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nand芯片硬拷贝终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：传输速度提升一倍

发布时间 : 2025-05-02

作者 : 小编

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终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：传输速度提升一倍

从本月开始，各家厂商将会陆续发布PCIe 5.0 SSD固态盘，同时带来更多新技术和优惠。近日，三星官方宣布开始量产236层3D NAND闪存芯片，并将其命名为第8代V-NAND。

（图片来源：三星电子官方网站）

据小雷了解，新一代存储芯片能够达到2400MTps的传输速度，相比上一代提升了1.2倍，可以制造传输速度超过12GBps的消费级SSD。据介绍，第8代V-NAND可以提供1Tb（128GB）的方案，三星电子没有公布IC的实际密度，不过他们称其是业界最高的比特密度。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

目前三星官方还未发布实际的产品，不过距离新品发布已经不远了。值得一提的是，虽然存储容量变得更大，但是第8代V-NAND的厚度依旧控制在合理水平，封装512GB容量也不会超过0.8mm。

与目前同容量的闪存芯片相比，第8代V-NAND的单晶生产率提高了20%，能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。单晶生产率的提升意味着生产成本进一步降低，后续大家或许可以买到相同容量下更便宜的固态硬盘。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

事实上，不只有三星一家，像东芝、西数、SK海力士等厂商都在大力研发3D NAND技术，以此来拉开与竞争者的差距，从而占据大部分市场份额。就目前而言，三星的3D NAND技术已经完成了全面领先，希望后续其他厂商能够加把劲，争取早日追上三星。

对想购买固态硬盘的用户来说，完全可以等等看，毕竟做等等党“永远不亏”，预计后面还会有更多新品上市。可以预见的是，存储厂商的“内卷”才刚刚开始，未来还会有更多容量大且便宜的固态硬盘。

（封面图来源：三星电子中国官方网站）

得益于Kioxia的1000层NAND计划SSD的大规模密度提升指日可待

突破密度瓶颈三维NAND存储即将迎来新纪元

在当今信息爆炸的时代,数据存储需求与日俱增。作为最重要的存储媒体之一,固态硬盘(SSD)的容量和性能正在不断提升,以满足不同应用场景的需求。日本存储巨头Kioxia最近公布了一个令业界瞩目的目标——到2027年实现3D NAND闪存堆叠高达1000层的实现。这一宏伟计划的成功将标志着SSD存储密度的又一次革命性突破。

回顾过去十年,3D NAND技术正在以惊人的速度发展。从2014年的24层到2022年的238层,仅用了不到10年的时间就实现了近10倍的增长。去年,韩国存储龙头企业SK Hynix更是展示了321层的1Tb TLC 4D NAND芯片样品,这足以证明3D NAND技术正在向着更高密度的方向不断突破。

然而,要从目前的数百层跨越到4位数级别的层数堆叠,显然并非一蹴而就。Kioxia提出的这一target虽然非常雄心勃勃,但需要在多个关键技术环节取得突破性进展,才能最终实现。下面让我们一起来分析一下这个目标背后所涉及的技术挑战与突破口。

首先要解决的就是3D NAND结构本身的局限性。随着层数不断增加,每一层都需要一个突出的边缘来实现存储单元之间的连接,从而形成一种类似楼梯的芯片结构。但这种结构会导致芯片占用面积的大幅增加,抵消了部分密度提升的效果。

为了解决这一问题,存储制造商需要在两个方向上着手:一方面是在垂直和水平方向上进一步缩小NAND单元尺寸,以减少楼梯结构占用的面积;另一方面是过渡到更高密度的QLC NAND技术,实现单个存储单元封装4bit数据,从而进一步提升单位面积的存储容量。

与此同时,随着层数的持续增加,信号传输通道的电阻和噪声问题也将日益凸显。如何设计出能够可靠传输高速信号的3D NAND结构,也是亟待解决的另一个技术难题。

这些技术障碍虽然并非不可克服,但Kioxia仍然需要在材料、工艺、设计等多个层面进行系统性的创新突破,才能最终实现1000层NAND的宏伟目标。当然,在财务投入方面也将是一个巨大的挑战,因为这需要制造商长期持续进行大规模的资本开支。

不过,即使在技术和成本两大关键因素面前Kioxia的目标看起来有些许遥不可及,但我们也不能忽视它背后所蕴含的重要意义。

首先,这个目标体现了存储行业正在进入一个新的创新周期。过去十年中,3D NAND技术的快速发展,极大地推动了SSD密度和性能的提升。但随着当前密度水平的进一步提升遇到瓶颈,业界亟需开辟新的突破口。Kioxia提出的1000层NAND目标,就是存储技术创新的又一个重要里程碑,必将引发行业内的广泛关注与集中攻关。

其次,这一目标的实现将带来SSD存储密度和性能的全新飞跃,进而推动整个存储生态系统的全面升级。一方面,更高密度的3D NAND将大幅降低SSD的制造成本,使其更加普及化,惠及广大消费者;另一方面,海量存储容量的SSD也将为数据密集型应用如人工智能、数据中心等领域提供更加强大的基础设施支撑。SSD的广泛应用将倒逼上游存储制造商持续改进技术,形成良性循环,推动整个存储生态的蓬勃发展。

再次,1000层NAND的目标实现还将推动存储产业在技术创新、制造工艺、产品设计等方面的全面升级。对Kioxia来说,这是一次巨大的技术挑战,需要在材料科学、微纳制造、信号传输等多个交叉学科领域取得重大突破。而这些创新成果,必将惠及整个存储行业,带动产业链的全面升级,并促进相关技术向更广泛的应用领域扩展。

总的来说,Kioxia提出的1000层NAND目标,无疑代表了存储技术发展的又一个重要里程碑。虽然实现这一目标充满挑战,但只要行业内各方通力合作,充分发挥各自的创新优势,相信终能打造出新一代高密度3D NAND存储技术,引领SSD进入新的发展纪元。未来,这一技术突破必将推动存储行业乃至整个ICT产业链的跨越式发展,让人类社会在信息化时代里获得更为丰富、高效的数字体验。

重塑SSD格局 Kioxia 1000层NAND蓝图如何实现?

正如前文所述,日本存储巨头Kioxia提出将在2027年实现3D NAND闪存堆叠高达1000层的雄心勃勃的目标,这无疑将掀起存储行业的新一轮革命。那么,这项技术突破究竟意味着什么?它背后蕴含了哪些关键的技术创新和产业变革?我们一起来探讨一下。

首先,1000层NAND的实现将彻底颠覆当前SSD的存储密度格局。目前主流的3D NAND芯片最高只能达到数百层的堆叠,而Kioxia的这一目标如果实现,将使得SSD的容量密度再次实现数倍甚至数十倍的跨越式提升。这意味着未来的SSD不仅可以拥有更加海量的存储容量,而且还能大幅降低单位容量的成本,进一步推动SSD在各类应用场景的普及。

对于消费电子市场而言,容量更大、性价比更高的SSD将极大地改善用户体验。大容量SSD不仅可以满足消费者对海量本地存储的需求,还能支持更加丰富的数字内容和应用,如4K/8K高清影音、大型游戏等。同时,成本的下降也将使得SSD的普及率不断提升,最终取代传统机械硬盘成为消费电子设备的标配。

而对于数据中心和云计算等企业级应用来说,1000层NAND的突破更是意义重大。海量的存储容量不仅可以大幅提升单个服务器的存储能力,降低整体的存储成本,还能够支撑新兴的数据密集型应用如人工智能、大数据分析等,为这些应用提供更加强大的基础设施。此外,高密度SSD还可以显著改善I/O性能,提升整体系统的计算效率,从而进一步推动企业数字化转型的加速。

那么,要实现这一宏大的1000层NAND目标,Kioxia需要在哪些关键技术领域取得创新突破呢?

首先是进一步缩小NAND单元尺寸,提升每单位面积的存储密度。前文提到,随着层数的增加,3D NAND芯片的楼梯状结构会占用大量的芯片面积,抵消部分密度提升效果。因此,Kioxia需要在材料科学和微纳制造工艺方面进行深入研究,通过创新的晶体管设计和制程技术,实现NAND单元尺寸的持续缩小。

其次是向更高密度的QLC NAND技术过渡。当前主流的TLC NAND每个存储单元可以存储3bit数据,而QLC NAND则可以达到4bit。这种技术的过渡不仅可以进一步提升单位面积的存储容量,还能够优化成本结构,为用户提供更加经济实惠的SSD产品。

此外,随着层数的不断增加,NAND芯片内部信号传输的电阻和噪声问题也将日益突出。Kioxia需要在芯片设计、电路架构等方面进行系统性的创新,确保高速信号的可靠传输,保证1000层NAND芯片的稳定工作。

这些技术突破的关键在于Kioxia能否整合材料科学、微纳制造、信号处理等跨学科的创新能力,并与产业链各方密切协作,共同推动技术的落地。毕竟,要从当前的数百层跨越到4位数级别的NAND层数,不仅需要单一制造商的孤军奋战,更需要整个存储产业链的通力合作。

我们相信,只要Kioxia能够在这些关键技术环节取得突破,并充分整合产业链资源,1000层NAND目标终将能够实现。这一技术里程碑的到来,将彻底改变SSD的存储格局,让消费者和企业都能够享受到前所未有的数字体验。未来,高密度SSD必将成为推动人工智能、云计算等新兴应用发展的关键基础设施,助力社会数字化转型再上新台阶。

终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：传输速度提升一倍

得益于Kioxia的1000层NAND计划SSD的大规模密度提升指日可待

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