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nand更新失败三星NAND正在面临严峻的挑战

发布时间 : 2025-06-08

作者 : 小编

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三星NAND正在面临严峻的挑战

众所周知，三星电子在NAND闪存芯片市场上一直保持领先地位，占有30％以上的份额。但是，由于竞争对手开始表现出更好的工艺，它们似乎在挑战三星的技术能力。

NAND闪存是一种非易失性存储技术，不需要电源即可保留数据。随着用于数据中心的IT设备和服务器需要更大的存储容量，尽可能多地堆叠薄层已成为NAND闪存芯片制造商的首要任务。

三星尚未公布其最新的NAND堆栈技术，该技术超越了其当前的128层芯片，而竞争对手如SK hynix，美光（Micron）和Kioxia都在争相展示前沿设计。这促使分析人士认为，存储芯片巨头可能正在失去其技术优势。去年11月，美国芯片制造商美光宣布开发出业界首款176层NAND闪存芯片。SK Hynix随后在12月发布了自己的176层芯片。

日本的Kioxia最近还宣布，它与Western Digital一起成功开发了162层3D NAND。他们说，新产品比以前的112层技术小40％，可以提供更高的密度和更低的读取延迟。

Objective Analysis的半导体行业分析师Jim Handy表示，三星在NAND闪存行业的领导地位不会很快改变，但他同意三星在堆叠更多层方面正在失去竞争力。“是的，三星落后于竞争对手。这并不是三星首次落后于NAND闪存竞争。我记得2012年，三星采用27纳米工艺的最不先进工艺，而其他所有人都在采用24纳米工艺或25纳米零件。”该分析师告诉《韩国时报》。

当被问及三星为什么尚未宣布其新的NAND闪存具有比162或176层更高的堆栈数量时，Handy指出，该公司过于依赖单平台技术，而其竞争对手将堆栈分为两层。

据我所知，拥有更高的堆栈是增加存储容量的最有效方法。三星一直在寻求一条更艰难的道路。三星通过使用单层方法增加了层数，而其他公司则迁移到了两层。从理论上讲，单个平台的生产成本应该较低，但是开发时间会更长，这似乎就是三星落后的原因。”

三星预计，随着更多智能手机的销售，今年对NAND芯片的需求将会增加，而长期的社会疏离措施也将推动笔记本电脑等IT设备的销售。为了满足服务器需求，今年数据中心还将越来越多地订购NAND芯片。

为了更好地与竞争对手竞争，三星公司还准备采用双层方法推出第七代V-NAND，该公司首席财务官崔允浩说。

“为了向您提供有关NAND的更新，我们的单堆栈第六代V-NAND已经完成了产能提升。今年，我们将扩大生产。在下一代产品中，第七代V -NAND，我们计划首次采用双堆栈，”崔在一月份告诉投资者。“这将为我们提供行业中最小的堆叠高度的优势。最重要的是，通过使用我们积累的单层堆叠技术知识，我们期望即使在多层堆叠的情况下也能保持出色的成本竞争力在第七代V-NAND上。”

尽管该公司有远见，但分析师表示，新方法能否使三星看到明显更好的结果还有待观察。

“开发单层设备比较困难，这减慢了三星的发展速度。三星表示将为其第七代V-NAND使用两层方法。由于三星尚未生产两层设备，因此，甲板上的NAND，它必须学习如何做其竞争对手已经非常了解的事情。”

但是他并没有改变他对三星将继续领导NAND市场的看法。“三星正在保持其市场份额的领先地位。这是该公司的主要重点，因此我认为这不会改变。在技术上，三星有时会领先，有时还会跟随。如今，该公司的NAND技术落后于某些竞争对手，分析师说。

分析师表示，毫无疑问，三星将保持其在NAND闪存业务中的领先地位，但从长远来看，对韩国公司最大的威胁可能是中国制造商长江存储。

YMTC去年宣布开发128层3D NAND，从而在存储芯片行业大放异彩。该公司并未正式宣布它有能力批量生产该产品，但是128层NAND的成功开发可能会增加其在该行业的占有率。

这位分析师表示，在中国管理者努力使中国成为芯片行业领导者之一的支持下，YMTC有望实现稳定增长。

他说：“三星在NAND闪存中最大的长期威胁是中国的YMTC。YMTC拥有令人难以置信的资本来筹集新的生产设施。” “只要该公司学习如何大量生产NAND闪存，它就会通过抢占其他NAND闪存制造商的市场份额而迅速增长。当这种情况发生时，我相信三星可能会失去其排名第一的地位。”

NAND闪存生变局？

随着供应商减产有效，存储芯片价格回升，半导体存储器市场终于开始走向回暖，从市场动态和需求变动来看，作为存储器两大产品之一的NAND闪存迎来新一轮变局。

供应商动静不断：涨价、调升产能利用率

NAND闪存芯片自去年第三季起开启反弹，已连续多月上涨。TrendForce集邦咨询认为，在面对2024年市场需求展望仍保守的前提下，芯片价格走势取决于供应商产能利用率情况。近期，NAND闪存产业链动态频频，部分厂商透露涨价意愿，或调升产能利用率。

主控芯片供应商慧荣科技总经理苟嘉章表示，NAND Flash第二季价格都已谈完，会涨价20%；第一季部分供应商开始获利，第二季后会让多数供应商赚钱。

群联CEO潘建成则认为，SSD固态硬盘进一步提价可能会严重降低市场需求，如果价格过高，需求将再次开始动摇，并建议NAND制造商停止减产，开始满足需求，而不是任由低供应和高需求抬高价格。

从产业链端看，三星西安工厂开工率大幅上行以及铠侠或调整减产计划。三星方面，据外媒《THE ELEC》报道，三星电子位于中国西安的NAND闪存厂开工率恢复到了70%左右。去年下半年，三星将该厂的开工率降低到了20~30%。这是该晶圆厂自2022年底存储芯片价格和需求开始下滑以来的最低点。

西安工厂是三星电子唯一处于韩国境外的存储半导体生产基地，月产能为20万片300mm晶圆，占三星整体NAND产量的40%。三星电子计划将其西安NAND闪存工厂升级到236层NAND工艺，并开始大规模扩张。据了解该公司将于2024年在西安工厂陆续引进可生产236层NAND的设备。

铠侠方面，该公司不久前表示将重新审视自2022年以来一直实施的电子设备存储介质闪存的减产计划，并增加产量。铠侠预计到今年3月，其NAND工厂的利用率将恢复到90%左右，具体取决于需求。

不过，TrendForce集邦咨询指出，先前预测2024年第一季NAND Flash合约价季涨幅约20~25%。虽然目前市场对第二季整体需求看法仍属保守，但NAND Flash供应商已在2023年第四季下旬，以及2024年第一季调升产能利用率，加上NAND Flash买方也早在第一季将陆续完成库存回补。因此，NAND Flash第二季合约价季涨幅将收敛至10~15%。

市场格局：三星仍霸榜，两大厂或合并

目前NAND闪存市场仍保持以五大厂为主的格局，其中三星和SK海力士占据了半壁江山。

据TrendForce集邦咨3月6日研究显示，在2023年第四季度NAND Flash市场中，三星（Samsung）仍稳坐首位，市占率较前一季度31.4%增长至36.6%；其次是SK集团（SK Group），市占率较前一季度20.2%增长至21.6%。之后依次是西部数据（Western Digital），市占率较前一季度16.9%下降至14.5%；铠侠（Kioxia），市占率较前一季度14.5%下降至12.6%；美光科技（Micron），市占率较前一季度12.5%下降至9.9%。

值得注意的是，西部数据计划与铠侠合并的事件自2021年至今仍未有结果。据市场透露消息，合并谈判受到某竞争对手的反对，而导致终止。日媒此前指出，双方可能将在4月下旬重启合并协商。另据外媒引援知情人士说法称，贝恩资本正与相关公司洽谈，寻求重启西部数据与铠侠的合并谈判。据悉双方拟合并后，将创建一家控制全球NAND闪存市场三分之一的公司。

若合并成功，西部数据计划与铠侠新建的公司将占有超过30%的市占率，NAND闪存市场格局将发生变动。

近期，西部数据又有所动作。3月5日，西部数据宣布，在NAND Flash业务拆分后，将保留原名，专注经营核心HDD业务，并表示这一分拆过程有望在2024年下半年完成。根据公布内容，现任西部数据全球运营执行副总裁Irving Tan将出任剩下的独立HD公司的CEO，继续以西部数据的身份运营。现任CEO David Goeckeler则受命转往NAND Flash部门成立的新公司，出任新公司执行长。

西部数据将剥离一直面临供应过剩问题的NAND Flash业务的消息一经公布，引起业界热衷讨论。不过该公司认为，此举有望加速创新并带来新的增长机会。同时，由于资本结构独立，与统一的公司相比，两个实体的运营效率将更高。

展望：Q1 NAND Flash产业营收或季增两成

从产业营收看，TrendForce集邦咨询最新研究指出，2023年第四季NAND Flash产业营收达114.9亿美元，季增24.5%。主要受惠于终端需求因年终促销回温，加上零部件市场因追价而扩大订单动能，位元出货较去年同期旺盛；同时企业方面持续释出2024年需求表现优于2023年的看法，且启动策略备货带动。

展望2024年第一季，TrendForce集邦咨询认为，在供应链库存水位已大幅改善以及价格仍处于上涨的态势下, 客户为避免供货短缺及成本垫高的风险, 持续增加采购订单。因此, 尽管第一季为传统淡季，但受惠订单规模持续放大，激励NAND Flash合约价平均涨幅高达25%，故TrendForce集邦咨询预估第一季NAND Flash产业营收仍会季增两成。

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