影驰ONE 240GB SSD总写入7155TB！TLC寿命延长一半

板卡存储大厂影驰宣布，旗下ONE 240GB SSD固态盘历时3个半月、持续109天的考验，顺利完成了耐久度测试，数据总写入量达到715.5TB，期间无任何数据出错。

我们知道，NAND闪存有写入寿命的限制，准确的说应该是有擦写次数的限制。由于闪存在写入前必须先擦除，所以擦除次数就跟写入数据量联系起来。

SLC、MLC、TLC、QLC一路下来，随着闪存技术的发展，不同规格的闪存写入寿命其实是在倒退的，这就对主控和硬盘长寿的设计保护能力都提出了更高考验。

目前的3D TLC闪存颗粒的擦写次数在2000P/E左右，这意味着一个240GB的固态硬盘，最多只能可以写入480TB的数据量，而影驰ONE 240GB达到了715.5TB，算下来使用寿命已经接近3000 P/E，比同等级产品高出了50％。

715.5TB意味着什么？

按照一个人一天工作8小时计算，需要读写的数据一般在10-60GB之间，那么理论上写满715.5TB的数据最快也得33年，长则可达200年。

当然，固态硬盘的读写原理决定了写入放大必然存在，但是这样的寿命满足用户5年以上的高强度读写需求是非常轻松的。

据悉，影驰ONE系列SSD坚持只采用东芝原厂闪存晶圆 ，保障颗粒纯净性，并经过严格测试和筛选，久耐用。

同时作为群聊电子在中国大陆唯一的战略合作伙伴 ，影驰在主控方面拥有强大的技术支持。ONE 240GB搭载的是群联PS3111-S11主控 ，集合了SECC、Guaranteed Flush、静态和动态磨损平衡等9项黑科技。

影驰ONE 240GB SSD目前售价为329元。

NAND Flash误码的原因

NAND Flash的物理存储机制决定了其本身发生错误是不可避免的。错误的原因包括工作环境（温度影响较大），工艺水平，工作原理等。

NAND Flash存储数据的最小单元是cell，实际是一个MOS，每个cell依据其内部电荷量来表征数据信息。随着工艺的进步，cell越来越小，其内部的电荷量也越来越少，出错的可能变得越来越大。例如34nm的工艺每个cell可存储100个电子，而19nm的时候只能存储10个电子，因此每流失一个电子都会对阈值电压产生重要影响。同时较近的距离也会让各个存储单元之间更容易产生影响。

错误会在下面几种情况下产生：1，擦除操作；2，读取干扰；3，编程干扰；4，数据保持发生错误。

读取/编程干扰主要是因为对目标cell进行读写操作对相邻cell产生了影响，从而导致相邻cell数据出现错误。

数据保持错误是因为长时间的电荷量变化引起的阈值电压偏移导致的。

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