nand flash芯片32g报价年中已过，存储芯片Q3涨势如何？

发布时间 : 2025-05-12

作者 : 小编

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年中已过，存储芯片Q3涨势如何？

在这半年的时间里，存储芯片市场经历了多次价格波动。从年初的平稳开局，到随后的快速上涨，再到近期的波动调整，每一次价格变动都牵动着业界的神经。那么，这半年来存储芯片究竟涨价几何呢？

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机构预测和各原厂的涨价计划

根据集邦咨询数据显示，2024年第一季度，DRAM芯片合约价格上涨多达20%，NAND闪存则是上涨多达23%—28%。

近日，TrendForce还对第二季度存储产品价格作了最新预测，TrendForce表示存储芯片价格或将持续上涨，第二季度 DRAM合约价季涨幅将上修至13~18%；NAND Flash合约价季涨幅同步上修至约15~20%，延续了第一季度的强劲势头。

与此同时，各大原厂也在今年不断调整其价格策略。

今年年初，《中国台湾电子时报》报道，三星、美光两家存储芯片大厂计划将2024年一季度的DRAM芯片价格调涨15%-20%。NAND产品的价格在一季度也几番动荡，据悉，三星为恢复其存储芯片业务的盈利能力，计划将NAND闪存芯片价格提高至多20%。根据美光此前公布的截至2024年2月29日的2024财年第二财季报告显示，该季度其NAND Flash的平均价格涨幅超过了30%。

近日，供应链消息称，SK海力士将对旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等产品提价，涨幅均有15%-20%。据悉，海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。

今年4月，西部数据也向供应商发布了涨价通知函，宣布将在本季度继续对NAND Flash和HDD产品进行涨价。值得注意的是，去年12月，西部数据就曾对客户发出了涨价通知函，强调未来几个季度NAND Flash产品的价格将采取周期性调涨方式，预期累计将上涨55%。西部数据还指出，公司HDD产品会也每周审查定价，预计2024年上半年价格会上涨。铠侠近日发布的第一季度业绩报告显示，2024年一季度NAND Flash售价（以日元计算）较2023自然年四季度上涨了15-19%、为连续第三季呈现上涨。如果以美元计算的售价，环比增长20%左右。NAND Flash出货量则环比增长5-9%。接下来看看各类存储产品在市场中的具体表现。

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各类存储产品的涨价情况

随着市场需求的增长和供应紧张的持续，存储晶圆端的涨价品类正逐步增加，这种价格压力已经开始逐渐传导至成品端，对最终产品成本产生影响。

根据CFM数据显示，截至目前，大部分客户第二季度合约价格已经陆续落地。

其中，服务器市场受益于AI投资热潮，带动HBM、DDR5需求激增。 互联网厂商积极回补库存，对价格接受度相对较高。

企业级NAND方面，新制程产品仍在导入验证过程中，由于企业级产品验证周期较长，加上新制程工艺也需时间进行产能爬坡，预计到Q4甚至明年才能完全导入完成。因此，整体处于供不应求态势，终端客户对涨价也有预期，二季度涨幅达到25%-30%，至0.12美元/GB。

服务器DRAM方面，从DDR4向DDR5切换是大势所趋，DDR4产能释出必定逐渐减少。受益于来自AI服务器的新增需求，原厂正积极推动DDR5产能快速爬坡，扩大32Gb DDR5高容量颗粒供应，结合支持DDR5的新型处理器平台产能正在爬坡，在服务器端整体技术迭代和产品升级的趋势下，下半年DDR5服务器端渗透率有望超过50%。整体来看，二季度服务器DRAM涨幅有望达到10%-20%。

相较之下以PC、智能手机为代表的消费类市场，面对销量增长瓶颈与零部件成本压力，对价格敏感度极高。 嵌入式UFS合约价环比上涨5%-10%至0.070-0.075USD/GB；LPDDR4X合约价环比上涨3%-8%至0.27-0.28USD/Gb；LPDDR5X合约价环比涨幅为0-3%至0.29-0.30USD/Gb。

PC应用方面，在原厂产能调动及强势拉涨之下，头部PC终端尚可接受PCSSD10%-15%的涨幅，PCDRAM涨幅约10%，NANDASP主要落在0.065-0.070USD/GB之间。

可以看到，从价格涨幅看，消费类应用明显低于企业级。今年服务器市场复苏势头明确，尤其在AI服务器的带动下，高容量eSSD和DDR5备货需求增加，服务器端存储价格领涨。然而在消费类应用，智能手机与PC厂商普遍有一定库存水位，价格持续上扬使得拉货积极性显著下降。

体现到价格上，下表列出了几种主要存储产品在过去一年的产品涨价幅度：

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价格上涨的两大驱动因素

存储市场的价格持续上涨主要来源于供、需两方面。

首先，从供应端来看，2023年上半年存储行业整体处于下行区间，三星、SK海力士、美光、西部数据和铠侠等厂商纷纷宣布减少产能，厂商降低关于存储业务的资本性支出。各大厂商不约而同的减产计划促使存储周期提前，在存储需求不断扩大的前提下，存储芯片的价格得以上升，提前进入复苏周期。

其次，从需求端来看，经历了去年终端市场需求持续疲软后，消费电子市场在2024年迎来逐步复苏，存储器价格也开始呈现上升态势。此外，AI手机、AI PC的火热也给存储产品带来一定拉动作用。

中国闪存市场总经理邰炜指出，2024年的手机平均容量将超过200GB，内存也朝更高性能的LPDDR5x演进，今年手机DRAM的平均容量在7GB以上。观察市场现有AI手机的存储容量，vivoX90系列的内存为8GB、12GB，闪存最高为512GB，X100系列的内存提升至12GB、16GB，闪存最高为1TB；OPPOFindX7系列和OPPOFindX6系列的内存均为12GB、16GB两种规格，但前者的闪存最高达1TB，后者闪存最高为512GB；三星GalaxyS23系列内存为8GB，三星GalaxyS24系列内存有8GB、12GB两个规格。从整体来看，无论是内存还是闪存，AI手机的存储容量都在加大。

AI也是个人PC市场的新引擎，AI PC嵌入了AI芯片且支持本地化AI模型，需要更快的数据传输速度、更大的存储容量和带宽，32GLPDDR5x和1TBPCIe4.0SSD将迎来较好的应用。目前，英特尔、微软、华为、联想、戴尔、华硕等厂商已发布AI PC产品。但AI行业的分析师认为，市面上个别厂商的AI PC产品有噱头属性，因为PC的AI功能还处于初级阶段，“需要出现一款爆火的颠覆性应用，才会大幅推动AIPC的销量。”

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Q3价格或将再涨？

大摩最新研究报告调升了今年Q3的 DRAM和NAND芯片价格涨幅预期，由原预期8%和10%上调至13%和20%。在此情况下，市场对于存储产业的期待进一步拉升。

Q3本就是存储市场的传统旺季，因为即将迎来中国大陆国庆假期，以及双11、双12等购物活动，欧美感恩节、圣诞节等也将接踵而至，大部分市场商家均有备货和补货需求。

存储芯片产业界近日传来消息，通用型DRAM内存芯片可能面临供应短缺的局面。随着业界对高带宽存储（HBM）这类DRAM的大力投资，通用型DRAM的产能利用率相对较低，三星和SK海力士的产能利用率仅在80%到90%之间，与NAND闪存的全速生产形成鲜明对比。

与HBM DRAM相比，通用型DRAM指的是用于手机、PC的内存芯片，这一供应短缺的信号可能预示着DRAM内存芯片的价格上涨。

三星也计划Q3继续提高存储产品定价预计涨幅10%至15%。

美光科技在其最新发布的2024财年第三财季(3-5月)业绩报告中，预测2024年全年价格将继续上涨。本季度，美光DRAM收入47亿美元，占总收入69%，环比增长13%。DRAM Bit出货量环比下降中个位数百分比，DRAM ASP环比增长约20%。NAND收入21亿美元，占总收入30%，环比增长32%。NAND Bit出货量环比增长高个位数百分比，NAND ASP环比增长约20%。

不过，在存储下游的消费电子等产业需求并未完全回暖的情况下，这轮涨价并非利好所有产业链企业。据悉，部分细分领域存在需求端因不堪上游涨价而下降采购量的情况。从上表中的最新终端产品报价也可以看到，5月之后，SDD、内存条等产品售价存在明显下降趋势。

因此业界也有一些不同的声音，他们预测下半年的存储产品市场增长势头将趋于平缓。

北京君正在5月底调研时表示，去年存储芯片的毛利率36.48%，今年一季度也在36%以上，存储芯片毛利率较为稳定。消费类存储芯片最近价格上涨较多，这主要是由于去年消费类存储芯片降价幅度大，基本到了极限了，所以大厂通过限产等策略对产品价格进行保护。我们主要面向行业市场，存储芯片价格一直不算低，预计价格增长的可能性比较小，未来主要的增长还是来自量的增加。

慧荣科技CAS业务群资深副总段喜亭在今年3月下旬曾表示闪存的涨势在今年下半年会稍微平缓，然后整体涨势可能持续到明年第一季度-第二季度。而影响内存的变数比较多，预计今年下半年涨势可能放缓，主要看AI移到终端的速度是否够快。

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国产厂商迎来业绩拐点

据统计，万得存储器指数25只成分股2023年合计实现营收1456.53亿元，同比下降6.52个百分点；合计实现归母净利润14.43亿元，仅为2022年的20.40%。今年一季度，25只成分股合计实现营收342.02亿元，同比增长8.17%，合计实现归母净利润18.09亿元，同比增长127.26%。

在行业景气度快速恢复过程中，很多国产公司的业绩情况也得到了明显改善。据一季报数据，存储器指数25只成分股中，有16家公司今年一季度实现营收同比增长，实现70%以上增长的公司有9家，其中，佰维存储营收增长高达305.80%。

归母净利润方面，一季度实现100%增长的公司有12家，分别为澜起科技、德明利、普冉股份、协创数据、江波龙、佰维存储、兴森科技、中电兴发、全志科技、万润科技、华天科技、聚辰股份等。其中澜起科技以归母净利润同比增长1032.86%位居板块第一，而江波龙以实现3.84亿元归母净利润成为板块内最能赚钱的公司。

与业绩表现相对应的是，部分公司销售毛利率和销售净利率也得到了一定幅度的增长。销售毛利率方面，代表性公司江波龙今年一季度销售毛利率为24.39%，同比增加23.12个百分点，环比增加5.88个百分点，相比2023年报数值增加了16.2个百分点。此外，同有科技、佰维存储、德明利、上海新阳等公司一季度销售毛利率，无论是同比还是环比，也均有不错的提升。

经历一轮波动剧烈的存储行业下行周期后，产业链厂商正在为下一个高成长阶段蓄力，国产厂商更为如此。

根据摩根士丹利的最新报告，全球内存市场在2025年将迎来一次前所未有的供需失衡，2025年HBM的供应不足率将达到11%，而整个DRAM市场的供应不足率将高达23%。这意味着，2025年全球存储芯片，尤其是HBM、服务器DRAM和超高密度QLC固态硬盘价格预计将大幅上涨。

因此，对于那些已经在行业中展现出强劲竞争力和良好业绩的国产公司来说，这无疑是一个重要的机遇。他们有望借助这一市场趋势，进一步扩大市场份额，实现更快速的发展。

存储芯片下半年价格走势及未来技术方向

截至2024年Q2，存储行业仍在上行周期，整条产业链生机勃勃。在多重因素的影响下，存储芯片下半年的价格将如何演变，存储技术的未来又指向何方？ 过去三个季度，存储行业的表现不负众望。从去年Q3起，存储芯片价格下跌幅度收窄，Q4部分存储产品合约价上升，2024年Q1存储产品全面复苏，截至2024年Q2，存储行业仍在上行周期，整条产业链生机勃勃。存储芯片的周期性非常强，技术创新和产品迭代、产能扩张和收缩、下游应用需求变化，都会导致芯片价格波动。存储原厂为了抓住市场机会，需针对性地进行布局。在多重因素的影响下，存储芯片的价格将如何演变，存储技术的未来又指向何方？

2024年下半年存储芯片的价格走向 由于存储芯片价格连连下跌，2023年几大存储原厂出现集体亏损，亏损预估达破纪录的50亿美元。Gartner报告显示，2023年全球存储器市场规模下降37%，成为半导体市场中下降最大的细分领域。在存储市场供过于求，上游出现库存积压时，存储原厂可通过降价、减产等手段来调控存库存水位。减产和降价是一套组合拳，每当销售价格接近生产成本时，原厂会加大减产力度，直至带动存储芯片价格上涨。 2022年Q4起，铠侠、美光科技、SK海力士、西部数据等存储大厂陆续启动减产、调整供给的举措。紧接着，2023年上半年三星也加入了减产的行列，到去年9月，其NAND Flash的产量削减至总产能的50%，这主要集中在128层堆叠以下产品。在存储原厂共同的努力下，NAND Flash(闪存)和DRAM(内存)的合约价分别于去年Q3和Q4止跌。到今年Q1全线存储产品已经复苏，DRAM合约价格上涨20%，NAND涨幅达23%-28%。市调机构TrendForce先前预计，DRAM在今年Q2会小幅上涨3%-8%，NAND上涨13%-18%，但在5月上旬又修正了Q2的数据，DRAM预计上涨13%-18%，NAND预计上涨15%-20%。该机构还指出，今年4月3日的“花莲地震”是一个转折点。震前，DRAM和NAND上涨动力稍显不足，其现货价格和交易量均已持续走低。但震后，PC厂商开始接受DRAM、NAND合约价的大涨价，一直到今年4月底，新一轮合约价谈判陆续完成，其价格涨幅超过预期。 2024年下半年，存储芯片的价格走向将如何？因为闪存原厂在前年和去年急速减产，慧荣科技CAS业务群资深副总段喜亭在去年10月下旬接受《国际电子商情》采访时预测称，闪存价格在2024年下半年可能会拉得很高。但未曾想该趋势在今年上半年就开始浮现，他在今年3月下旬针对这一预测补充表示，闪存的涨势在今年下半年会稍微平缓，然后整体涨势可能持续到明年Q1-Q2。而影响内存的变数比较多，预计今年下半年涨势可能放缓，主要看AI移到终端的速度是否够快。根据他的观点，高性能SSD可以减少内存的用量，但这不会在今年下半年马上发生，所以内存的需求量依旧比较大，内存的涨价趋势完全看AI在手机、PC上是否有取得巨大成功。

存储需求“回春”拉动新周期 除了供应端调整库存的措施之外，需求端的“回春”也在拉动新周期到来。犹记得，新冠疫情初期的在线学习/办公需求，推动了移动上网设备的销售量，到如今这些设备已经陆续进入换机周期。 2023年Q4，全球个人电脑和智能手机销量结束了持续下跌的趋势。Canalys数据显示：2023年Q4，个人电脑出货量同比增长3%，智能手机出货量同比增长8%；2024年Q1，台式机和笔记本电脑的总出货量增长3.2%，智能手机出货量同比增长11%。智能手机、个人电脑销量的增加，一定程度上推动了对存储的需求。 HBM(高带宽存储器)的走红也是一个积极因素。由于HBM支持GPU与CPU之间的高速数据传输，其应用场景集中在高性能服务器的GPU显存，小部分应用于CPU内存芯片。去年上半年，HBM则乘着GPU的东风狂涨500%。但因HBM技术门槛高，出货量到现在也不算大。从HBM竞争格局来看，SK海力士和三星的优势明显——SK海力士约占50%份额，三星约占40%的份额，美光占比不足10%。 AI技术在数据中心领域落地一年多后，开始下沉到边缘和终端设备中。高通在去年10月发布了第三代骁龙8平台，支持终端侧运行100亿参数的模型，联发科去年11月发布了天玑9300，支持10亿至330亿参数的AI大模型。这两款芯片面向70亿参数大语言模型的端侧推理，均可以做到每秒20 token(自然语言模型处理文本的最小单位)，可实现AI即时同传翻译、AI整理笔记、AI智能通话、图像AIGC消除、闪速抠图等功能。如今，有多家智能手机厂商发布了AI手机，包括vivo X100系列、OPPO Find X7系列、荣耀Magic 6系列、三星Galaxy S24系列、小米14 Ultra系列、魅族21 PRO系列、一加Ace 3V系列、真我12 Pro系列、华为Pura70系列等。这些AI手机对存储提出了更高的要求，以满足高数据传输速率和低时延需求。中国闪存市场总经理邰炜指出，2024年的手机平均容量将超过200GB，内存也朝更高性能的LPDDR5x演进，今年手机DRAM的平均容量在7GB以上。观察市场现有AI手机的存储容量，vivo X90系列的内存为8GB、12GB，闪存最高为512GB，X100系列的内存提升至12GB、16GB，闪存最高为1TB；OPPO Find X7系列和OPPO Find X6系列的内存均为12GB、16GB两种规格，但前者的闪存最高达1TB，后者闪存最高为512GB；三星Galaxy S23系列内存为8GB，三星Galaxy S24系列内存有8GB、12GB两个规格。从整体来看，无论是内存还是闪存，AI手机的存储容量都在加大。 AI也是个人PC市场的新引擎，AI PC嵌入了AI芯片且支持本地化AI模型，需要更快的数据传输速度、更大的存储容量和带宽，32G LPDDR5x和1TB PCIe 4.0 SSD将迎来较好的应用。目前，英特尔、微软、华为、联想、戴尔、华硕等厂商已发布AI PC产品。但AI行业的分析师认为，市面上个别厂商的AI PC产品有噱头属性，因为PC的AI功能还处于初级阶段，“需要出现一款爆火的颠覆性应用，才会大幅推动AI PC的销量。” 以上与AI相关的应用场景，均能推动更多的存储需求，它们是存储厂商关注的重点。比如，考虑到芯片内大语言模型的需求，三星正在研发一款采用UFS 4.0技术的新产品，其通道数量将从2路提升至4路，顺序读取速度将达8GB/s，新品预计在2025年实现量产。另外，JEDEC(固态技术协会)将在今年Q3最终确定LPDDR6内存规格，将提升低功耗设备性能，三星和SK海力士有望率先量产LPDDR6产品。

存储技术未来的发展方向 据中国闪存市场的预测，存储行业受益于行业回暖，先进技术和新兴市场应用等因素的推动，预计2024年存储市场规模至少将提升42%。在存储总产量上，NAND Flash将超过8,000亿GB当量，较去年增长20%；DRAM将达到2,370亿GB当量，预计增长15%。随着去年Q3存储行业迎来拐点，存储原厂的利润率也在逐渐得到改善，SK海力士在去年Q4就已经恢复盈利。从上市企业2024年Q1季报中，可以看到许多存储企业的业绩大增，企业利润率也得到了相应提升。与此同时，存储原厂也在发力高利润产品线，积极推进新技术的发展。本文聚焦DRAM和NAND Flash这两类产品。 （1）NAND升级方向：扩展容量和降低成本 NAND Flash主要朝着扩展容量和降低成本两个方向发展。而市场对闪存容量的追求，可细分为纵向扩容、逻辑扩容、横向扩容。纵向扩容体现在存储原厂发力更高堆叠的产品，大家正朝着300层NAND推进。代表厂商包括三星、美光、西部数据、铠侠、长江存储、SK海力士等。从SLC、MLC、TLC、QLC到PLC的演进是逻辑扩容，每个单元存储的数据越来越大，以便SSD可保存更多的数据。生成式AI推动服务器存储需求激增，2024年QLC闪存的商用进度加快，比如三星128TB原型SSD基于QLC打造。横向扩容在每一层增加了更多的存储容量。这增加了每一层的孔隙的密度，以达到更大单位比特的容量，是探讨未来新技术、新制程时候要关注的方向。闪存堆叠层数的增加也推动混合键合(Hybrid Bonding)技术成为主流架构，混合键合主要有两种使用方式：第一种是晶圆到晶圆，用于CIS和NAND；另一种是裸片到晶圆混合键合，对于HBM很有意义。具体操作是优化周边的逻辑电路和存储单元之间的分布关系，比如从CNA和CUA到CBA(外围电路直接键合到存储阵列)，未来可能还有多层键合的场景。 （2）第六代1c制程DRAM即将量产 DRAM进入到10nm制程时代以来，已从1x、1y、1z、1α演进到1β(第五代)。三星、SK海力士、美光在去年完成了1β的研发，现在正陆续量产1β DRAM产品。此外，被寄予厚望的三星第六代1c 制程的DRAM也将于1至2年内量产。 2023年AI服务器迅猛增长也带动HBM、DDR5需求增加。各大原厂为了满足市场需求，正加快先进DRAM产品推出速度。随着支持DDR5第二子代内存产品的主流服务器CPU上市，今年下半年5,600 MT/S速率将进入主流市场。 AI服务器也推动了128GB/256GB内存模组的需求，这些高容量模组又受限于封测厂的TSV产能。所幸的是，存储原厂将在今年内推出32Gb单Die，使得128GB内存模组无需采用TSV工艺，将推动128GB产品进入服务器主流市场。此外，今年上半年CXL进入了实用阶段、HBM3e开始量产，这也将推动服务器内存大升级。

小结除了AI相关的应用之外，汽车也是推动存储需求的主力应用。伴随L3及以上级别自动汽车商用，对车规存储的性能和容量要求也更大，单车存储容量很快将进入TB时代。 AI市场也会下沉到汽车中，对车规存储也提出更严格的要求。智能手机、个人电脑、服务器、电动汽车……只要是AI能够触达的应用场景，都将能看到更多新形态的存储产品。

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存储芯片下半年价格走势及未来技术方向

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