会及 SEMI 数据，2018-2021 年全球半导体设备市场规模由 645 亿美元增长至 1026 亿美元，复合增速为 16.7%，其中中国半导体设备市场规模由 13.1 亿美金增长至 29.6 亿美金，复合增速为 31.2%。全球和中国半导体设备行业的旺盛需求，为公司持续发展和业绩增长提供了较为有利的产业环境。

2）产品日益成熟，订单逐步放量。 得益于公司持续研发创新，主要产品的关键性能达到国际同类水平，并通过多家晶圆厂产线验证，即将或已经开始量产供货。同时借助大客户的示范效应，公司在新客户拓展方面事半功倍，业绩增速有望保持高位。

技术进步叠加规模效应，公司盈利水平跃升。

2021 年公司毛利率和净利率水平分别达到 44.01%和 8.83%，同创历史新高，盈利能力明显抬升，主要系：

1）公司技术水平、市场地位提升，议价能力有所提高，平均单价有所上升。以主力机型 PF-300T 为例，根据公司招股书，2018-2021Q3 该型号设备的销售单价分别为 349 万元、363 万元、373 万元和 450 万元，总体呈增长趋势。

2）产品结构优化。随着工艺和制程演进，公司的产品开始进入先进制程设备市场，2021 年 1-9 月销售的机台中包括 LokⅠ先进工艺机台和 PF-300Tex 先进制程机台，提高了平均单价。

3）随着销售规模的增长，公司的规模经济效应开始显现，平均成本有所降低。整体上期间费用率随着营业收入的上升而呈现下降趋势。

2018 至 2021 年度，公司销售费用率、管理费用率稳中有降，主要系销售规模增长，规模经济效应开始显现。

2018-2020 研发费用率实现从 152.88%降至 28.18%，减轻了高研发导致的盈利压力。

2021 年研发费用大幅增长主要系公司承接政府项目，从长期来看研发费用率会逐渐接近国际 25%左右的水平。

随着 2018 至 2020 年研发费用占营业收入的比例逐年降低，公司的亏损也逐年收窄，盈利能力逐步改善，2021 年公司归母净利润 6848.65 万元，近几年首次扭亏为盈。

产业化运作渐入佳境，稳定盈利期指日可待。

随着核心业务 PECVD 设备逐步得到市场认可，公司产业化运作日渐成熟，经营与研发形成良性循环，造血能力大幅提升。

2021年，公司毛利率率先达到国内外龙头半导体设备厂商水平，净利率首次转正，公司 ALD 和 SACVD 设备处在关键的客户验证期，根据 PECVD 设备历史送样经验，产业化节奏值 得期待，同时标杆客户的示范效应有助于公司快速开拓新客户，各项费用有望进一步优化，稳定盈利期指日可待。

分产品看，近年来半导体设备行业迎来国产替代黄金窗口期，公司作为 PECVD 设备国产领军企业，需求有望持续旺盛，ALD 和 SACVD 设备产业化脚步紧随其后，为公司未来增长蓄力。

PECVD 设备： 受益于半导体设备市场发展及产品竞争优势，公司产品快速发展，2021 年公司 PECVD 设备实现销售额 6.75 亿元，同比增长 61.49%，毛利率达到 42.64%。

主要系：

1）议价能力提高带动平均单价有所上升；2）产品结构优化，公司开始进入价值量更高的先进制程设备市场；3）订单量的增长促进了规模经济效益的显现。

PECVD 设备具有高技术和客户验证壁垒，先发厂商具有显著的卡位优势，利润率较为稳定，根据海外公司业绩法说会资料，同类产品毛利率常年稳定在 45%左右。行业高景气叠加国产替代，未来公司 PECVD 设备有望持续高增长。

ALD 设备： 处于市场开拓阶段，技术国内领先。2021 年公司 ALD 设备实现销售额 2862.21 万元，同比增长 1451%，毛利率达到 44.19%。ALD 具有深沟槽、台阶覆盖率更高的薄膜沉积技术优势，应用制程在 14nm 以下，或者服务于存储市场，未来会是公司重要的发展方向。

SACVD 设备： 唯一一家产业化应用国产厂商，实现正毛利。2021 年公司完成第二台 SACVD 设备的销售，该设备可用于 2.5D 封装、3D 先进封装领域，实现销售额 4115.89 万元，同比增长 375%，毛利率达到 62.99%。

在手订单饱满，后续经营无虞。

公司在招股说明书和问询函中披露截止 2021 年 9 月，在手订单超过 15 亿元，全年前五大客户在手订单合计超 11 亿元，而 2022 年一季度末公司预收款项/合同负债 7.8 亿元，较 2021 年一季度末和 2022 年初分别增长 258%和 60%，公司采购及订单规模迅速扩大，业绩确定性较高。而公司一季度末存货 12.94 亿元，较 2021 年一季度末和 2022 年初分别增长 100%和 36%，鉴于以往公司存货中的发出商品占比超过 50%，进一步印证了当前公司订单量的高速扩张。（报告来源：远瞻智库）

二、半导体制造核心设备，国产替代大势所趋

（一）半导体设备核心赛道，市场规模持续增长

1、三大核心制造工艺之一，价值占比高

半导体设备为芯片制造工艺适配的专用设备，是半导体产业链中重要的支撑环节。

根据 SEMI 的数据统计，设备投资占晶圆建设投资的80%左右，工程投资-洁净室环境等约占20%，进一步拆分，应用于集成电路领域的设备通常可分为前道工艺设备（晶圆/制造）和后道工艺设备（封装测试）两大类，其中晶圆制造设备分为氧化/扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、清洗与抛光、金属化等七大类，其合计投资总额通常占整个晶圆厂设备投资总额的 80%左右，价值量较高。

全球半导体设备行业销售额再创新高。

半导体专用设备市场与半导体产业景气状况紧密相关，根据日本半导体制造装置协会和 SEMI 数据，2019 年受全球宏观经济低迷影响，半导体行业景气度呈现先低后高，全球半导体设备销售额同比-7%至 597.5 亿美元，随着半导体行业周期性复苏叠加 AIOT 和汽车电子等新兴需求拉升，2020 年市场逐步回暖至 712 亿美元，2021 年再度高增 44%至 1026 亿美元，创历史新高，中国大陆地区稳居最大市场，销售额增长 58%达到 296 亿美元，连续第四年增长。

在半导体制造过程中，三大核心工艺为光刻、薄膜沉积和刻蚀。根据 SEMI 的数据统计，上述三项设备占晶圆制造设备的比重分别约为 23%、25%和 30%。

薄膜沉积是在半导体制造过程中构造晶体管的关键一步。

薄膜沉积是在衬底上形成并沉积薄膜涂层的过程，这些涂层可以由包括金属、氧化物、化合物等在内的许多不同的材料制成，薄膜涂层具有许多不同的特性，可用来改变或改善衬底的性能，如阻挡污染物和杂质渗透、增加或减少导电性/信号传输、提高吸光率等。可用于沉积过程的技术包括化学气相沉积（CVD）、原子层沉积（ALD）和物理气相沉积（PVD）以及外延技术。

2、细分品类众多，市场高度垄断

在不同制程和功能需求的驱动下，各大类沉积方法逐渐衍生出了多种技术。如化学气相沉积（CVD）中，有针对更细致制程划分的 APCVD、LPCVD、PECVD、HDPCVD、FCVD 等；物理气相沉积（PVD）则包括溅射 PVD 和蒸镀 PVD。

Maximize Market Research 数据显示，2017 年至 2020 年全球半导体薄膜沉积设备市场规 模由 125 亿美元增长至约 172 亿美元，复合增速约为 11.2%。

根据 Gartner 统计的细分种类市场份额数据，CVD 约占 66%，PVD 约占 23%，ALD 约占 11%。公司主要从事 CVD 设备的研发和销售，根据 Mordor intelligence 调查统计，2021 年全球半导体 CVD 设备市场约为 119 亿美元，预计至 2027 年市场规模将达到 212 亿美元，复合增长率为 8.8%。

ALD 设备在 28nm 及以下节点制程逻辑芯片、DRAM、3D NAND 以及新型存储器、新型应用市场中的应用需求越来越大。

ALD 技术拥有优越的台阶覆盖率和精确的膜厚控制能力，能够较好地满足线宽制程不断缩小以及 3D 立体化等技术演进中，工艺对于薄膜沉积在超薄、三维共形性、成膜质量等方面的更高要求。

根据调查机构 Acumen research and consulting 预测数据，随着半导体先进制程产能快速增长，预计 2026 年全球 ALD 设备市场规模约为 32 亿美元。

公司所处的细分赛道为 CVD 市场中的 PECVD 和 SACVD，以及 ALD，合计占全部半导体薄膜沉积市场的比重接近 50%，市场空间广阔。

薄膜沉积设备行业呈现出高度垄断的竞争格局。

各细分赛道基本由应用材料、泛林半导体、东京电子、先晶半导体等国际巨头垄断。根据 Gartner 数据显示，2020年全球 CVD 市场中排名前五的供应商分别为应用材料（28%）、泛林半导体（25%）、东京电子（17%）、先晶半导体（11%）、Kokusai（8%）；全球ALD 市场中排名领先的供应商分别为东京电子（29%）和先晶半导体（26%），剩下46%的份额由其他厂商占据；而应用材料（AMAT）则基本垄断了 PVD 市场，占85%的比重，处于绝对龙头地位。

3、平台型半导体设备，对各式沉积薄膜的理解是重要 know-how

由于半导体制造对于薄膜的材料、特性需求不同，各类薄膜沉积设备因其技术特点差异，各自满足适合的应用领域，彼此之间不存在明显的替代关系，因此即便用 PECVD 原理的薄膜沉积设备占总规模的 1/3，但该类别下针对不同产品、不同性能需求而适配的不同膜材决定了这一市场绝非依靠爆品致胜，而更多凭借的是厂商对膜材覆盖的广度和深度。

以设备反应源为例，主要分为是液态源和气态源两种，前者主要使用 TEOS 和 SiO2，后者主要为硅烷和笑气，而公司目前开发的 APF（Advanced pattern films）气态源创新性地使用了丙烯和乙炔，每一种材质对应的设备参数和技术要求都需要投入大量的研究和开发。

而在 3D NAND 领域，对于薄膜沉积又提出了一些新的技术需求，在制造工艺推进中越往后沉积，因膜的堆叠导致晶圆四周翘起呈现碗状的现象越普遍，极大地影响了芯片性能和成品率，通过加装 E-chuck 装置创建独特的分离晶圆接触表面层，可以解决翘曲问题，让薄膜完好吸附，达到沉积平整化的效果。

应用材料和泛林半导体在薄膜沉积市场布局多年，膜材覆盖全面，性能完善，在特定技术应用方面也具有多年成功实践经验，公司在国内厂商中技术最为全面，其中关键的 E-chuck 技术也于 2021 年获得大客户认可，加装该技术的设备通过产线验证，量产订单可期。

（二）高景气叠加国产替代，行业天花板不断打开

1、半导体投资热情不减，设备市场持续受益

资本开支是设备销售的重要先导指标。

根据 IC Insights 数据，全球半导体行业资本开支在 2021 年同比大涨 36%至 1536 亿美元，创历史新高，随着数字转型的加速，全球经济出现了强劲反弹，对半导体元件的需求也在增加，受限于疫情期间许多供应链紧张或断裂，电子产业应对强劲需求准备不足，这些均推动了大多数晶圆厂产能利用率远高于 90%（甚至超过 100%）。

凭借强劲的产能利用率和持续高需求的预期，IC Insights 预计 2022 年的半导体行业资本支出总额继续增长 24%至 1904 亿美元。

晶圆厂的扩产计划将是重要的推手。 全球主要代工厂和 IDM 均公布了 2022 年资本开支计划，其中台积电、三星、英特尔分别将投资 400、400、250 亿美元以上，大幅提振相关设备市场的销售情绪。

中国大陆晶圆厂规划产能空间大，国产半导体设备行业持续受益。 2019 年以来，华虹半导体（无锡）项目、广州粤芯半导体项目、长鑫存储 DRAM 项目均正式投产。2020 年以来，国内包括长江存储、广州粤芯、上海积塔、中芯南方、士兰微（厦门）、广东海芯项目等产线也取得新进展，根据集邦咨询、Semi 及各公司官网等公开的资料整理，截止 2021 年底中国大陆内资晶圆厂（含 IDM）12 寸产能约 70 万片/月，远期规划产能约 250 万片/月，国内半导体设备行业将持续受益。

2、技术端多重因素驱动，薄膜沉积设备需求持续提升

芯片制程升级带动薄膜沉积工序、薄膜种类不断增加。

以逻辑芯片为例，90nm CMOS 工艺大约需要 40 道薄膜沉积工序，而在 3nm FinFET 工艺产线，对薄膜沉积工序的需求超过了 100 道，涉及的薄膜材料由 6 种增加到近 20 种，对于薄膜颗粒的要求也由微米级提高到纳米级。

先进制程驱动设备用量提升。

随着全球半导体产线制程升级，晶圆厂对薄膜沉积设备数量和性能的需求将持续提升，在实现相同芯片制造产能的情况下，制程越先进，对薄膜沉积设备的需求量也将相应增加。以中芯国际晶圆产线薄膜沉积设备用量为例，根据公司招股书披露，180nm 8 寸晶圆产线对于 CVD 和 PVD 的需求量分别为 9.9 和 4.8 台/万片月产能，而在其 90nm 12 寸的晶圆产线上，需求量分别提升至 42 和 24 台/万片月产能。

在 NAND FLASH 芯片市场，主流制造工艺已由 2D 发展为 3D 结构，这一趋势增加了薄膜沉积设备的用量需求。

根据东京电子数据，薄膜沉积设备在 FLASH 芯片产线资本开支中的占比由 2D 时代的 18%增长至 3D 时代的 26%，在各大类半导体制造设备中提升幅度仅次于刻蚀。未来随着 3D NAND FLASH 层数的增加，对于薄膜沉积设备需求提升的趋势仍将延续。

3、大陆市场欣欣向荣，国产替代势在必行

中国大陆市场广阔，亟待国产厂商突破。 通过对 Semi、IC Insights、CSIA、集邦咨询以及 Knometa 的数据进行分析，2021 年中国大陆在半导体设计、制造、设备方面的市场需求占全球比重分别为 38%、16%和 29%，而本土企业占全球比重分别为 9%、9%和 20.5%（出货量口径，销售额口径下会低于这一数值），国产化空间较大。

同时，根据 CSIA 与 IC Insights 数据，2010 年前后、2016 年前后和 2017 年前后，中国 IC 封测、IC 制造、IC 设计市场占全球市场的份额先后突破 25%，2019 年前后国内半导体设备市场突破 25%市占率线，需求拉动供给，中国本土产业链配套有望加速。

地缘政治格局紧张、新冠疫情不确定性等加剧半导体供应短缺，凸显供应链安全重要性。作为前道制造三大核心设备之一，国产薄膜沉积设备近年来崭露头角，沈阳拓荆的 PECVD，北方华创的 LPCVD，均已通过主流晶圆代工厂验证，开始进行批量生产交付。

三、国产半导体 CVD 设备拓荒者，引领供应链自主可控进程

（一）自主研发核心工艺，达到国际先进水平

产品总体性能和关键性能参数已达到国际同类设备水平。在 PECVD、ALD 及 SACVD 设备领域，公司已形成覆盖二十余种工艺型号的薄膜沉积设备，满足下游客户晶圆制造产线多种薄膜沉积工艺需求。自主研发形成的核心技术，已达到国际先进水平。

PECVD： 前道工艺方面公司已基本覆盖 28nm 及以上各制程节点，下游领域涉及逻辑、存储、先进封装。

PECVD 设备系集成电路制造的核心设备，一颗芯片的制造过程中，涉及十余种不同材料的薄膜，各类电性能、机械性能不同的薄膜构成了芯片 3D 结构体中不同的功能。公司针对下游对于不同材料薄膜 PECVD 设备的需求，已研发并生产 16 种不同工艺型号的 PECVD 设备，具体产业化进展情况如下：

ALD： 具备优秀的多面体表面成膜能力，可以满足复杂结构体的镀膜需求，在先进制程集成电路制造工序中应用广泛。公司已量产了 PE-ALD，正在研发 Thermal-ALD 设备。

SACVD： 具有能够填平沟槽孔洞结构至平整的能力和沉积速度快的特点，公司研发生产了多种不同工艺的 SACVD 设备。公司 ALD 和 SACVD 设备具体产业化进展情况如下：

公司持续进行先进技术的研发工作。 在 PECVD 领域，继续完善以硬掩膜为主的先进薄膜系列产品，并进一步提升先进制程覆盖率，包括面向 28nm-10nm 制程设备的多种工艺型号开发、面向 10nm 以下制程设备的平台研发；在 ALD 领域，打磨 3D NAND 存储芯片技术，加大 Thermal 和大腔室 PE ALD 产品布局力度；在 SACVD 领域，研制应用于 28nm 及以下技术节点的薄膜沉积设备。

（二）把握国产替代机遇，快速拓展优质客户

公司产品已经广泛应用于中芯国际、华虹集团、长江存储等国内主流晶圆厂产线，打破了国际厂商的垄断。

根据中国国际招标网数据，以机台数量为计算口径，2019-2020 年在长江存储、华虹无锡、上海华力和上海积塔四家企业的公开招标中，公司的 PECVD 设备占比达 16.56%，仅次于泛林半导体的 46.63%和应用材料的 34.36%。

公司已成功打入大陆和台湾 20 多个城市和 40 余条生产线。公司已于 2018 年向某国际领先晶圆厂发货一台 PECVD 设备用于其先进逻辑芯片制造研发产线，2020 年该厂向公司增订了一台 PECVD 设备用于其上述先进制程试产线，这一合作表明了公司产品实力在国际上具备初步的竞争力，对于未来公司迈向海外市场具有重要的战略意义。

头部客户业绩贡献稳定，新进客户拓展卓有成效。

2018-2021 年 1-9 月，公司前五大客户集中度分别为 100.00%、84%、84%和 92%，头部客户业绩贡献稳定。

国内下游晶圆厂的扩产给公司销量增长提供了良好契机，公司在保障头部客户产能基础上全力拓展其他国内晶圆厂，截止 2021 年 9 月，新增包括上海积塔、广州粤芯等 10 余家客户，公司在手销售订单超过 15 亿元（不包括 demo 订单）。

国内晶圆厂建设逐渐步入深水区，销售订单快速交付叠加 demo 订单高效转化为量产订单，均为公司业绩增长奠定了坚实的客观基础。

国内晶圆厂供应链自主可控、需求急切。

近年来国内晶圆厂受中美贸易和科技摩擦等因素影响，供应链国产化进程加速，公司抓住历史机遇，针对客户提出的特定工艺材料、特定制造工序薄膜性能的诸多客制化需求进行了快速响应，建立和巩固与客户稳定的合作关系，为中国本土客户能够快速扩充产能做出贡献。

中芯国际与公司合作较早，2013 年公司在中芯国际的首台设备验证通过，此后获得中芯国际 2020 年度最佳合作厂商称号、“国产设备量产综合评分第一名”、快速装机投入量产奖等多项认可。由于具备良好的合作基础，中芯国际复购订单较多，因此公司对中芯国际的平均验证周期较短。

2018-2021 年前三季度公司向中芯国际下属公司共计实现销售 23 台设备，其中已验证工艺的机台有 21 台，平均验收周期为 3.50 个月，其中验收周期短于 2 个月的设备有 7 台，显著低于公司同时间段内 6 个月左右销售机台的平均验收周期。

验收周期较短的原因主要系中芯国际对产能需求较为急迫，公司响应其需求进行快速装机，且均属于已验证工艺，测试时间短，部分机台在完成工艺测试后中芯国际即结束验收流程，直接投入量产，对于公司业绩和资金效率形成了有力支撑。

（三）供应能力逐步提升，进一步提高市占率

根据公司官网披露情况，目前公司（第一期）生产能力可实现年产 100 台套，全部投产可达 350 台套设备，可以满足下游客户增产需求，并拥有覆盖全球的供应商网络。

公司募投项目中已规划将在公司现有的半导体薄膜设备研发和生产基地基础上进行二期建设，未来随着经营规模不断扩大以及资本市场的助力，公司产能扩充将逐步达到预期目标， 届时有望获得更高的市场份额。同时，规模经济效应也会进一步优化公司的盈利能力。

公司坚持多货源采购和全球化供应链。

2018 至 2021 年 1-9 月公司前五大供应商的集中度分别为 38.66%、38.78%、39.75%和 38.38%，多年来保持稳定，不存在对少数供应商严重依赖的情况。

公司的主要竞争对手均位于美国和日本，服务中国大陆客户的成本较高。

公司的研发和生产主要位于中国大陆，拥有区位优势。在产品设计方面，公司通过与供应商密切合作，使产品具有模块化、易维护的特点，从而降低公司原材料采购成本。同时，伴随本土供应链的不断成熟，公司也在积极拥抱国产化浪潮，加大国产零部件供应商的验证力度。

四、关键假设、估值与盈利预测

我们进行盈利预测的关键假设为：

1）半导体设备行业持续高景气，下游晶圆厂积极扩产，同时上游零部件供应充足，公司 PECVD 业务在客户和产品领域的开拓顺利；

2）国际贸易关系相对稳定，国内晶圆厂国产替代动力充足；

3）公司 PECVD 业务产业化能力逐年提高，demo 机台订单占全部订单的比例将持续降低，进而缩短平均验证周期、提升公司产销率，有利于毛利率稳步上行。

我们预计 2022-2024 年公司营业收入为 15.0/21.9/30.3 亿元，整体毛利率水平分别为 45.2%、45.7%、45.9%，归母净利润为 1.58/2.63/4.28 亿元，对应 EPS 为1.25/2.08/3.38 元。国产半导体设备厂商处于起步阶段，具有高研发投入或者高资本投入、费用支出较高、政府补助等非经常性项目较多的特征，利润并不反映企业的真正经营水平，一般采取 PS 估值方法。

选取北方华创、中微公司、盛美上海作为可比公司，可比公司 2022E 年平均 PS 为 12 倍，拓荆科技 PS 为 9 倍，低于可比公司平均水平（预测 PS 为 2022.5.5 收盘价/wind 一致预期 2022 年每股营业收入）。

全球半导体设备市场持续高景气，公司显著受益于薄膜沉积设备需求增长；公司充分受益于国产替代机遇，截止 2021 年 9 月，公司在手订单超过 15 亿元（对应合同负债 4.45 亿元），2022 年一季度末合同负债 7.8 亿元（YoY+258%，QoQ+60%），采购及订单规模迅速扩大。

我们预测 2022-2024 年公司营业收入分别为 15.0/21.9/30.3 亿元，结合公司所处百亿赛道市场空间及更纯正的半导体业务结构，在行业可比公司平均 12 倍 PS 的基础上可给与 30%估值溢价，即公司 2022 年合理估值水平为 15 倍 PS，对应目标价为 178.1 元。

五、风险提示

①中美贸易摩擦加剧的风险： 公司部分原材料需要从美国采购。如果中美贸易摩擦进一步加剧，可能出现国外供应商受相关政策影响减少或者停止对公司零部件的供应，进而影响公司产品生产能力、生产进度和交货时间，对公司生产和日常经营造成不利影响。

②上游零部件供应短缺的风险： ASML、应用材料、泛林半导体等半导体设备龙头厂商均表示面临零部件供应限制。公司目前供应链基本稳定，但如果核心零部件供应商无法及时供货，将对公司正常生产经营产生不利影响。

③下游客户扩产不及预期的风险： 行业高景气下，晶圆厂制造商扩产积极，景气程度向设备类公司传导，薄膜沉积设备行业整体呈现快速增长态势。但不能排除下游个别晶圆厂制造商的后续投资不及预期，对相关设备的采购需求减弱，这将影响公司的订单量，进而对公司的业绩产生不利影响。

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拓荆科技研究报告：国产薄膜沉积设备龙头，成长动力充足

（报告出品方/作者：开源证券，刘翔，罗通）

1、 国产薄膜沉积设备龙头，产品覆盖 PECVD/ALD/SACVD

1.1 公司概况：深耕半导体薄膜沉积设备，营收高速增长

公司聚焦半导体薄膜沉积设备的生产和研发，主要产品有等离子体增强化学气相沉 积（PECVD）设备、原子层沉积（ALD）设备和次常压化学气相沉积（SACVD）设备 三个产品系列，2021 年营收分别占比 89.11%、3.78%、5.43%。公司是目前国内唯一一 家产业化应用集成电路 PECVD、SACVD 设备的厂商，产品已广泛应用于国内晶圆厂 14nm 及以上集成电路制造产线，并已展开 10nm 及以下制程产品验证测试。 公司成立于 2010 年，多次承担国家重大专项并获“中国半导体设备五强企业”称 号，2011 年首台 12 英寸 PECVD 到中芯国际验证，2013 年 PF-300T 产品线通过测 试，2014 年获得首批订单，2016 年首台 ALD 设备和 8 寸 PECVD 交付客户，2018 年 ALD 通过客户 14nm 产业化验证，2019 年 SACVD 研制成功并出厂到客户端， 2022 年 4 月，在科创板上市。

公司无控股股东和实际控制人，大基金为第一大股东。公司前三大股东分别为 国家集成电路基金、国投上海、中微公司，分别持股 19.86%、13.68%、8.40%。公司 6 名非独立董事中，国家集成电路基金有权提名 2 名，国投上海、中微公司分别有权 提名 1 名，姜谦及其一致行动人有权提名 2 名，均不足董事会席位一半，因此公司 不存在实际控制人。 公司分两批次设立了 11 个员工持股平台，实现了广泛的员工持股，以此吸引海 外专家和境内优秀人才，使员工与公司共享发展成果。

公司主要有三个子公司：（1）拓荆北京，主要为华北区客户提供高端薄膜装备研 发、设备供应以及零部件备货等服务；（2）拓荆上海，是 ALD 设备研发与产业化项 目实施主体；（3）拓荆键科（持股 55%），主要从事高端半导体新兴工艺设备研发与 生产制造。公司最初由中科仪与姜谦设立，其他高管和核心技术人员也多有在诺发、Lam Research 等业内知名公司任职经历。公司已经建成了一支国际化、专业化的半导体 薄膜沉积设备研发技术团队。

收入端：公司营收快速增长，近三年 CAGR 74%。受益于半导体设备行业快速 发展和公司技术的突破，公司产品不断通过客户验证，2021 年公司实现营收 7.58 亿 元，同比+74%；实现归母净利润 0.68 亿元，同比扭亏。2022Q1 已实现营收 1.08 亿 元，同比+86%，持续维持高增长。

收入结构：（1）分产品：PECVD 为营收的主要来源，SACVD、ALD 开始放量。PECVD 设备销量逐年增长，2020 年 PECVD 销量 31 台；2021Q1-Q3 销量 23 台。SACVD 在 2020 年和 2021Q1-Q3 分别售出 1 台。2021 年 PECVD 贡献了 6.75 亿元的营业收入， SACVD、ALD 年分别实现了 0.41 亿元、0.29 亿元的收入。2020 年 PF-300T 和 PF200T 分别贡献 3.21 亿元、0.97 亿元营收。

（2）分地区：公司业务主要在中国大陆，2021 年中国大陆营收占比达 98.32%。 但是随着公司规模的扩大以及技术的成熟，未来有望拓展海外客户。（3）分季度：公司下游客户，通常于年初作出全年的资本性支出计划，此后开 展采购、安装、调试、验收，导致公司大部分设备取得客户验收、确认收入的时点相对集中于下半年，尤其集中于 Q4，呈现一定的季节性。（报告来源：未来智库）

盈利端：毛利率稳步提升，已高于行业平均水平。公司毛利率持续提升，主要原 因为（1）随着公司技术水平、市场地位的提升，公司的议价能力有所提高，平均单 价有所上升；（2）随着公司产品工艺和制程的演进，公司的产品开始进入先进制程设 备市场，先进制程设备的市场价格较高，进而提高了毛利率；（3）随着销售规模的增 长，公司的规模经济效应开始显现，平均成本有所降低。 2021 年公司毛利率 44.01%，已高于行业平均值，盈利能力增强。公司销售、管 理、财务费用率常年维持在较低水平，研发费用率增长较快，主要是因为公司保持高 强度的研发投入，持续推进技术创新。

1.2 上下游关系：原材料成本不断降低，客户集中度较高

上游：直接材料为主要成本来源，公司供应链稳定，采购价格呈下降趋势。 公司主要成本来自于直接材料，其中直接材料 2019 到 2021Q1-Q3 占比分别为 91%、90%、94%。公司采购的原材料主要包括机械类、机电一体类、电气类、气体输送系统类、真 空系统类、附属设备等。供应商：公司供应链稳定。公司上游前五大供应商的集中度不到 40%，避免了 过度依赖部分供应商的风险。近四年前五大供应商较为稳定，供应商和公司合作时 间长，合作关系友好，保障了原材料的供应。

原材料价格：随着公司出货量的增长，原材料成本逐渐降低，未来规模优势下 成本有望进一步降低。以 2018 年原材料的价格为基础计算出价格指数后可以看到，由于公司供应链管理不断优化，与供应商保持长期的良好合作关系，出货量持续增 长，2019 年到 2021 年 Q3 公司原材料的采购价格呈现下降趋势。

客户集中度：2021Q1-Q3 公司前五大客户分别是中芯国际、北京屹唐、长江存 储、华虹集团、睿力集成电路，占比 28.80%、28.11%、16.79%、9.88%、8.85%，合 计 92.43%。公司前五大客户集中度高主要是因为集成电路制造行业因资本投入大、 技术难度高，国内外主要集成电路制造商均呈现经营规模大但数量少的行业特征。产销量：公司产销率低于 100%，主要由于公司的产品从生产完成并发货，到客 户验收完成销售的过程中，存在一定时长的验收周期，使产量大于销量。

2、薄膜设备市场空间大，国内薄膜沉积设备厂商将迎来黄金发展机遇

2.1 半导体行业景气带动设备需求增长，薄膜沉积是关键设备

全球半导体行业处于景气周期，中国半导体设备发展迅速。（1）半导体市场规 模：据 WSTS 数据，2021 年全球半导体销售额达 5559 亿美元，同比+26%，且预计 2022 年同比增长 10.4%达 6135 亿美元；据 SIA 数据，2021 年中国半导体销售额达 1898 亿美元，同比+25%。中国半导体销售额占全球销售额的比例维持在 35%左右。 WSTS 预计 2022 年全球半导体市场规模将达到 6135 亿美元，同比增长 10.36%。（3） 半导体设备市场规模：据 SEMI 统计，2021 年全球和中国半导体设备销售额分别为 1026 亿美元、296 亿美元，同比+44%、+58%，中国销售额全球占比提升至 29%。 SEMI 预计 2022 年全球半导体设备销售额达 1140 亿美元，同比增长 11.11%。

薄膜沉积设备是晶圆制造三大主设备之一。应用于集成电路领域的设备通常可 分为前道工艺设备（晶圆制造）和后道工艺设备（封装测试）两大类，薄膜沉积设备 市场规模占半导体设备的 20%。

全球薄膜沉积设备市场持续稳定增长。根据 Maximize Market Research 数据统 计，2021 年全球薄膜沉积设备市场规模为 190 亿美元，同比+10.5%，预计 2025 年有 望达到 340 亿美元，2021-2025 年 CAGR 达 15.7%。薄膜沉积是半导体制造过程中构造晶体管的关键步骤之一。薄膜沉积是指在硅 片衬底上沉积一层待处理的薄膜材料，逐层堆叠薄膜形成电路结构，包括半导体、介 质、金属/金属化合物三大类。薄膜涂层具不同特性，可用于改变或改善衬底的性能， 比如阻挡污染物和杂质渗透、增加或减少导电性/信号传输、提高吸光率等。（报告来源：未来智库）

按照薄膜沉积技术原理可以分为 CVD（化学气相沉积）、PVD（物理气相沉积） /电镀设备和 ALD（原子层沉积）。其中： （1）CVD 是通过化学反应的方式，利用加热、等离子或光辐射等各种能源，在 反应器内使气态或蒸汽状态的化学物质在气相或气固界面上经化学反应形成固态沉 积物的技术，是一种通过气体混合的化学反应在硅片表面沉积薄膜的工艺，可应用 于绝缘薄膜、硬掩模层以及金属膜层的沉积。常用的 CVD 设备包括 PECVD、SACVD、 APCVD、LPCVD 等，适用于不同工艺节点对膜质量、厚度以及孔隙沟槽填充能力等的不同要求。

（2）ALD 可以将物质以单原子膜形式一层一层地镀在基底表面的方法。ALD 工艺具有自限制生长的特点，可精确控制薄膜的厚度，制备的薄膜具有均匀的厚度 和优异的一致性，台阶覆盖率高，在结构复杂、薄膜厚度要求精准的先进逻辑芯片、 DRAM 和 3D NAND 制造中，ALD 是必不可少的核心设备之一。（3）PVD：通过真空蒸镀和溅射等物理方法沉积金属或金属化合物薄膜，应用 最广泛的 PVD 是磁控溅射和离子化 PVD，主要用于后段金属互连层、阻挡层、硬 掩膜、焊盘等工艺。

PECVD：PECVD 相比传统的 CVD 设备，PECVD 设备在相对较低的反应温度 下形成高致密度、高性能薄膜，不破坏已有薄膜和已形成的底层电路，实现更快的薄 膜沉积速度，是芯片制造薄膜沉积工艺中运用最广泛的设备种类。SACVD：SACVD 设备的主要功能是在次常压环境下，通过对反应腔内气体压 力和温度的精确控制，将气相化学反应材料在晶圆表面沉积薄膜。SACVD 设备的高 压环境可以减小气相化学反应材料的分子自由程，通过臭氧在高温下产生高活性的 氧自由基，增加分子之间的碰撞，实现优越的填孔（Gap fill）能力，是集成电路制造 的重要设备之一。

PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型，占整体薄膜沉积设备市场的33%； ALD 占 11%；SACVD 是新兴的设备类型，属于其他薄膜沉积设备类目下的产品， 占比较小。在整个薄膜沉积设备市场，属于 PVD 的溅射 PVD 和电镀 ECD 合计占有 整体市场的 23%。

2.2 行业驱动力：晶圆厂扩产+技术升级+国产替代，驱动薄膜设备需求

（1）晶圆厂扩产：下游需求高度景气，晶圆厂积极扩产，资本开支持续攀升驱 动半导体设备需求增长。物联网，服务器，汽车电子，新能源等行业对半导体需求持 续提升，半导体行业资本开支持续提高以满足扩产需要。IC Insights 预测，2021 年全 球半导体行业资本开支规模约为 1539 亿美元，预计 2022 年将超过 1904 亿美元，同 比增长 24%。根据 SEMI，全球半导体制造商将在 2021 年年底开始建设 19 座新的高 产能晶圆厂，并在 2022 年再开工建设 10 座，设备支出预计将超过 1400 亿美元，以 满足市场对芯片的加速需求。中国大陆和中国台湾地区将在新晶圆厂建设方面处于 领先地位，各有 8 座，其次是美洲有 6 座，欧洲/中东有 3 座，日本和韩国各有 2 座。 以上 29 座晶圆厂每月可生产多达 260 万片晶圆(8 英寸等效)。晶圆厂大规模扩产定 将带动设备需求，半导体设备成长动力充足。

（2）技术升级：芯片制程升级，薄膜沉积设备需求量增加。随着集成电路的持 续发展，晶圆制造工艺不断走向精密化，芯片结构的复杂度也不断提高，需要在更微 小的线宽上制造，工艺也越来越复杂。在 90nmCMOS 工艺，大约需要 40 道薄膜沉 积工序，而 3nmFinFET 工艺产线需要 100 道工序。随着产线的逐渐升级，晶圆厂对 薄膜沉积设备数量和性能的需求将继续随之提升。总体上看，越先进制程产线所需 的薄膜沉积设备数量越多。

在存储芯片领域，随着主流制造工艺已由 2D NAND 发展为 3D NAND 结构，结 构的复杂化导致对于薄膜沉积设备的需求量逐步增加。根据东京电子披露，薄膜沉 积设备占 FLASH 芯片产线资本开支比例从 2D 时代的 18%增长至 3D 时代的 26%。 随着 3D NAND FLASH 芯片的内部层数不断增高，对于薄膜沉积设备的需求提升的 趋势亦将延续。（3）国产替代：薄膜沉积设备国外垄断，国产替代需求不断提升。行业基本由 应用材料（AMAT）、先晶半导体（ASMI）、泛林半导体（Lam）、东京电子（TEL） 等国际巨头垄断，国产替代空间较大，国内主要 IC 用薄膜沉积设备厂商为拓荆科技、 北方华创等。

3、公司技术实力强大，具备稀缺性，客户资源优质，成长动力充足

3.1 公司重视研发，技术实力强大

公司重视研发，研发费用率高于同行。公司 2021 年研发费用达 2.88 亿元，研发 费用率 38.04%，国外龙头半导体设备布局全面，故研发费用高于公司，但公司研发 费用率高于海外可比公司，同时高于国内半导体设备同行。

截至 2021 年 9 月，公司研发人员共有 189 名，占公司员工总数的 44.06%。公 司的研发技术团队结构合理，分工明确，专业知识储备深厚，产线验证经验丰富，是 奠定公司技术实力的基石，保障了公司产品的市场竞争力。

公司核心技术达到国际先进水平，产品关键性能参数已达到国际同类设备水平， 承担 6 项国家级及其他省部级重大科研项目，技术研发能力突出。公司的先进薄膜 工艺设备设计等核心技术，解决了半导体制造中纳米级厚度薄膜均匀一致性、薄膜 表面颗粒数量少、快速成膜、设备产能稳定高速等关键难题，在保证实现薄膜工艺性 能的同时，提升客户产线的产能，减少客户产线的生产成本。 公司产品总体性能和关键性能参数已达到国际同类设备水平。公司先后承担 “90-65nm 等离子体增强化学气相沉积设备研发与应用”、“1x nm 3D NAND PECVD 研发及产业化”等四项国家重大科技专项/课题，研发的 PECVD、ALD 及 SACVD 设 备系列化产品已累计发货超 150台，在集成电路制造及相关领域实现产业深度融合。

在 PECVD、ALD 及 SACVD 设备领域，公司已形成覆盖二十余种工艺型号的薄 膜沉积设备，满足下游客户晶圆制造产线多种薄膜沉积工艺需求。公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路 PECVD 设备厂商。拓荆科技的 PECVD 以 12 英寸产品为主，包括 PF-300T、PF-300T eX、PF-300T pX、NF-300H； 8 英寸 PECVD 产品型号为 PF-200T。

针对下游对于不同材料薄膜 PECVD 设备的需求，公司已研发并生产 16 种不同 工艺型号的 PECVD 设备，适配 180-14nm 逻辑芯片、19/17nm DRAM 及 64/128 层 FLASH 制造工艺需求，产品能够兼容 SiO2、SiN、SiON、BPSG、PSG、TEOS、Lok Ⅰ、Lok Ⅱ、ACHM、ADC Ⅰ等多种反应材料。公司是国内唯一一家产业化应用的集成电路 SACVD 设备厂商。拓荆科技的 SACVD 设备型号有 12 英寸 SACVD 设备 SA-300T、8 英寸 SACVD 设备 SA-200T。公司的 SACVD 设备可以沉积 BPSG、SAF、SA TEOS 材料薄膜，适配 12 英寸 40/28nm 以及 8 英寸 90nm 以上的逻辑芯片制造工艺需求。

公司是国内领先的集成电路 ALD 设备厂商。拓荆科技的 ALD 设备型号有 12 英 寸 PEALD 设备 FT-300T、12 英寸 Thermal-ALD 设备 FT-300T、12 英寸 ALD 设备 FT-300H。公司 ALD 设备主要分为 PE-ALD 和 Thermal ALD。在 PE-ALD 设备成功量产公司 ALD 设备主要分为 PE-ALD 和 Thermal ALD。在 PE-ALD 设备成功量产基础上，为满足 28nm 以下芯片制造所需的 Al2O3、AlN 等金属化合物薄膜的工艺需 要，公司正在研发 Thermal ALD 设备。

公司持续进行先进技术的研发工作。在 PECVD 领域，公司持续完善升级以硬掩 膜为主的先进薄膜系列产品，提升先进制程覆盖率，包含针对 28nm-10nm 制程 PECVD 设备的多种工艺型号开发、面向 10nm 以下制程 PECVD 设备的平台构架研 发；在 ALD 领域，继续打磨 3D NAND 存储芯片技术，加大 Thermal 和大腔室 PEALD 产品布局力度；在 SACVD 领域，研发应用于 28nm 及以下技术节点的薄膜沉积设 备。（报告来源：未来智库）

3.2 公司差异化布局薄膜沉积设备，客户资源优质

拓荆科技差异化布局 PECVD 与 SACVD，在国产厂商中产品布局具有一定稀缺 性。拓荆科技主攻 CVD 和 ALD，北方华创产品线覆盖 CVD、PVD 和 ALD 三类， 与拓荆科技在工艺、沉积材料类型均有不同，唯一具有相同工艺的 PECVD 设备应用 领域、技术原理与拓荆科技也不存在重叠和替代关系。而中微公司主要做的是 MOCVD 设备，应用于 LED 领域，和拓荆科技也不存在直接竞争关系。

公司产品受到大量半导体龙头企业客户认可。公司主要产品 PECVD、ALD、 SACVD 已批量应用到国内集成电路晶圆厂产线。公司产品在客户端应用范围广泛， 包括逻辑器件、DRAM 存储器、3D NAND 存储器、模拟器件、功率器件、微显示、 微机电系统等。

行业地位高且业务稳定性强，与拓荆科技合作时间长。中芯国际、华虹集团和 长江存储长期为公司前五大客户，占比分别为 29%、10%、17%。这三家客户均位居 行业前列且业务稳定性较强，公司分别于 2011 年、2017 年、2015 年与中芯国际、华 虹集团和长江存储开始合作，时间长，合作关系稳定。 公司三大设备的客户验证进展顺利。

（1）PECVD 设备：随着中芯京城、中芯深 圳、中芯上海临港等产线陆续扩产，以及公司在长江存储等客户的份额提升，PECVD 持续放量；（2）ALD 设备：公司在 2017 年发往 ICRD 一台，目前已量产；在 2021 年由存储/逻辑客户确认收入两台；（3）SACVD 设备：公司在 2019 年发往北京燕东 一台 8 寸设备，且在 2020 年确认收入；在 2021 年出售第二台设备，可用于 2.5D 封 装、3D 先进封装领域。公司已履行的重大销售合同主要来源长期龙头客户，正在履 行的重大销售合同中有不少新客户，三大产品线增长动力充足。

3.3 产品持续推进验证，募资助力技术研发

非正式订单验收周期长，后续有待通过验证。截至 2021Q3，公司发出商品共计 74 台，其中尚未获取正式订单，仅通过 Demo 订单等形式安排发运的设备共计 25 台， 占比 33.78%。其中已有 3 台 Demo 机台约定后续签约价格，7 台获取正式订单，2 台 完成验收，10 台等待验收后定价。Demo 机台验收周期平均 23 个月，有望后续通过 客户验证，实现销售。PECVD 设备方面，公司大腔室 NF-300H 系列正在产业化验 证；ALD 方面，公司 PE-ALD FT-300T 实现产业化应用，Thermal-ALD 新品 FT-300T 持续研发，大腔室 FT-300H 产品正在产业化验证。当前拓荆产品主要面向国内产线， 在中国台湾市场处于先进制程研发产线、试产线验证阶段，获得订单量较小，未来在 提高国内市场份额的同时，也将逐步拓展中国台湾市场。

公司订单规模大幅增长，客户的薄膜沉积设备销售预收款项形成了较大的合同 负债。2022Q1 合同负债 7.8 亿元，持续增长，表明公司在手订单充足。募投扩产，加强研发，未来市场份额有望进一步提升。公司 IPO 计划募资 10 亿 元用于以下四个项目：（1）高端半导体设备扩产项目，将在公司现有的半导体薄膜设 备研发和生产基地基础上进行二期洁净厂房建设、配套设施及生产自动化管理系统 建设。

（2）先进半导体设备的技术研发与改进项目，主要包括面向 28nm-10nm 制程 PECVD 设备的多种工艺型号开发、面向 10nm 以下制程 PECVD 设备的平台架构研 发及 UV Cure 系统设备研发。（3）ALD 设备研发与产业化项目，拟在上海临港新片 区购置整体厂房，建成后作为 ALD 产品研发及产业化基地，基于公司现有 ALD 设 备技术基础，开发面向 28nm-10nm 制程的 ALD 设备平台架构。（4）补充流动资金。 公司实际募资 22.73 亿元，未来市场份额有望进一步提升。

（本文仅供参考，不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息，请参阅报告原文。）

精选报告来源：【未来智库】未来智库 - 官方网站

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