NAND FLASH的速度「Computex 2018」NVMe M2 SSD速度快出新高度-报价-上海羊羽卓进出口贸易有限公司

NAND FLASH的速度「Computex 2018」NVMe M2 SSD速度快出新高度

发布时间 : 2025-05-17

作者 : 小编

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「Computex 2018」NVMe M2 SSD速度快出新高度

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如果你为了提高平台性能已经更换了新的主板、CPU，不搭配一款NVMe M.2 SSD一定会遗憾的。毕竟，这样小巧的一款设备所蕴藏的能量是其他硬盘设备所不能比拟的。如今直接买NVMe M.2 SSD比选购SATA3.0 SSD更具性价比，毕竟NVMe M.2 SSD成为存储市场的主流选择，在今年台北电脑展上，厂商推出了不少新品，我们以前来看看。

读取超过6500MB/s的SSD你见过吗？

在这次电脑展上，板卡厂商推出的新主板对M.2接口的优化更加完善，也促进了M.2SSD的尽快普及。相比SATA3.0 SSD速度提升数倍，现在说NVMe M.2 SSD即将全面占领市场也不为过。在浦科特与其他合作伙伴推出的联合展台上，我们就看到一款震惊业界的SSD新品。

相信有不少网友都在今年电脑展浦科特展台看到了这个测试成绩，小狮子在看到这个结果之后着实也吓了一跳。浦科特首度揭露已将SSD读写极限，推进至惊人的连续读取6500MB/s、连续写入5000 MB/s全新境界。根据浦科特搭建的平台实测展示，采用此技术的M9Pe Extreme，能巨幅提升SSD数据传送效能，满足需要处理大量影音内容、缩短转档与传输时间的高阶影像工作者，以及动画剪辑师、影音绘图人员与电影制作公司。

浦科特与Marvell长期合作，提供创新SSD储存解决方案。此次突破传输记录的技术展示，再次证明整合Marvell NevoX芯片组与Plextor的储存系统专业知识，将能帮助客户跨越世代，实现巨量数据快速传输的目标。虽然说这款产品普通消费者可能用不到，也买不起，但这样的实力确实是让人震惊的。（千万别问我价格是多少，因为我不想知道，只想直接把机器抱走！）

除了单款极速SSD的展示之外，存储厂商也推出了不少组建RAID系统的高端平台。西部数据就在COMPUTEX 2018展会上用8个NVMe SSD“西部数据 Black 3D NVMe SSD”，以RAID方式形成的高速存储平台。这个平台是由4块西部数据 Black 3D NVMe SSD连接到华硕的SSD RAID卡中，两张转接卡插满并组成的8TB RAID系统。原本1TB 西部数据 Black 3D NVMe SSD可以达到连续读取速度为3,400MB/s，写入速度为2,800MB/s，这个8TB的阵列系统读取速度为19GB/s，写入速度为11GB/s的惊人数字。

从入门级到旗舰级SSD，满足用户需求才是王道

金士顿UV500极大提升了系统的响应速度，在启动、程序加载和文件传输速度上的表现也非常优异。UV500支持256比特的AES硬件为基础的加密功能，能够保护用户的重要数据，并支持TCG Opal 2.0。该产品提供三种不同的尺寸和接口（2.5英寸SATA接口、M.2 2280和mSATA）可以满足各种平台的要求。UV500提供120GB、240GB、480GB、960GB和1920GB的容量选项，因此无论作为系统盘还是存储盘都是非常完美的选择。金士顿采用这样灵活的设计，不得不说考虑得很周到。

威刚展台现场屏幕正在测试一款M.2 SSD的性能，我们可以清楚地看到这款产品连续读取速度达到2151MB/s，连续写入速度达到1474MB/s，这样的成绩应对日常工作学习完全没问题。

除了入门级NVMe SSD的选择以外，威刚此次展示重点为全新PCIe SSD及新一代企业级SSD储存解决方案。全新SX8200 PCIe SSD应用最新一代3D NAND Flash，读写速度高达每秒3200/1700 MB/s。领先业界推出新型NGSFF (New Generation Small Form Factor) SSD，可支持更大容量、热插入、双端口配置、电源断电功能，提升服务器应用需求。

同时威刚还推出了支持混合材料应用的PCIe界面U.2 /AIC form factor SSD，高达11TB 储存容量，4K随机效能可达1M IOPS，同时整合自主开发的调整超容量快取功能(scalable over-provisioning) 之软件，让终端客户可依不同大数据服务器应用进行调整，优化SSD使用寿命。

NVMe SSD做盘体的移动硬盘也不逊色

除了在电脑平台上WD G-DRIVE mobile Pro SSD有500GB和1TB两个可选容量，内置NVMe传输协议的SSD作为存储介质，采用Thunderbolt 3技术，能够在不到7分钟的时间内随时随地传输多达1TB的内容，持续传输速率高达2800MB/s，也可以全画面播放和编辑多流8K影像素材，绝对是工作室及创意工作者首选。

另外，在耐用、抗震问题上，WD G-DRIVE mobile Pro SSD提供抗震储存装置，3公尺跌落保护1000磅抗压碎等级，且设计使用精选元件应变出行途中严苛的环境。同时，因为产品内有保护性铝核心有助于防止过热，以维持持续高效能等级，而自订的外壳在使用中时可让硬盘隔热，以避免热量传递到设备外部。5年保固让消费者更安心。

写在最后：NVMe M.2 SSD将全面占领存储市场

从今年台北电脑展存储厂商的新品发布可以充分证明NVMe M.2 SSD占领市场的决心。从入门级到旗舰级，再到工业级选择，都有你能找到的产品，速度层层提高，满足不同用户的使用需求。今年SSD市场价格也在逐渐下调，相信大家很快都能用上属于自己的那一块NVMe M.2 SSD。

小狮子最喜欢的鸡腿分割线

闪存芯片NOR Flash、NAND Flash傻傻分不清楚 ICMAX帮你搞定

通过前天的文章介绍，我们知道eMMC 是 Flash Memory 的一类，eMMC的内部组成是NAND flash+主控IC，那什么是Flash Memory、NOR Flash、NAND Flash，宏旺半导体就和大家好好捋一捋它们几者之间的关系。

Flash Memory 是一种非易失性的存储器。在嵌入式系统中通常用于存放系统、应用和数据等。在 PC 系统中，则主要用在固态硬盘以及主板 BIOS 中。另外，绝大部分的 U 盘、SDCard 等移动存储设备也都是使用 Flash Memory 作为存储介质。

1. Flash Memory 的主要特性

与传统的硬盘存储器相比，Flash Memory 具有质量轻、能耗低、体积小、抗震能力强等的优点，但也有不少局限性，主要如下：

需要先擦除再写入

Flash Memory 写入数据时有一定的限制，它只能将当前为 1 的比特改写为 0，而无法将已经为 0 的比特改写为 1，只有在擦除的操作中，才能把整块的比特改写为 1。

块擦除次数有限

Flash Memory 的每个数据块都有擦除次数的限制（十万到百万次不等），擦写超过一定次数后，该数据块将无法可靠存储数据，成为坏块。

为了最大化的延长 Flash Memory 的寿命，在软件上需要做擦写均衡（Wear Leveling），通过分散写入、动态映射等手段均衡使用各个数据块。同时，软件还需要进行坏块管理（Bad Block Management，BBM），标识坏块，不让坏块参与数据存储。（注：除了擦写导致的坏块外，Flash Memory 在生产过程也会产生坏块，即固有坏块。）

读写干扰

由于硬件实现上的物理特性，Flash Memory 在进行读写操作时，有可能会导致邻近的其他比特发生位翻转，导致数据异常，这种异常可以通过重新擦除来恢复，Flash Memory 应用中通常会使用 ECC 等算法进行错误检测和数据修正。

电荷泄漏

存储在 Flash Memory 存储单元的电荷，如果长期没有使用，会发生电荷泄漏，导致数据错误，不过这个时间比较长，一般十年左右，此种异常是非永久性的，重新擦除可以恢复。

2. NOR Flash 和 NAND Flash

根据硬件上存储原理的不同，Flash Memory 主要可以分为 NOR Flash 和 NAND Flash 两类。主要的差异如下所示：

· NAND Flash 读取速度与 NOR Flash 相近，根据接口的不同有所差异；

· NAND Flash 的写入速度比 NOR Flash 快很多；

· NAND Flash 的擦除速度比 NOR Flash 快很多；

· NAND Flash 最大擦次数比 NOR Flash 多；

· NOR Flash 支持片上执行，可以在上面直接运行代码；

· NOR Flash 软件驱动比 NAND Flash 简单；

· NOR Flash 可以随机按字节读取数据，NAND Flash 需要按块进行读取。

· 大容量下 NAND Flash 比 NOR Flash 成本要低很多，体积也更小；

（注：NOR Flash 和 NAND Flash 的擦除都是按块块进行的，执行一个擦除或者写入操作时，NOR Flash 大约需要 5s，而 NAND Flash 通常不超过 4ms。）

2.1 NOR Flash

NOR Flash 根据与 CPU 端接口的不同，可以分为 Parallel NOR Flash 和 Serial NOR Flash 两类。

Parallel NOR Flash 可以接入到 Host 的 SRAM/DRAM Controller 上，所存储的内容可以直接映射到 CPU 地址空间，不需要拷贝到 RAM 中即可被 CPU 访问，因而支持片上执行。Serial NOR Flash 的成本比 Parallel NOR Flash 低，主要通过 SPI 接口与 Host 连接。

图片： Parallel NOR Flash 与 Serial NOR Flash

鉴于 NOR Flash 擦写速度慢，成本高等特性，NOR Flash 主要应用于小容量、内容更新少的场景，例如 PC 主板 BIOS、路由器系统存储等。

2.2 NAND Flash

NAND Flash 需要通过专门的 NFI（NAND Flash Interface）与 Host 端进行通信，如下图所示：

图片：NAND Flash Interface

NAND Flash 根据每个存储单元内存储比特个数的不同，可以分为 SLC（Single-Level Cell）、MLC（Multi-Level Cell）和 TLC（Triple-Level Cell）三类。其中，在一个存储单元中，SLC 可以存储 1 个比特，MLC 可以存储 2 个比特，TLC 则可以存储 3 个比特。

NAND Flash 的一个存储单元内部，是通过不同的电压等级，来表示其所存储的信息的。在 SLC 中，存储单元的电压被分为两个等级，分别表示 0 和 1 两个状态，即 1 个比特。在 MLC 中，存储单元的电压则被分为 4 个等级，分别表示 00 01 10 11 四个状态，即 2 个比特位。同理，在 TLC 中，存储单元的电压被分为 8 个等级，存储 3 个比特信息。

图片： SLC、MLC 与 TLC

NAND Flash 的单个存储单元存储的比特位越多，读写性能会越差，寿命也越短，但是成本会更低。下图中，给出了特定工艺和技术水平下的成本和寿命数据。

相比于 NOR Flash，NAND Flash 写入性能好，大容量下成本低。目前，绝大部分手机和平板等移动设备中所使用的 eMMC 内部的 Flash Memory 都属于 NAND Flash，PC 中的固态硬盘中也是使用 NAND Flash。

3. Raw Flash 和 Managed Flash

由于 Flash Memory 存在按块擦写、擦写次数的限制、读写干扰、电荷泄露等的局限，为了最大程度的发挥 Flash Memory 的价值，通常需要有一个特殊的软件层次，实现坏块管理、擦写均衡、ECC、垃圾回收等的功能，这一个软件层次称为 FTL（Flash Translation Layer）。

在具体实现中，根据 FTL 所在的位置的不同，可以把 Flash Memory 分为 Raw Flash 和 Managed Flash 两类。

图片： Raw Flash 和 Managed Flash

Raw Flash

在此类应用中，在 Host 端通常有专门的 FTL 或者 Flash 文件系统来实现坏块管理、擦写均衡等的功能。Host 端的软件复杂度较高，但是整体方案的成本较低，常用于价格敏感的嵌入式产品中。通常我们所说的 NOR Flash 和 NAND Flash 都属于这类型。

Managed Flash

Managed Flash 在其内部集成了 Flash Controller，用于完成擦写均衡、坏块管理、ECC校验等功能。相比于直接将 Flash 接入到 Host 端，Managed Flash 屏蔽了 Flash 的物理特性，对 Host 提供标准化的接口，可以减少 Host 端软件的复杂度，让 Host 端专注于上层业务，省去对 Flash 进行特殊的处理。eMMC、SD Card、UFS、U 盘等产品是属于 Managed Flash 这一类。

看完这篇文章，相信对Flash memory都会有一个全面的了解，无论是其原理，还是NOR Flash 和 NAND Flash、Raw Flash 和 Managed Flash 之间的异同，欢迎关注宏旺半导体，会持续带来存储领域更专业的文章。

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