三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求

【三大存储器厂今年NAND资本支出不增反减 Q3 NAND Flash或供过于求】《科创板日报》26日讯，随着HBM高价产品贡献获利的快速成长，带动产能排挤及产业供需改善，各家存储器原厂2024年陆续重启资本支出进行投资。业界初估，三大存储器供应商的重心聚焦HBM及高价DRAM，尽管企业级储存需求强劲，但NAND Flash市场仍存在供过于求隐忧，相较于过去两年，三星电子、SK海力士及美光今年对NAND Flash资本投资不增反减。NAND Flash报价逐季走扬，各家原厂下半年的产能全面恢复正常水位，但市场估计，第三季NAND Flash或微幅供过于求，而NAND Flash价格上涨也将趋于平缓。（台湾电子时报）

三星DRAM、NAND供不应求，2024 Q3将涨价15%以上

日前，据韩国《每日经济新闻》报道，三星计划在今年三季度将把DRAM、NAND芯片的价格上调15%-20%。而这一消息已经得到了业内人士的证实，确认三星电子近期已向戴尔、惠与(HPE)在内的主要客户通报了这一涨价计划。

据CFM闪存市场公布的数据显示，2024 Q1三星NAND市场份额达到了35.6%，排名第一；DRAM市场份额为42.5%，同样排名第一。

受益于全球AI需求强劲增长，服务器eSSD、DDR5及HBM需求始终保持旺盛。加上半导体行业是供应商主导的市场，而且三星占据了巨大的市场份额，最终的谈判涨幅将会高于15%。

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