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nand. 三星西安 NAND 工厂二期将在年内完工并投产，每月 13 万片晶圆

发布时间 : 2025-05-04

作者 : 小编

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三星西安 NAND 工厂二期将在年内完工并投产，每月 13 万片晶圆

IT之家 8 月 5 日消息据韩国媒体 BusinessKorea 消息，三星电子位于中国西安的工厂二期将于年内完工。该公司今年上半年已经投资了超过 4 万亿韩元（约 230 亿元人民币）用于安装设备，计划 2021 年内全面投产。

▲ 三星电子位于西安的工厂

中国有关部门的数据表示，三星电子上半年投资的金额约占计划投资的 108.5%，比原计划多了约 20 亿元人民币。

据IT之家了解，三星电子西安工厂是该公司目前唯一的海外 NAND 闪存芯片生产基地。三星于 2017 年便决定在西安建设第二家工厂，以应对全球日益增长的半导体需求。在这之后，三星电子便一直对该工厂进行投资，目标是赶在今年年内投产。2017 年，三星投资了 70 亿美元，2019 年 12 月追加投资了 80 亿美元。

三星电子在今年第二季度电话会议上表示，未来全球年度 NAND 闪存需求增长预计会达到 40% 左右，高于 DRAM 内存芯片的需求。此外，外媒还报道称三星正考虑追加对西安 NAND 工厂的投资，由此前的 150 亿美元增加到 200 亿美元左右（约 1292 亿元人民币）。

外媒表示，待三星二期工厂建成以后，其 NAND 芯片年产能预计会达到每月 13 万片晶圆。如果加上一期工厂的数据，月产能将高达 25 万片晶圆。截至目前，三星 NAND 芯片的全球市场份额达到了 33%，位居榜首。

2021 年上半年，三星电子在韩国以及海外的基础设施投资额达到了 23.3 万亿韩元（约 1314.12 亿元人民币），其中第二季度投资额为 13.6 万亿韩元，创下了季度投资的最高纪录。

英特尔和镁光分道扬镳：不再合作开发下一代3D NAND内存

【TechWeb报道】1月10日消息，据商业科技新闻网站ZDNet报道，英特尔和镁光宣布，停止合作开发下一代3D NAND内存。

在英特尔首席执行官布莱恩路科再奇（Brian Krzanich）在拉斯维加斯举行的消费电子产品展（CES）上发表主题演讲前，这条消息被宣布。

英特尔和镁光已经在NAND内存开发方面合作了12年，英特尔资助了部分开发成本，而镁光则从NAND的销售中获益。

英特尔利用这一合作伙伴关系，在芯片市场之外拓展了新的多元化产品，并将英特尔芯片与竞争对手区分开来。

然而，两家公司将继续合作完成第三代3D NAND技术的开发，该开发工作将会在今年年底结束。它们还会继续在犹他州的合资生产厂中联合开发和生产3D XPoint存储芯片。

镁光技术开发执行副总裁斯科特路德波尔（Scott DeBoer）表示：“镁光与英特尔的合作由来已久。在未来的NAND内存开发工作中，我们都有自己的发展道路，我们期待着继续与英特尔在其他项目上合作。我们对于3D NAND技术的开发路线很明确，我们打算以领先于行业的3D NAND技术为基础，将极具竞争力的产品推向市场。”

英特尔非易失性内存解决方案部门的总经理和高级副总裁罗布路克鲁克（Rob Crooke）表示：“英特尔和镁光的长期合作使双方受益匪浅。我们现在到了合作开发NAND的一个关键点，即两家公司现在是时候分道扬镳，去追寻各自的市场了。”

对于行业观察者来说，这两家公司分道扬镳并不让人感到惊讶，因为最近几年英特尔和镁光都建立了各自的生产厂。对于镁光的16纳米平面架构NAND工艺，英特尔不感兴趣，并已决定不投资这项技术。

英特尔和镁光一直专注于NAND市场的不同领域。虽然英特尔专注于提供自家的固态硬盘（SSD），但镁光提供固态硬盘和NAND芯片。（小狐狸）

本文源自TechWeb.com.cn

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