铠侠目标2031年推出1000层NAND闪存，重组存储级内存业务

IT之家 4 月 7 日消息，据日经 xTECH 报道，铠侠 CTO 宫岛英史在近日举办的第 71 届日本应用物理学会春季学术演讲会上表示该企业目标 2030~2031 年推出 1000 层的 3D NAND 闪存，并对存储级内存（SCM）业务进行了重组。

铠侠与西部数据携手开发 NAND 闪存技术，目前这对合作伙伴最先进的产品是 218 层堆叠的 BICS8 3D 闪存。BICS8 闪存可实现 3200MT/s的 I / O 速率。

另一家主要 NAND 企业三星在 2022 年的技术日上提出了类似的观点，当时三星预测到 2030 年实现 1000+ 层堆叠的 3D NAND 闪存。

提升堆叠层数是提升单颗 3D NAND 闪存颗粒容量的主要途径。然而在层数提升的过程中，在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着深宽比的增高逐渐加大。

除高难度和低良率外，高深宽比蚀刻也是一项耗时耗财的工艺：目前每次这种蚀刻约需要 1 小时，NAND 原厂若想提升产能，则必须购进更多的蚀刻机台。

因此铠侠在 BICS8 中使用了双堆栈工艺，分开实现两个 NAND 堆栈的垂直通道蚀刻。

此举虽然额外增添了在双堆栈间通道的麻烦，但整体而言还是降低了难度。未来千层堆叠 NAND 闪存有望包含更多个 NAND 堆栈。

此外宫岛英史还表示，相较于同时运营 NAND 和 DRAM 的竞争对手，铠侠在业务丰富程度上面处于竞争劣势，因此有必要培育存储级内存（SCM）等新型存储产品业务。

这位 CTO 称，在 AI 热潮下，DRAM 同 NAND 之间的性能差距正在拉大，而 SCM 可填补这一空白。

铠侠于 4 月 1 日将此前的“存储器技术研究实验室”重组为“先进技术研究实验室”。其 SCM 研究将集中在 MRAM、FeRAM、ReRAM 等新型内存上，有望于 2~3 年内出货。

参考IT之家报道，铠侠之前在 SCM 领域主要聚焦 XL-FLASH 闪存方案。该企业于 2022 年推出了可支持 MLC 模式的第二代 XL-FLASH。

消息称SK海力士测试东京电子低温蚀刻技术，有望简化闪存生产

IT之家 5 月 7 日消息，据韩媒 The Elec 报道，SK 海力士正向东京电子（TEL）发送测试晶圆，以测试后者的低温蚀刻设备，有望在未来 NAND 闪存生产中导入。

目前，提升堆叠层数是提升单颗 3D NAND 闪存颗粒容量的主要途径。然而在层数提升的过程中，在闪存颗粒中蚀刻垂直通道的难度随着深宽比的增高逐渐加大，速度也随之降低。

厂商不得不考虑将整体 NAND 闪存分割为多个闪存堆栈制造，之后将各个堆栈键合为一体。不过多堆栈结构在键合过程中引入了对齐等新问题，性能、能效也有所下降。

东京电子的新型低温蚀刻设备工作环境温度为-70℃，明显低于现有蚀刻设备的 0~30℃。

参考IT之家去年报道，新设备可在 33 分钟内蚀刻 10 微米，比现有设备快 3 倍以上；

同时东京电子的低温蚀刻设备采用氟化氢（HF）气体，相较传统系统使用的氟碳化物气体拥有较低的温室效应，更为环保。

▲ 低温蚀刻效果。图源东京电子新闻稿

SK 海力士官宣的最新一代 321 层 NAND 闪存采用了三堆栈结构。业内人士预计，如果东京电子的低温蚀刻设备效果良好，未来 400 + 层闪存产品有望将堆栈数量降低到 2 乃至 1。

在另一方面，SK 海力士的主要竞争对手之一三星电子则是导入该工具的演示版本对低温蚀刻进行评估。

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