3d nand书闪存将迎新周期，主控芯片Fabless德明利前景如何？ IPO见闻

发布时间 : 2025-05-03

作者 : 小编

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闪存将迎新周期，主控芯片Fabless德明利前景如何？ IPO见闻

闪存主控芯片厂商深圳市德明利技术股份有限公司（简称：德明利）日前递交深交所IPO申请，东莞证券为主承销商。

公司拟募资15.37亿元，募集的资金将主要用于3D NAND闪存主控芯片及移动存储模组解决方案技术改造及升级项目、SSD主控芯片技术开发、应用及产业化项目等。

全球存储卡市占率3.09%

招股书显示，德明利主要从事集成电路设计、研发及产业化应用，业务主要集中于闪存主控芯片设计、研发，存储模组产品应用方案的开发、优化，以及存储模组产品的销售。产品主要包括存储卡、存储盘、固态硬盘等存储模组。公司还在人机交互触控领域完成初步业务布局，目前已完成自研触摸控制芯片投片。

德明利存储模组产品主要由NAND Flash存储颗粒和闪存主控芯片组成。 闪存主控芯片主要是用于存储颗粒的存取控制、存储管理或与其他器件配合工作等作用的SoC芯片（系统级芯片），其对存储产品的性能、安全性、可靠性和使用寿命等有重要影响。闪存主控芯片一般需要配套相应的固件方案，固件方案为通过量产工具软件写入存储颗粒中由闪存主控芯片运行时调取使用的一系列程序、参数等，量产工具系产品量产过程中需要使用的辅助软件。闪存主控芯片与存储颗粒、PCB 板等必要的组件集成、封测后形成存储模组产品。

德明利自研闪存主控芯片、触控芯片等主要采用Fabless模式进行代工生产 ，即公司专注于从事集成电路的设计和产品销售环节，其余环节委托给芯片代工企业、封装和测试企业代工制造。

在盈利模式方面，德明利主要通过采购NAND Flash存储晶圆，将其与闪存主控芯片等进行封装、测试后形成存储模组，再将存储模组销售给下游品牌、厂家客户或渠道分销商赚取利润。NAND Flash价格以及存储晶圆利用率都对公司利润有巨大的影响。

NAND Flash产品价格的周期性波动特征较为明显 。2019年以来NAND Flash综合价格指数处于低位波动状态。公司表示，未来随着5G时代的到来，大量的数据存储需求出现，预计NAND Flash价格又将迎来新一轮上升周期。

在行业地位方面，根据中国闪存市场（CFM）数据推算，2020年公司在全球存储卡和存储盘等移动存储行业的市场占有率约为3.09%。存储卡产品销售数量约占全球存储卡销售总量的6.92%，存储卡和存储盘产品合计销售数量约占全球移动存储产品销售总量的5.86%。

外销比例较高、存储业务主要收入来源

财务方面，德明利2017—2019年和2020年1—6月公司营业收入分别为2.20亿元、7.50亿元、6.46万元和3.25亿元，扣除非经常性损益后归属于母公司所有者的净利润分别为711.98万元、4047.32万元、7278.84万元和2313.50万元，存储业务为公司营业收入的主要来源，人机交互业务尚处于前期市场开发阶段，收入占比相对较小。

公司外销占比较高，报告期内，公司外销收入金额分别占当期营业收入总额的85.05%、89.87%、88.99%和68.31%。

公司综合毛利率在同行处于中游水平。

人民币汇率波动对公司盈利有一定影响 。公司报告期各期汇兑损益的绝对值分别占当期利润总额的19.53%、19.63%、4.62%和0.89%。德明利表示，公司已不断平衡外币货币性资产及负债规模以降低汇兑损益对经营业绩的影响，但如果未来期间相关外币兑人民币的结算汇率发生较大幅度波动，公司仍将面临经营业绩受汇率波动影响较大的风险。

股权方面，公司董事长及总经理李虎及田华（二者系夫妻）为公司实控人，其中李虎手中股份占公司总股本的53.4816%，系公司控股股东。

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国产存储芯片发威！内存条价格杀疯了！果链惊现国产3D NAND

电子发烧友网报道（文/黄晶晶）根据 IC Insights 统计，2020年全球存储芯片市场规模达 1,267 亿美元，其中DRAM和NAND Flash市场规模较大，占比分别为53%和44%，NOR Flash 市场规模25亿美元，占比为2%，

当然，我们国产存储芯片在DRAM、NAND Flash、NOR Flash、EEPROM等芯片皆有涉足。并且，国产存储芯片的参与感尤其强烈。

把内存条价格拉下马

自2020年合肥长鑫存储的DRAM颗粒上市后，一些国产内存条厂商以其高性价比打入市场。

比如早几年，8GB DDR4 2400MHz内存条，采用国外DRAM颗粒，单条的价格都要600元。

而查阅最近的内存条价格，可以看到8G DDR4 2666MHz采用长鑫颗粒的内存条低至150元以下。

图源：长鑫存储

与长鑫存储合作的国产存储产品厂商包括了光威、朗科、金泰克、金百达、七彩虹等等。

虽然说DRAM芯片的价格随行就市，不过长鑫存储若要快速打进市场，以同性能产品但更低价格的策略，是必不可少的。

这也就能够直接拉低内存条的价格，让用户得到实惠。

国产闪存芯片进“果链”

最近长江存储的128层3D NAND打入苹果供应链的消息被媒体广泛报道。

消息称，长存的3D NAND预计最早将于5月开始少量出货。将应用在iPhone SE上面，同时，苹果今年秋季将推出的iPhone 14系列也有望采用长江存储的闪存芯片。

苹果供应链的采用，无疑是对长江存储3D NAND产品最有力的认可。

图源：长江存储

其实之前，兆易创新的NOR Flash就率先进入了苹果的供应链，成为苹果AirPods唯一的NOR Flash供应商。

的确，国产存储芯片从无到有，已经是市场上不可忽视的一股力量。

国产存储芯片的市场地位并不低

据此前报道，在2021年上半年长鑫存储的全球市占已经来到1%，排名第五，长江存储全球市占在2020年下半年达2%。DRAM、NAND Flash市场国产的占比还非常小，但已经取得突破。

而在Nor Flash方面，国产芯片的市场情况更好一些。兆易创新在2020年全球NOR Flash市场中市占率达到15.6%，排名第三，仅次于华邦和旺宏。恒烁半导体2020年NOR Flash 收入占市场规模比例为1.50%。

在NOR Flash市场，不仅有国内排名第一的兆易创新，还有东芯股份、普冉半导体、恒烁、芯天下、武汉新芯等厂商。

如果看最近上市比较积极的存储芯片厂商，有不少都是以NOR Flash为主营业务的。比如，普冉半导体NOR占比达71%，恒烁NOR占比达86.56%，此外东芯NOR业务有18.8%的占比。

另外，北京君正表示，2020年度公司SRAM、DRAM、Nor Flash产品收入在全球市场中分别位居第二位、第七位、第六位。

EEPROM方面，2020年聚辰股份EEPROM产品份额为国内第一、全球第三的供应商。国内EEPROM供应商还有上海贝岭、航顺等等。EEPROM的市场规模虽不大，但是国产化率相对较高。

除了存储芯片企业在上市，我们也看到存储模组厂商的上市进度在加快，江波龙、佰维存储都已准备上市，江波龙已在创业板上会通过，佰维存储科创板上市已受理，据悉时创意也有上市计划。这些存储模组厂商在国内都是比较靠前的厂商，并且竞争力也不容小觑。

与国际技术水平逐渐接近

放眼全球的竞争，在NOR Flash方面，此前行业内主流NOR Flash产品的工艺节点为65nm，旺宏48nm量产、华邦46nm量产，兆易创新也从65nm往55nm切换。2020年以来东芯、武汉新芯、恒烁、博雅等都实现了50nm/48nm的NOR Flash量产。国内技术水平与国际厂商差距不大，进入50nm时代国产NOR Flash的市场机会更大。

图源：恒烁招股书

3D NAND方面，长江存储的128层3D NAND已经量产，在量产进度上晚于三星、美光两年。美光在2022年1月宣布开始批量出货业界首款176层QLC NAND SSD。铠侠将在2022年至2023年期间将162层3D NAND作为其主流制造工艺。

而长江存储的下一代3D NAND据称是192层。当初从2018年到2020年，长江存储实现了从32层到64层再到128层的技术跃进，也就是说跳过了96层，这样就很快缩短了与国际厂商之间的技术代差。如今长存128层3D NAND量产大量出货，在192层3D NAND研发上与国际大厂的距离更接近。

那么长江存储在技术逐渐同步的时候，同样重要的就是更快速地扩大市场份额。

国产DRAM没有EUV光刻机之痛

根据台媒的报道，合肥长鑫存储将在今年二季度试产17nm工艺的DDR5内存芯片。目前合肥长鑫的17nm工艺DDR5内存芯片良率已经达到了40%。

长鑫存储于2018年研发国内首个8Gb DDR4芯片，2019年三季度成功量产19nm工艺的DDR4/LPDDR4/LPDDR4X芯片。

长鑫存储在2020年、2021年分别实现了4.5万片晶圆/月、6万片晶圆/月的产能目标。2022年的产能目标是12万片晶圆/月，与2021年相比实现翻倍。未来的产能目标是30万片晶圆/月。

长鑫存储未来规划将推出10nm制程的产品。

值得注意的是，现在，在DRAM芯片的生产上，一些存储芯片大厂陆续启用EUV光刻机。

例如，2021年7月SK海力士宣布，公司第一代使用EUV光刻机生产的DRAM正式量产。

据介绍，公司旗下第四代 10 纳米级（1a）制程8Gb LPDDR4 移动设备专用DRAM已经量产。作为SK海力士旗下首款采用EUV生产的DRAM，与上一代产品相比，新产品可以将使相同尺寸晶圆生产的 DRAM 芯片数量增加25%，并能将功耗降低20%。

2021年10月12日全球最大存储芯片制造商三星电子宣布,该公司开始使用极紫外光刻(EUV)技术批量生产业界最小的14纳米DRAM芯片。

此外，美光计划EUV光刻机设备要到2024 年才会投入生产线，首发将会用于1γ 的10 纳米级制程内存上。

也就是说，在DRAM芯片的角逐中EUV光刻机同样非常重要，对于国产芯片而言，没有EUV光刻机是一大硬伤。

小结：

国产存储芯片缺的可能不是技术，而是产品在市场中反复验证，快速规模化，获得更多市场，从而在与国际的竞争中拿到更多的话语权，定价权，同时还起到平衡供应链的稳定与弹性的作用。