芯片知识：DRAM与NAND区别

我们常听到内存芯片，比如DRAM、NAND等，这两种有什么区别呢？

1、DRAM全名动态随机存取存储器，只能短时间保存数据。为了保存数据，DRAM使用电容存储，所以必须每隔一段时间刷新一次。如果存储单元没有被刷新，存储的信息将会丢失。(关机时数据会丢失)。

2、NAND闪存是一种比硬盘更好的驱动器，是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据，其目标是降低每比特的存储成本，提高存储容量。

存储器市场NAND、DRAM此消彼长？

近期，韩国《京乡新闻》引用半导体业界消息表示，随着对人工智能服务器领域投资的扩大，对高带宽存储器（HBM）、DDR5等高附加值DRAM的需求不断增加。与之相反，NAND市场需求持续萎缩。

这一背景下，已经有存储厂商将减产重点落在NAND领域。

SK海力士在最新财报中表示，与DRAM库存去化速度相比，NAND闪存的去库存速度相较缓慢，因此决定扩大NAND产品的减产规模。

三星电子存储事业部执行副总裁Jaejune Kim在财报电话会议上提到，三星将延长减产行动，并对包括NAND闪存芯片在内的某些产品进行额外的产量调整。

当然，眼下的艰难不意味着NAND未来没有发展前景。长远来看，随着AI、大数据等技术发展，催生大容量存储产品需求，包括SSD在内的NAND Flash仍将大有可为。因此，存储大厂同样在不遗余力布局NAND Flash堆叠技术，以图未来。

目前NAND Flash已经突破200层堆叠大关，SK海力士已开始量产238层4D NAND闪存。未来存储厂商将持续发力更高层数NAND Flash，美光232层之后，计划推出2YY、3XX与4XX等更高层数产品；铠侠与西数也在积极探索300层以上、400层以上与500层以上的3D NAND技术；三星则计划2024年推出第九代3D NAND（有望达到280层），2025-2026年推出第十代3D NAND(有望达到430层），2030年前实现1000层NAND Flash。

相关问答

1、DRAM(DynamicRandomAccessMemory),即动态随机存取存储器。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必须隔一段时间刷新(....

DRAM(DynamicRandomAccessMemory),即动态随机存取存储器,最为常见的系统内存。DRAM只能将数据保持很短的时间。为了保持数据,DRAM使用电容存储,所以必...

DRAM和NAND芯片都是指存储芯片,常用于电子设备中。DRAM是动态随机存储器(DynamicRandomAccessMemory)的缩写,是一种常用的内存芯片。DRAM能够快速读写数...

一般快闪记忆体可分为二大规格,一是NAND,一是NOR.简单的来说,NAND规格快闪记忆体像硬碟,以储存数据为主,又称为DataFlash,晶片容量大,目前主流容量已达...

重要,DRAM是最普遍的存储芯片,在电子产品中发挥着至关重要的作用,它们用于在PC和服务器中存储信息,可以暂时保存系统处理器使用的信息。另一个存储芯片的主...

micron和海力士区别在于性能不同。micron显存和海力士显存相比,肯定是micron显存更好。micron是高级半导体解决方案的全球领先供应商之一,通过全球化的运营,...

现如今,电子行业、芯片制造行业,行业分工早已形成,应该说设备有国产的、也有进口的,比如光刻机10nm以下的全部依赖进口。不过我国的刻蚀机还是很历害的现如今...

简言之,RAM与DRAM的关系就是RAM包含DRAM,RAM分SRAM与DRAM,前者是静态RAM,不需要刷新,速度快,容量小,造价高,老式计算机使用。后者是动态RAM,要进行...

近日,恒烁半导体推出了一款面向物联网应用的50nm/128Mb高速低功耗NORFlash存储芯片,具有很强的成本和性能优势,力争在该市场中站稳脚跟,迎接IoT时代的真正爆...

华为又遭三星和SK海力士断供,存储芯片只能寻求国内替代方案,韩国媒体《朝鲜日报》在近日发表文章称,三星电子和海力士因为美国制裁计划于9月15日起暂停与华为...