终于快来了！三星量产第8代V-NAND闪存：传输速度提升一倍

从本月开始，各家厂商将会陆续发布PCIe 5.0 SSD固态盘，同时带来更多新技术和优惠。近日，三星官方宣布开始量产236层3D NAND闪存芯片，并将其命名为第8代V-NAND。

（图片来源：三星电子官方网站）

据小雷了解，新一代存储芯片能够达到2400MTps的传输速度，相比上一代提升了1.2倍，可以制造传输速度超过12GBps的消费级SSD。据介绍，第8代V-NAND可以提供1Tb（128GB）的方案，三星电子没有公布IC的实际密度，不过他们称其是业界最高的比特密度。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

目前三星官方还未发布实际的产品，不过距离新品发布已经不远了。值得一提的是，虽然存储容量变得更大，但是第8代V-NAND的厚度依旧控制在合理水平，封装512GB容量也不会超过0.8mm。

与目前同容量的闪存芯片相比，第8代V-NAND的单晶生产率提高了20%，能够满足PCIe 4.0甚至是PCIe 5.0的性能要求。单晶生产率的提升意味着生产成本进一步降低，后续大家或许可以买到相同容量下更便宜的固态硬盘。

（图片来源：三星电子中国官方网站）

事实上，不只有三星一家，像东芝、西数、SK海力士等厂商都在大力研发3D NAND技术，以此来拉开与竞争者的差距，从而占据大部分市场份额。就目前而言，三星的3D NAND技术已经完成了全面领先，希望后续其他厂商能够加把劲，争取早日追上三星。

对想购买固态硬盘的用户来说，完全可以等等看，毕竟做等等党“永远不亏”，预计后面还会有更多新品上市。可以预见的是，存储厂商的“内卷”才刚刚开始，未来还会有更多容量大且便宜的固态硬盘。

（封面图来源：三星电子中国官方网站）

苹果正在考虑在iPhone中使用QLC NAND闪存来增加存储容量

根据7月22日的市场研究报告，苹果公司正在考虑使用QLC NAND闪存来提高iPhone产品的存储容量，最早可能在2026年应用于其中。QLC NAND是一种四层单元的闪存技术，每个单元可以存储4bit数据，与TLC相比，其储存密度提高了33%。虽然QLC NAND适用于大容量应用和消费电子产品，但它的耐久度较低，并且通常需要100到1000次写入循环才能达到P/E Cycle（Program Erase Cycle）。

苹果公司已经在探索如何将NAND闪存用于语言模型存储而不是内存，这样就可以在本地运行更多的AI任务。因此，过渡到QLC NAND可能会改善Apple Intelligence的表现。

总结起来，在未来几年中，我们可能会看到更多iPhone和其他苹果产品使用高密度、低成本的QLC NAND闪存来提升其存储容量和性能。

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