为什么TLC闪存SSD遭嫌？关于NAND闪存的二三事

虽然内存和SSD还是涨个不停，但是我们的生活还得继续，该买的时候还是躲不过的

以前不少人觉得，知道主控就是可以大概知道SSD的性能。其实这是错误的，影响SSD跑分以及使用体验的主要是三者---主控，闪存，算法，这三者可以说是SSD木桶三块最重要的木板。当然了，我觉得重要的还有两块，一块叫做价格，另外一块叫做口碑。

其实，从上古时期就有品牌，一样的SF2281主控，根据不一样的闪存进行定位划分。主控相当于主教练。光他不行，还得队员，老板给力。瓜迪奥拉带巴萨是欧冠冠军，带拜仁是欧冠四强，带曼城估计是英超四强左右。

闪存对于SSD来说，不仅仅是速度，关键还有寿命。

首先，闪存分三大类--SLC，MLC，TLC

上图为Intel SSD 311，5颗SLC闪存组成20GB容量。这个是SNB架构时代专为智能响应打造的SSD

SLC，Single-Level Cell 单层单元，即1bit/cell。SLC的特点是成本高、容量小、速度快。PE可以达到10万次。上古时代的SSD，U盘会用。现在基本上很少碰到（后续有特例，敬请继续阅读）

上图为英睿达MX100 256GB固态硬盘，采用镁光16nm MLC颗粒

MLC = Multi-Level Cell，即2bit/cell，速度一般寿命一般，价格一般，约3000---10000次擦写寿命。后期很多MLC已经剩下3000PE左右。

上图为三星840EVO，19nm TLC闪存。三星的SSD，从主控，缓存，SSD都全三星，仅有他具备这一招的条件。intel，东芝，镁光（英睿达），闪迪（工厂是和东芝合资）主控只能是第三方的

TLC = Trinary-Level Cell，即3bit/cell，也有Flash厂家叫8LC，速度慢寿命短，价格便宜，约500-1000次擦写寿命

基本上来说，现在SLC已经绝迹，MLC产品甚少，TLC是最推。个人建议，64G-128G左右容量的SSD，尽量买MLC的，哪怕二线品牌；256以上买TLC可以忍，但是不建议二线，最好还是售后比较方便的

去年，单位买SSD，我先后推荐了数块intel 535当时，不少地方已经说535缺货，推荐换540.但是535是MLC闪存，540是TLC，最终我还是坚持535

并不是为intel贴金，一方面是intel品控口碑不错，大家比较认；第二方面，单位的东西，跑分不管，关键是售后。

早期SSK的U盘，同一个型号有TLC和MLC两种，不少人收到TLC版本要求退货

首先推荐一个国产软件，ChipGenius芯片精灵。基本上所有闪存产品都可以检测。U盘，SSD都可以检测。我是国产软件狂热推荐者，大家有啥好玩的国产软件，都请推荐给我玩玩：）

国内的软件开发者不容易，请大家尽量支持一下吧

一般，看U盘就是用这个软件看的。这是上古的金士顿2.0 U盘，主控一芯，闪存是镁光MLC

现在常见的U盘主控为银灿，群联，闪存TLC已经越来越多了

并不是特意去黑TLC，而是我更加倾向于寿命和速度更强的MLC

补充一下，PE擦写次数。

Flash P/E：表示Flash闪存的可擦写次数。原意是可以编程（即写入）/擦出的循环的次数，也就是耐用度，单位是次数。通常，34nm SLC的可擦写次数是10万次，而34nm MLC的可擦写次数是5000次，相差20倍；25nm SLC的可擦写次数是6万次，而25nm MLC的可擦写次数为3000次，相差也是20倍。

固态硬盘的寿命，分为Flash寿命和实际寿命。Flash寿命主要取决于Flash闪存的理论寿命、主控和每日写入两等因素，实际寿命则可能因为任何元器件的破坏而结束。

TLC主要问题在于PE次数少。

打个比方，SLC闪存的20G SSD，PE是100000次，理论上写入寿命是20X100000，两百万GB的写入寿命，换算就是1800TB的写入量，一部1080P电影达到10GB，够你浪20万次，估计你早已经是豆瓣网资深宗师

MLC闪存的120GB SSD，PE是5000次，理论上写入寿命是120X5000，六十万GB，约等于586TB写入量。一部1080P电影容量10GB，六万部电影，估计你已经可以点评各位老师的演技了

TLC闪存的480GB SSD，PE是500次，理论上写入寿命是480X500，二十四万GB，约等于234TB的写入量。一部1080P电影容量10GB，两万四千部电影，足够你把华语电影看了大半

当然，这个只是理论值。实际上写入寿命并不是PE可以完全说明的。上面的理论计算，其实是想说，当SSD容量增大，可以弥补PE次数不足的问题。

这个就是为什么我买16GB SSK TLC闪存USB3.0 U盘坚持要换，480GB TLC闪存 SSD可以忍

如果，你不是我这种疯狂的下载狂（我日常是笔记本，笔记本三块SSD，合计容量256X3。可惜是看过过千电影，却没有写出一篇能看的影评）.纯系统和单机游戏的话，120GB正常使用，绝对无忧。如果是LOL一类电竞游戏，一次更新按照4GB计算，也不会有太大压力。

相对而言，更加应该关心的是口碑。部分三线品牌，甚至某些曾经的一线品牌出现过白片，黑片事件。其实，说到底，还是成本的问题

我们再次绕到很扯的理论去。我尽量用我翻译的语言说说

如上图，这就是晶圆，一般有6英寸、8英寸及12英寸规格不等，晶片就是基于这个晶圆生产出来的。晶圆上一个小块，一个小块，就是晶片晶圆体，也名Die，经过封装之后就成为一个闪存颗粒。

晶圆生产出来之然，首先经过切割，切割成一个一个的晶片Die，然后测试，将完好的，稳定的，足容量的Die取下，封装成为日常所见的NAND Flash闪存芯片。

像切割玻璃块一样，总是会剩下一些边边角角的“角料”，没法使用的。如上图，那被抠走的一部分，就是黑色部分，是合格Die，留下来那些Die，要不是不稳定，要不容量不足，要不部分损坏，要不完全损坏的，原厂考虑到质量保证，会宣布这种die死亡，严格定义为废品全部报废处理。

原片，品质，合格率都过关，经过原厂严格检测，封装才出厂，都打着原厂LOGO。

Intel、美光、三星、海力士、东芝、闪迪， 其中Intel与美光有合资厂，东芝与闪迪也有合资厂，三星与海力士则是单干，SSD所采用的闪存是不是原厂芯片 ，看看是否有原厂LOGO就知道。

什么是黑片

黑片不是原厂封装的，是下游厂商自己封装，所以外观看起来就很粗糙，而且往往不打标。 很多廉价的MP3、U盘，即采用黑片制作，现在也流向SSD市场。

在原厂中，黑片是规定要淘汰掉，不能流入SSD市场。但是，利益的驱使，让这些黑片从不同渠道流入市场，这种当垃圾处理掉的废品，价格会非常低，工厂里都是按照吨计算。

这些黑片会流向哪里呢？一些山寨SSD厂商，拿到这些SSD拆开一看，连个闪存的编码都没有。搜索一下淘宝，很多这种黑心厂商，SSD卖价格非常便宜，实则绝大部分闪存用得都是黑片。这种SSD不建议大家购买，使用一段时间，各种问题，掉速比较严重，稳定性差，反正出问题都是大问题，足够烦人。

那什么又是白片：

那麼“白片”又是什麼呢？ 其实 白片就是封装后的原片中再检测到有瑕疵的颗粒，然后淘汰下来的垃圾。 原厂的NAND中是不能有白片的。 但晶圆厂为了回收一部分制造成本，也会将未打标的颗粒白片给下游渠道，然后这些渠道再将白片上打上其他标识。

说到这里，大家应该知道，为什么有一些品牌SSD闪存芯片上打上自家的LOGO，而非原厂LOGO。像上面图看到，SSD所采用的闪存打上的自家LOGO，说明是采用的是白片。

当然，也并非所有的厂商，打上自家LOGO都是白片，比如金士顿。在颗粒来源方面，金士顿除了直接向上游厂商采购晶圆成品，也通过力成科技（PTI）等正规封测厂对采购来的整块晶圆进行切割封装及测试，并打上Kingston自己的Logo，意味着这并不是白片。

黑片是在原料阶段就被淘汰的部分，白片则是成品后再检测不合格的瑕疵品。虽然有瑕疵，但不可完全浪费掉，在这里面又有一个产业链，也就是晶片行业的废品回收再利用。

从质量上说，黑片NAND是很糟糕的，因为原厂就已经给其判了死刑，只是下游厂将其缩减容量后卖出，也就是阉割，但质量还是很差，购买这种颗粒也等同於赌博。白片NAND的品质还是有一定保证，再经过筛选，那麼在性能与寿命的指标就比较接近原片了。

现在不少厂商选择白片，一来，原厂没有那么大产能供应；二来，价格优势，选择有保障的白片NAND，虽然售出的SSD返修率偏高，凭藉价格优势，有一定的销量。

说白了，原片是最保障的，白片要看品牌自己的良心，黑片就甭说良心了

2010年，某品牌SSD因为黑片事件，几乎挂了。后来卖身到东瀛

2014年左右，某品牌出现送测以及KOL评测的产品和实际销售的不一样。之后出现洗地，强行把各大网站上面拆解部分强行删除（部分编辑不知道是良心还是疏忽，前后文字眼还保留了拆解，内部结构）

至于品牌推荐？因为工作关系，以及亲友，用过，买过的品牌非常多，intel，ocz，威刚，东芝，浦科特，，建兴，金士顿，台电，创见，三星均有接触。整体来说质量满意，两个SSD暴毙，一个出现不认盘，两个出现不规则蓝屏，黑屏。与我的基数比较，这些只能说是个案

个人建议是，不需要过分看跑分。某些TLC闪存SSD的跑分优化技术非常出色，但是写入到达一部分以后就暴降；不要过分迷信大品牌，某些品牌技术力量不错，就是偶然间又出现各种奇葩事件；不要过于追求低价，淘宝上面卖的一些三线品牌，价格美如画，但是内部是什么就不敢说了。

闪存还有同步模式和异步模式。简单来说，前者快，对品控要求高，价格也贵一点；后者是速度，价格都低。实际上同步与异步闪存都是同一生产线上下来的，颗粒品质的优劣才产生了这样的区别。比如英特尔29F64G08AAME1颗粒属于异步闪存，而英特尔29F32B08JCME2则支持同步/异步模式，又如镁光的29F64G08CBAAA是异步闪存，而29F64G08CBAAB颗粒支持同步/异步模式。

有条件，尽量选择同步MLC芯片的SSD。不要把重要资料放在SSD和U盘，尤其前者，数据恢复的难度是一般diy不具备的

开车最重要的是速度，车技，漂移，我倒是觉得，只要安全就好了

短命纯系谣言？TLC闪存SSD耐久测试报告

为期5个月的TLC SSD耐久测试正式告一段落，六块SSD测试数据写入量均已达到400TB，折合擦除次数也已经达到2000PE，已经超过了标准TLC NAND闪存的一倍，测试六块SSD无一挂掉，测试一路上的忐忑心理也终于平静了下来，毕竟测试的每一块SSD要做到无时无刻的监控，确实是一场浩大的工程。当然TLC SSD测试除了耐久性能，耐久写入后期的读写性能也是至关重要的点，下面就跟随笔者一起来梳理测试六款SSD的详细表现。

在这里还是再回顾下六块测试SSD的型号：三星850 EVO 250GB、影驰战将240GB、OCZ Trion 150 240GB、金泰克T-ONE 240GB、东芝Q300 240GB、建兴智速240GB，除了三星850 EVO容量为250GB，其余产品容量均为240GB。在这里说明下：实际写入量一致的情况下，三星850 EVO 250GB SSD磨损要略低于其余五款产品。

首先来分析的是实际平均写入速率，毕竟SSD的实际应用就是各种复杂情况下读写数据，这些状态下数据写入并不会像测试SSD Benchmark那样数据很漂亮，这次的耐久测试，笔者就有深刻的体会，在同样写入相同数据的情况下，一些SSD几乎只耗费了另外一些SSD一半的时间就完成了阶段性写入工作，而剩下的时候就只能暂停等待其它SSD数据写入完成。

完成400TB耐久写入量

基于此本次就以Anvil's Storage Utilities Endurance Test从200TB-400TB这一段作为标准来统计六款SSD的平均写入速率。由于Anvil's Storage Utilities Endurance Test平均速率统计的是全局写入时间，这些时间包括SSD的每轮数据写入、数据删除以及预设10秒钟的间隔时间，所以实际这些写入速率是要低于SSD的真实持久写入速率的。当然正是由于耐久测试设计到写入、删除以及闲置等状况，才更加贴合用户的实际使用习惯。

上面的表格是测试六款SSD的平均写入速率，其中三星850 EVO 250GB最快--132.76MB/s，从200TB-400TB写入耗时为426.57小时，也是最短的。而建兴智速240GB则是最慢--49.70MB/s，耗时为1144.13小时。其余的影驰战将240GB、OCZ Trion 150 240GB、金泰克T-ONE 240GB、东芝Q300 240GB四款产品平均写入速率分别为51.54MB/s、59.97MB/s、69.20MB/s和67.58MB/s。

TLC耐久写入后性能趋势

随着SSD的不断写入数据，SSD除了变得不稳定，另一个现象就是SSD的性能会不断下滑，本次测试使用CrystalDiskMark记录每个阶段的SSD性能变化趋势，另外为了避免SLC Cache的干预作用，本次测试还附加了30GB区块成绩的测试作为参考。

首先是标准1GB区块的测试成绩，最大读写性能方面，除了建兴智速240GB最大读取速率从560.7MB/s下降到548.8MB/s以外，其余五块SSD最大读取性能基本保持不变，当然即使是建兴智速240GB SSD也仅仅只是下降了2.1%，基本可以忽略不计。

写入性能自然是重点，除了最大写入性能的下滑，几款产品的性能差异也非常明显，光从账面数据来看三星850 EVO 250GB和OCZ Trion 150 240GB处于第一梯队，除了性能好，降速也非常微弱；第二梯队的影驰铁甲战将240GB、东芝Q300 240GB、建兴智速240GB初始最大写入性能基本相差不大，但随着耐久写入的推进，三款产品性能都出现了显著下滑，其中建兴智速240GB下降最为明显，从472.7MB/s下降至395.5MB/s，下降幅度为16.3%。第三梯队的金泰克T-ONE 240GB，初始性能最低但是挺稳定，随着耐久写入的推进，性能下降则非常微弱。

动真格！30GB区块测试验证耐久写入性能走势

由于TLC SSD普遍采用了SLC Cache加速，为了避免作弊嫌疑，下面的测试右加入了30GB超大区块的读写，最大程度削弱SLC Cache加速的作用。（备注：30GB超大区块读写开始并没有作为测试项目，为后来追加，所以就没有了SSD 0写入初始状态的成绩）

还是先来看看最大读取性能，32GB测试区块下，6块SSD性能相对1GB区块变化不大，只有建兴智速240GB SSD出现了一定的数据差异，从550MB/s降至500MB/s的水准。而在耐久写入后期，六款SSD的性能倒是表现非常平稳，性能下降都非常微弱。

最后还是来看看，32GB区块的最大写入性能，启用32GB区块后，不得不说很多SSD的性能都露馅了，正如潮退了，才知道谁在裸泳一样。

真实写入性能方面，不得不说六款产品差异非常明显，性能最高的三星850 EVO 250GB有520MB/s左右的最大写入性能，而性能最低的影驰战将240GB只有100MB/s的最大写入性能，差异非常明显。

耐久写入方面，六款SSD中三星850 EVO 250GB、金泰克T-ONE 240GB、东芝Q300 240GB和影驰战将240GB随耐久写入的推进，最大写入性能非常稳定，基本没有变化，倒是东芝Q300 240GB还出现了略微的上涨。

性能下降比较明显的是建兴智速240GB和OCZ Trion 150 240GB两款产品，其中建兴智速240GB从初始的299.5MB/s下降至239.1MB/s，下降幅度为20.2%；另外一款OCZ Trion 150 240GB也从182.5MB/s下降至129.4MB/s，下降幅度为29.1%。

全文小结：

上面的四张表格浓缩了六款TLC SSD耐久写入性能的变化趋势以及自身的实际性能表现，不得不说同是TLC SSD，性能差异非常迥异，而在持续耐久写入后的性能走势上也是千差万别。好了废话也不多说了，一切尽在上面的四张表格中！

相关问答

[回答]针对此前BusinessKorea报道的iPhone6和iPhonePlus128GB高容量版本出现宕机和循环重启的问题,有消息人士称,苹果将会改用MLC(多阶储存单元)取代...

NAND闪存从SLC到MLC再到TLC,可以说一步步降低了成本,提升了容量,这是它们得以普及的关键。现在QLC闪存在这一年中发展迅猛,大有抢TLC风头的意味,而更渣的PLC...N...

nand颗粒好。NAND闪存颗粒,是闪存家族的一员,最早由日立公司于1989年研制并推向市场,由于NAND闪存颗粒有着功耗更低、价格更低和性能更佳等诸多优点,成为了...

3DTLC和3DNAND都是新一代的闪存技术,但它们的差异在于存储单元的结构和存储密度。3DTLC(三位三级单元)闪存使用三位存储单元来存储三个比特(bit),而3D...

没有,依旧是TLC和MLC同时使用,而且同一批次同一天生产的iPhone也有TLC和MLC,NAND送到富士康或者昌硕后都是随机上SMT贴片的,不单独区分TLC和MLC,也就说你能...

slc相比tlc成本高很多,现在的3d-nand理论有1500pe寿命,256g的3d-nand固态硬盘理论写入量375tb,每天写入100g,按照一年365天算,可以用10.5年,家用绝对够用。现...

用认真的态度与专业的情怀倾注于存储,欢迎关注我,与我交流哦!有时候,我们满心欢喜给自己的爱机换上了一块固态硬盘,可是,在拷贝文件的时候发现速度不是很...4K...

金百达KP230Pro是一款功能强大的热敏打印机,具有高速打印、高效节能、打印质量高等优点。其打印速度可达300mm/s,支持自动切纸和手动撕纸两种方式,可以满足不...

3DNAND颗粒相比TLC颗粒具有更高的存储密度和更长的寿命。3DNAND颗粒采用了垂直堆叠的技术,可以在同样大小的芯片上存储更多的数据,减少了物理空间的占用,同...

TLCNAND颗粒。TLC英文名称:Triple-LevelCell,在架构上来看,不同类型的储存介质架构都相差不大,仅仅是在一个储存单元储存不同数值的数据。正是因为TLC储存...