非易失性存储，辉煌70年
来源：内容来自bank）编译自semianalysis，谢谢。
据semianalysis介绍，在上周举办的闪存峰会上，他们看到了存储产品的历史时间线。为此，他们将其重建，以提供作为更多基础研究的参考，帮助大家理解半导体的发展。如下所示，其实随着时间的推移，存储带来了更多的商业/经济变化。一些亮点是基础技术的创建时间与商业化时间。
令人惊讶的是，某些技术在商业化后起飞的速度很快。
1952年
▪️ MIT 的 Dudley Buck 用铁电晶体创造了第一个半导体非易失性存储器。
1955年
▪️ 贝尔实验室的 Merz 和 Anderson 创造了单片 256 位 FRAM 铁电非易失性存储器，这是第一个单片存储芯片。
1961年
▪️ Fairchild 的 CT “Tom” Sah 设想浮栅 NVM ，并在 MOS 四极晶体管的栅电极上使用电荷存储。
1965年
▪️ Dov Frohman-Bentchkowsky 撰写了伯克利博士论文“Charge Transport and Trapping in MNOS Structures and its Memory Applications”，并构建了一个 9 位原型。
1966年
▪️ 西屋公司的 Edgar A. Sack、Ting L. Chu 等人使用金属-氮化物-氧化物-硅 (MNOS) 结构作为电荷俘获元件。
1967年
▪️ Dawon Kahng 和 Simon Sze 在贝尔实验室发明了非易失性存储器浮动门（Floating Gate ）；本文发表为“A Floating Gate and Its Application to Memory Devices”（贝尔系统技术期刊）
▪️ Westinghouse 的 John R. Szedon 和 Ting L. Chu 在 IEEE 固态器件研究会议上提出使用电荷陷阱作为非易失性存储位
1968年
▪️ Stanford R. Ovshinsky 宣布推出 Ovonic Memory Switch，这是英特尔和美光在 2015 年宣布的 3D XPoint 内存的基础，后来英特尔将其产品化为 Optane。
1970
▪️ Dov Frohman-Bentchkowsky 在英特尔发明了可擦除可编程只读存储器 (EPROM)；这是在 1971 年 IEEE 固态器件研究会议 (ISSCC) 上提出的，并于 1971 年 4 月作为“浮栅雪崩注入 MOS (FAMOS：Floating-Gate Avalanche-Injection MOS) 结构中的内存行为”发表。
▪️ 在与斯坦福 R. Ovshinsky 合作后，英特尔的 Gordon Moore 为电子杂志撰写了关于相变存储器的首次演示的文章，这是英特尔和美光在 2015 年宣布的 3D XPoint 使用的 NVM 技术，并由英特尔产品化为傲腾。
1972年
▪️ 东芝的 Iizuka、Masuoka 等人在国际固态器件和材料会议上推出了第一款具有浮栅电擦除的双层多晶硅存储器，即堆叠栅雪崩注入型 MOS (SAMOS：Stacked-Gate Avalanche-Injection Type MOS) 存储器。
1974年
▪️ General Instrument 出货 EAROM，第一个商用 EEPROM。
1975年
▪️ 日立申请 NAND 型 MROM 专利。
▪️ Eastman Kodak 公司发明的便携式数码相机，可在盒式磁带上存储数字图像。
1976年
▪️ Hughes Microelectronics 的 Eli Harari 申请了第一个实用浮栅 EEPROM 的专利，该 EEPROM 使用薄 SiO2 和 Fowler-Nordheim 隧道（ tunneling ）进行编程和擦除。
1977年
▪️ Eli Harari，出版了“Conduction and Trapping of Electrons in Highly Stressed Thin Films of Thermal SiO2”
▪️ Fairchild 的 PCY Chen 在 IEEE Transactions on Electron Devices 中介绍了 SONOS 电荷陷阱 NVM 单元。
▪️ 授予 TI 的 Gerald Rogers 的专利，用于配置为 NAND 阵列的掩模 ROM，以减少芯片面积和成本。
1978年
▪️ Eli Harari 发表了“Dielectric Breakdown in Electrically Stressed Thin Films of Thermal SiO2”。
▪️ Hughes Microelectronics 在 IEEE ISSCC 推出了第一款采用 Fowler Nordheim 浮栅 EEPROM 的 CMOS NOVRAM 256 位芯片（非易失性 SRAM）。
▪️ George Perlegos 设计了Intel 2816，它于 1980 年推出，成为第一个商业上成功的 EEPROM。
1979
▪️ IEEE Solid State Circuits 发表题为“Anelectrical Alterable Non-Volatiles Memory Cell Using Floating Gate Structure”的论文，作者是德州仪器的 Guterman、Rinawi、Chieu、Holvorson 和 McElroy
1980
▪️ Hughes Microelectronics 推出 3108，第一个采用 Fowler Nordheim 隧道的 CMOS EEPROM 8Kb 芯片
▪️ 英特尔在 IEEE ISSCC 上推出了 2816，这是一款 16Kb HMOS EEPROM，采用 Fowler-Nordheim 隧道技术的 FLOTX（浮栅隧道氧化物：floating gate tunnel oxide）结构
▪️ 富士通申请改进日立 1975 MROM 的专利
1981年
▪️ 英国科学家和发明家 Kane Kramer 设计了第一台基于magnetic bubble memory芯片的数字音频播放器 (IXI)。
1982年
▪️ SEEQ Technology 推出了第一款 5213，这是第一款带有用于系统内写入和擦除的片上电荷泵的 EEPROM，该发明用于所有闪存设备。
▪️ Ramtron 推出第一款商用 FRAM 非易失性存储器。
1983年
▪️ Intel 推出 2817A 16Kb EEPROM。
1984年
▪️ 第一篇描述闪存 EEPROM 的论文由东芝的 Fujio Masuoka 在旧金山举行的 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 上发表。
▪️ 英特尔开始闪存工艺开发。
▪️George Perlegos 创立了 ATMEL（Advanced Technology for Memory and Logic）。
1985年
▪️ Exel 申请第一个 NOR FLASH 电池的专利
▪️ NEC 的 Kitamura 申请第一个 MLC (Multi-Level Cell) EPROM 专利
1986年
▪️ Intel 引入 ECC 和卡上控制器的闪存卡概念
▪️ 英特尔组建专注于固态硬盘的部门。
▪️ RCA 的 R. Stewart 在 IEEE VLSI Symposium 上发表了第一篇关于 NAND 配置 UV-EPROM 的论文。
1987年
▪️ 闪存芯片年收入达到 1,600,000 美元。
▪️ 东芝的Fujio Masuoka 发表了有关NAND 闪存的IEEE IEDM 论文。
▪️ Intel 推出 NOR 闪存芯片。
1988年
▪️ 闪存芯片(flash chip)年收入达到 6,400,000 美元。
▪️ 由 Eli Harari 创立的 Sundisk (SanDisk) 开发新的“System Flash”架构，结合嵌入式控制器、固件和闪存来模拟磁盘存储，以及第一个 MLC (Multi-Level Cell) 闪存专利的文件。
▪️ 第一个被英特尔采样为 1Mb NOR 芯片的闪存。英特尔的设计团队由 Richard Pashlet、Stefan Lai、Bruce McCormic 和 Niles Kynett 组成。
▪️ Intel 和 Psion 设计基于闪存的移动 PC。
▪️ 展示了第一台基于闪光灯的数码相机富士 DS-1P。
▪️ 使用150mm晶圆。
1989
▪️ 闪存芯片年收入达到 25,600,000 美元。
▪️SunDisk (SanDisk) 申请描述片上单元管理的“System Flash”专利。
▪️ M-Systems 由 Dov Moran 和 Aryeh Mergi 创立，并引入了闪存盘概念（闪存 SSD 的前身）。
▪️ 英特尔提供 512Kb 和 1Mb NOR 闪存。
▪️ 推出基于 Psion 闪存的 PC。
▪️ 微软与英特尔合作推出了 Flash 文件系统。
▪️ DigiPro 在 Comdex 推出 8MB NOR 闪存盘。
▪️ Western Digital 和 SunDisk 开创了完全模拟 ATA HDD 的基于 NOR 的 SSD。
▪️ 个人电脑记忆卡国际协会（PCMCIA）成立。
▪️ Silicon Storage Technology (SST)成立，生产兼容CMOS逻辑工艺的NOR SuperFlash。
1990
▪️ 闪存芯片年收入达到100,000,000 美元。
▪️ 索尼推出使用闪存的电子阅读器。
▪️ 柯达展示了基于闪存的相机原型。
▪️ PCMCIA 为 ATA PC 卡的外形尺寸和引脚分配设定了标准，使用 SunDisk “系统闪存”规范实现全硬盘兼容性。
▪️ 英特尔推出 1MB 和 4MB 线性闪存 PCMCIA 卡。
▪️ Intel 推出2Mb NOR 芯片。
▪️ SunDisk 推出2Mb NOR 芯片。
▪️ SunDisk 推出首款 NOR 闪存 SSD：20MB 2.5”，完全兼容 conner 外设 2.5” ATA HDD。
▪️ 东芝验证 NAND 闪存芯片操作，并开始 4Mb 和 16Mb NAND 闪存芯片开发。
1991
▪️ 闪存芯片年收入达到 170,000,000 美元。
▪️ 柯达出货 DCS-100，这是第一台 DCS，售价 13,000 美元。
▪️ 在 Spring Comdex 上展示的使用闪存卡的 Zenith、Poqet 和 HP 掌上型笔记本电脑。
1992
▪️ 闪存芯片年收入达到 295,000,000 美元。
▪️ 东芝出货第一批量产的 NAND 闪存芯片 (4Mb)。
▪️ 信息存储设备（ Information Storage Devices）推出基于闪存的录音机芯片。
▪️ AMD 推出其第一款 NOR 产品。
▪️ 富士通推出其第一款NOR产品。
▪️ M-Systems 推出TrueFSS，第一款闪存卡FTL；这后来被PCMCIA采纳。
▪️ 英特尔推出第二代FFS2。
▪️ Intel推出8Mb NOR闪存芯片和4MB-20MB线性闪存卡。
▪️ Intel 为 BIOS 应用引入了带有扇区的 1Mb“引导块”NOR 闪存——首次使用内部写入状态机来管理闪存写入算法。
▪️ SunDisk 推出首款用于 SSD 应用的串行 9Mb NOR 闪存芯片。
▪️ PC 开始使用闪存作为 BIOS 存储
▪️ 联合图像专家组发布了 JPEG 标准，使数码相机能够使用闪存等媒体存储压缩照片。
1993
▪️ 闪存芯片年收入达到 505,000,000 美元。
▪️ 东芝推出了 16Mb NAND 闪存芯片，可通过第一款 PCMCIA 卡实现便携式存储。
▪️ Datalight 推出“Card Trick”闪存管理软件。
▪️ Apple 推出基于 NOR 闪存的 Newton PDA。
▪️ Intel 推出 16Mb 和 32Mb NOR 闪存。
▪️ Intel 和 Conner Peripherals 推出联合开发的 5MB/10MB ATA 闪存驱动器。
▪️ AMD 引入了使用负栅极擦除的仅 5 伏 NOR。
1994
▪️ 闪存芯片年收入达到 864,805,000 美元。
▪️ SunDisk 推出 CompactFlash 卡。
▪️ Norris Communications 推出 Flashback，这是第一个用闪存记录的便携式数字语音。
▪️ 0.5 微米工艺宣布。
▪️ SunDisk 推出适用于 SSD 应用的 18Mb 串行 NOR 闪存芯片。
▪️ M-Systems 推出基于 NOR 的 DiskOnChip。
1995
▪️ 闪存芯片年收入达到 1,860,089,000 美元。
▪️ 闪存（NOR 和 NAND）收入超过 $1B。
▪️ 卡西欧推出了QV-11 数码相机，带闪光灯而不是胶卷或软盘。
▪️ 三菱推出DiNOR。
▪️ SunDisk 更名为 SanDisk。
▪️ 紧凑型闪存协会（CFA）成立。
1996
▪️ 闪存芯片年收入达到 2,610,603,000 美元。
▪️ 东芝推出 SmartMedia 存储卡（也称为固态软盘卡）。
▪️ 三星开始出货 NAND 闪存。
▪️ Kodak DC-25 是第一款配备 CompactFlash 卡的 DSC。
▪️ Datalight 推出“FlashFX”闪存管理软件，在单个驱动程序中支持 NOR 和 NAND。
▪️ 闪迪推出全球首款MLC（2位/单元）闪存芯片（80Mb）在CF卡中。
▪️ Palm 推出基于闪存的 PDA。
· 0.35 微米工艺宣布。
▪️ Lexar Media 从 Cirrus Logic 分拆出来。
▪️ USB协会（USBA）成立。
1997
▪️ 闪存芯片年收入达到 2,801,678,000 美元。
▪️ 5亿颗闪存芯片出货。
▪️ SaeHan Information Systems 推出基于 Flash 的 MPMan MP3 播放器。
▪️ 闪迪和西门子推出多媒体卡（MMC和MMCplus）
▪️ 索尼推出记忆棒。
▪️ 第一款带有闪存的手机。
▪️ M-Systems 推出基于 NAND 的 DiskOnChip。
▪️ 200mm 晶圆开始生产。
▪️ SanDisk 开始在其 CompactFlash (CF) 卡中使用 256Mb MLC 闪存芯片
▪️ Intel 推出2-bit/cell 64Mb MLC StrataFlash 芯片。
▪️ 闪迪和西门子推出的MultiMediaCard (MMC)。
▪️ SanDisk 开始从 NOR 过渡到 NAND 闪存。
1998
▪️ 闪存芯片年收入达到 2,492,552,000 美元。
▪️ NOR 收入超过20亿美元。
▪️ 250nm 工艺宣布。
▪️ SaeHan Information Systems 和被许可方 Eiger 交付了第一款 32MB 的量产 MP3 播放器 (MPMan)。
▪️ Diamond Rio 推出PMP300 MP3 播放器。
▪️ 由 14 家公司创立的多媒体卡协会。
▪️ Apple iMac 推出不带软盘但带 USB 的产品，鼓励基于 USB 的外部存储。
▪️ USB 工具论坛首先发布了 USB 大容量存储类规范（最终于 1999 年）以标准化 USB 存储。
1999
▪️ 闪存芯片年收入达到 4,560,493,000 美元。
▪️ NOR 收入超过40亿美元。
▪️ 出货量超过 10 亿颗闪存芯片。
▪️ 东芝和闪迪创建闪存制造合资企业。
▪️ 美光发布NOR产品。
▪️ Hagiwara Sys-Com 开始发售 USB Smart Media 闪存卡驱动器 FlashGate。
▪️ Dov Moran 是 M-Systems USB 闪存驱动器专利申请的共同发明人。
▪️ Lexar Media 推出 CompactFlash 到 USB JumpSHOT。
▪️ 松下（松下）、闪迪和东芝推出SD存储卡。
2000
▪️ 闪存芯片年收入达到 10,637,231,000 美元。
▪️ M-Systems（与IBM 合作）和Trek Technology 推出USB 闪存驱动器。
▪️ 英特尔出货了其one-billionth的闪存单元。
▪️ 160nm 工艺节点公布。
▪️ Panasonic、Sandisk、Toshiba 成立 SD 协会，以规范和推广 Secure Digital 存储卡（SD Card）。
▪️ 推出容量为 8MB 至 64MB 的基于 SLC NAND 的 SD 卡。
2001年
▪️ 闪存芯片年收入达到 7,594,502,000 美元。
▪️ NAND 收入超过 10亿美元。
▪️ 东芝和闪迪宣布推出1Gb MLC NAND。
▪️ 闪迪推出首款NAND“系统闪存”产品。
▪️ 日立推出AG-AND。
▪️ 三星开始量产512Mb闪存设备。
▪️ Saifun 开发带有电荷陷阱闪存器件的NROM，这是Spansion MirrorBit 的基础。
2002年
▪️ 闪存芯片年收入达到 7,766,797,000 美元。
▪️ Olympus 和 FujiFilm 推出 xD-Picture Card。
▪️ MMCA（多媒体卡协会）推出的MMCmobile卡。
▪️ Sony 和 SanDisk 联合推出 Memory Stick PRO 和半尺寸 Memory Stick PRO Duo 卡。
▪️ M-Systems 推出Mobile DiskOnChip，第一个芯片中的SSD；这被用于诺基亚、摩托罗拉和爱立信的手机中。
▪️ AMD 推出了使用基于热电子注入的电荷陷阱闪存的 MirrorBit。
▪️ 赛普拉斯推出了可编程片上系统 (PSoC)，其中第一个嵌入式 SONOS 使用基于量子力学隧道的电荷陷阱闪存。
▪️ 130nm工艺宣布。
2003年
▪️ 闪存芯片年收入达到 11,739,282,000 美元。
▪️ NAND 收入超过50亿美元。
▪️ 闪迪推出miniSD卡。
▪️ Sony 和 SanDisk 联合推出 Memory Stick PRO Micro。
▪️ Spansion 从 AMD 和富士通分拆出来。
▪️ 三星在 IEEE IEDM 上介绍了 TaNOS 结构，该技术后来用于 3D NAND。
2004年
▪️ 闪存芯片年收入达到 15,610,575,000 美元。
▪️ NAND 价格跌破 DRAM 价格。
▪️ 闪迪和M-Systems推出的U3 U3软件系统。
▪️ SanDisk 和摩托罗拉推出 TransFlash 卡，即现在的 microSD 卡。
▪️ Datalight 推出多线程“FlashFX Pro”管理软件，支持多媒体NAND 设备。
▪️ Spansion 宣布 MirrorBit Quad 4 位 NOR。
▪️ 90nm 工艺宣布。
▪️ 海力士与意法半导体成立闪存合资企业。
▪️ 海力士推出NAND产品。
▪️ 英飞凌推出基于Saifun Charge Trap Flash的NAND产品。
▪️ Panasonic 和 Sanyo 推出第一款基于闪存的摄像机。
▪️ SanDisk 推出 Flash Sansa MP3 播放器。
▪️ 飞思卡尔（后来的 Everspin）推出了第一款商用 MRAM 非易失性存储器。
▪️ Hewlett Packard 的 Pankaj Megra 和 Sam Fineberg 在 IEEE 计算机协会的第 18 届 IPDPS 上发表了 Persistent Memory 论文。
2005年
▪️ 闪存芯片年收入达到 18,568,940,000 美元。
▪️ NAND GB 出货量超过 DRAM。
▪️ Apple 推出了前两款基于闪存的 iPod，iPod shuffle 和 iPod nano。
▪️ 微软推出混合硬盘驱动器概念。
▪️ MMCA推出的MMCmicro卡。
▪️ 70nm 工艺宣布。
▪️ 美光推出NAND产品。
▪️ 出货量超过 30 亿颗闪存芯片。
▪️ NAND 收入超过100亿美元。
2006年
▪️ 闪存芯片年收入达到 20,076,313,000 美元。
▪️ 第一届闪存峰会在圣何塞举行。
▪️ 英特尔推出 Robson Cache Memory（现在称为 Turbo Memory）。
▪️ 微软推出ReadyBoost。
▪️ SanDisk 宣布推出 3 位 TLC NAND 技术。
▪️ M-Systems 宣布 4 位 QLC 技术。
▪️ SanDisk 发布 microSDHC 卡。
▪️ SanDisk 收购Matrix Semiconductor。
▪️ SanDisk 收购 M-Systems。
▪️ 三星和希捷展示了第一款混合硬盘驱动器。
▪️ IMFT 由 Intel 和 Micron 组成，生产 NAND 闪存。
▪️ STEC 收购 Gnutech。
▪️ Spansion 推出 ORNAND 闪存。
▪️ 56nm工艺公布。
▪️ 300mm晶圆开始生产。
▪️ 美光收购 Lexar Media。
▪️ Open NAND Flash Interface (ONFi) V1.0 spec 发布。
▪️ Numonyx与三星推出相变NVM
2007年
▪️ 闪存芯片年收入达到 22,182,405,000 美元。
▪️ NAND 收入超过 145亿美元。
▪️ 非易失性内存主机控制器接口 (NVMHCI) 工作组由英特尔的 Amber Huffman 担任主席。
▪️ 东芝推出eMMC NAND。
▪️ IMFT 开始出货 50nm NAND 闪存。
▪️ 东芝推出首款基于 MLC SATA 的 SSD。
▪️ 苹果推出 iPhone。
▪️ Fusion-io 发布基于 640GB ioDrive MLC NAND 的 PCIe X4 板卡。
▪️ BiTMICRO 推出3.5” SSD，容量为1.6TB（用于军事应用）。
▪️ Spansion 收购Saifun。
▪️ 多款笔记本电脑 MLC SSD 推出，存储容量高达 128GB。
▪️ 戴尔推出适用于笔记本电脑型号的 SSD 选项。
▪️ 推出带有闪存存储的低于 200 美元的上网本电脑。
▪️ Microsoft 推出基于 Flash 的 Zune Player。
▪️ 希捷宣布混合存储联盟。
▪️ 希捷推出首款混合 HHD，即 Momentus PSD。
▪️ MMCA/JEDEC e.MMC规范发布
▪️ 东芝在 IEEE VLSI Symposium 上展示了 3D 闪存 BiCS 存储器。
2008年
▪️ 闪存芯片年收入达到 18,435,970,000 美元。
▪️ Intel 发布 NVMHCI 1.0 Spec。
▪️ SanDisk 引入 ABL 以实现高速 MLC、TLC 和 X4 NAND。
▪️ 英特尔和美光宣布的 34nm 工艺。
▪️ 东芝推出首款基于 512GB MLC SATA 的 SSD。
▪️ 英特尔和意法半导体分拆Numonyx。
▪️ IBM 演示了第一个“百万 IOPS”阵列。
▪️ EMC 宣布将基于闪存的 SSD ，用于企业 SAN 应用。
▪️ Apple 推出没有 HDD 选项的，基于 SSD 的 MacBook Air。
▪️ 美光、三星和 Sun Microsystems 宣布推出高耐用性闪存。
▪️ Violin Memory 推出了第一个完全基于闪存的存储设备。
▪️ 三星推出150GB 2.5” MLC SSD SATA II 接口。
▪️ 几家公司宣布推出容量高达 256GB 的 MLC 闪存 SSD，用于笔记本应用。
▪️ 美光推出首款串行 NAND 闪存。
▪️ 苹果在 3 天内售出了 100 万部基于闪存的 iPhone。
▪️ MMCA 并入 JEDEC。
▪️ SNIA 固态存储倡议 (SSSI) 成立。
▪️ HGST 推出首款采用SAS 接口的SSD。
2009
▪️ 闪存芯片年收入达到 19,302,693,000 美元。
▪️ 英特尔和美光推出34nm TLC NAND。
▪️ 三星推出首款配备 64GB SSD 的全高清摄像机。
▪️ 希捷进军SSD市场。
▪️ SandForce 推出第一款基于压缩的 SSD 控制器。
▪️ Virident 和 Schooner 为数据中心推出了第一款基于闪存的应用设备。
▪️ Pillar Data 将 Axiom SAN 转换为 SSD。
▪️ Pliant 推出首款 SAS SSD。
▪️ SanDisk 和东芝在 IEEE ISSCC 上展示了 4 位/单元闪存。
▪️ 西部数据收购SiliconSystems，进军SSD业务。
▪️ NVELO 推出首款 PC 闪存缓存软件“Dataplex”。
▪️ SanDisk 推出 100 年闪存存储库。
▪️ AgigA 提供支持 NAND 的 DIMM。
2010
▪️ 闪存芯片年收入达到 26,734,247,000 美元。
▪️ 东芝推出基于 16 芯片堆栈的 128GB SD 卡。
▪️ 英特尔、美光推出25nm TLC和MLC NAND。
▪️ Numonyx被美光收购。
▪️ Microchip 收购 SST。
▪️ 三星电子开始生产 64Gb 3 位 NAND。
▪️ 三星电子推出采用切换模式 DDR NAND 内存的高速 512GB SSD。
▪️ 希捷宣布推出首款自我管理混合硬盘 Momentus XT，配备 4GB NAND 闪存和 500GB 硬盘存储。
▪️ 通用闪存存储协会（UFSA）成立。
▪️ JEDEC 发布了固态硬盘的两个规范：“SSD 要求和耐用性测试方法”和“SSD 耐用性工作负载”。
2011
▪️ 闪存芯片年收入达到 28,123,615,000 美元。
▪️ LSI 收购 SandForce。
▪️ SanDisk 收购 Pliant。
▪️ IMFT 推出 20nm NAND 闪存。
▪️ 英特尔宣布推出适用于 PC 的 Smart Response SSD 缓存。
▪️ 希捷宣布推出第二代 Momentus XT 混合硬盘，配备 8GB NAND 闪存和 750GB 硬盘存储。
▪️ 苹果收购信号处理控制器公司Anobit。
▪️ Fusion-io 收购了具有虚拟化意识的闪存缓存软件公司 IO Turbine。
▪️ NVMHCI 更名为“NVM Express”（NVMe）并成立 NVM Express 工作组；NVMe Rev. 1.0 发布
▪️ JEDEC 发布第一个通用闪存 (UFS) 规范。
▪️ SNIA 发布了两个固态存储性能规范：企业和客户端。
▪️ JEDEC 发布串行闪存可发现参数 (SFDP) 规范。
▪️ 英特尔 1988 年由 Richard Pashley、Stefan Lai、Bruce McCormick 和 Niles Kynett 组成的 NOR 闪存设计团队获得了首个 FMS 终身成就奖。
2012
▪️ 闪存芯片年收入达到 28,213,759,000 美元。
▪️ SanDisk 和东芝在 IEEE ISSCC 上宣布采用 128Gb 芯片的 19nm 工艺。
▪️ 超极本开始配备智能响应技术 (SRT) SSD 缓存。
▪️ 宏力和华邦进军NAND业务。
▪️ 希捷推出 SSHD，一种混合硬盘 (HDD) 闪存与 HDD 配对。
▪️ Elpida 推出 ReRAM。
▪️ 美光和英特尔推出采用hi-k 平面单元的20nm 128Gb NAND 芯片。
▪️ SK hynix 在SK Telecom 收购Hynix Semiconductor 的控股权后成立。
▪️ MOSAID 送样 333GB/s HL-NAND。
▪️ Adesto 收购了 ATMEL 的 Serial NOR 业务。
▪️ Spansion 推出8Gb NOR 芯片。
▪️ DensBits Technologies 推出内存调制解调器。
▪️ Proximal Data 引入了 AutoCache。
▪️ SanDisk 收购 FlashSoft。
▪️ EMC 收购 XtremIO。
▪️ OCZ 收购 Sanrad。
▪️ 三星收购 NVELO。
▪️ 英特尔收购 Nevex 并引入 CacheWorks。
▪️ LSI 推出了带有 MegaRAID CacheCade 缓存软件的 Nytro 闪存。
▪️ 美光推出 2.5 英寸 PCIe 企业级 SSD。
▪️ IBM 收购 Texas Memory Systems。
▪️ Cypress Semiconductor 收购 Ramtron。
▪️ 西部数据收购HGST。
▪️ Skyera 推出44TB 闪存阵列。
▪️ JEDEC 和 ONFi 引入切换模式。
▪️ SanDisk 创始人 Eli Harari 获得 FMS 终身成就奖
2013
▪️ 闪存芯片年收入达到 29,797,262,000 美元。
▪️ 三星在 FMS 宣布推出 24 层 3D V-NAND，并在 1TB SSD 中进行演示。
▪️ 11 家公司参加了首届 NVMe Plugfest。
▪️ 暗黑破坏神技术宣布内存通道存储技术。
▪️ SMART Storage Systems 将 Diablo Technologies 的设计融入 ULLtraDIMM。
▪️ SNIA NVDIMM SIG 成立；推出了许多基于闪存的 NVDIMM 产品。
▪️ Western Digital 和 SanDisk 推出使用 iSSD 与硬盘驱动器结合的 SSHD。
▪️ 东芝推出固态混合硬盘系列。
▪️ Everspin Technologies 宣布STT MRAM 出货。
▪️ 美光等16nm闪存样品。
▪️ 闪迪发布CFast 2.0专业显存卡。
▪️ M.2 PCIe接口形式化。
▪️ 西部数据收购了sTec、Virident、Velobit。
▪️ SanDisk 收购 SMART Storage Systems。
▪️ NVMdurance 引入了软件来延长闪存的耐用性。
▪️ 美光收购尔必达。
▪️ 英特尔推出英特尔高速缓存加速软件。
▪️ 东芝率先送样 8GB 的UFS 设备。
▪️ Panasonic 在 MCU 中推出首款商用嵌入式 ReRAM。
▪️ Adesto 推出 Mavriq CBRAM：第一个商业独立 ReRAM。
▪️ SNIA 发布NVM Programming Model V1.0。
▪️ 原东芝公司的Fujio Masuoka获得FMS终身成就奖
2014
▪️ 闪存芯片年收入达到 30,236,484,000 美元。
▪️ 三星、闪迪和东芝宣布 3D NAND 生产设施。
▪️ 闪迪推出4TB企业级SSD。
▪️ SanDisk 宣布推出 128GB microSD 卡，在设备问世 10 周年之际容量增加了 1000 倍。
▪️ IBM 宣布使用闪迪 ULLtraDIMM 实施的暗黑破坏神内存通道存储技术的 eXFlash DIMM。
▪️ 三星推出第二代 32 层 3D V-NAND。
▪️ Spansion 推出具有 333 MB/s HyperBus 的 HyperFlash NOR。
▪️ 东芝收购OCZ。
▪️ Everspin 推出并增加 ST-MRAM 的生产。
▪️ 三星推出 3-bit/cell 3D NAND SSD。
▪️ Adesto 出货了one-millionth的 CBRAM。
▪️ SK海力士收购Violin Memory的PCIe SSD业务。
▪️ 希捷收购 LSI/Avago 存储业务。
▪️ SanDisk 收购 Fusion-io。
▪️ HGST 收购 Skyera。
▪️ 三星收购 Proximal Data。
▪️ 前贝尔实验室 Simon Sze 获得 FMS 终身成就奖
2015
▪️ 闪存芯片年收入达到 31,053,183,000 美元。
▪️ 闪迪推出InfiniFlash存储系统。
▪️ 赛普拉斯半导体收购 Spansion。
▪️ 东芝、三星和闪迪宣布推出 48 层 3D NAND。
▪️ 英特尔和美光宣布推出 256Gb 3D NAND。
▪️ 三星推出首款 NVMe m.2 SSD。
▪️ SanDisk 推出200GB microSDXC UHS-1 卡。
▪️ Cypress 推出 4MB 串行 FRAM。
▪️ 英特尔和美光宣布推出 3D XPoint 内存。
▪️ 英特尔宣布推出基于 3D XPoint 的“Optane”DIMM 和 SSD。
▪️ 美光推出采用 CMOS Under 3D NAND Array (CUA) 的器件。
▪️ SanDisk 推出200GB microSD 卡。
▪️ Mellanox 和合作伙伴展示了预标准的 NVMe over Fabrics (NVMe-oF)。
▪️ Pure Storage 上市。
▪️ JEDEC 发布首个 DDR4 NVDIMM-N 持久内存模块规范。
▪️ LightNVM 和 OpenChannel SSD 支持添加到 Linux 内核。
▪️ 闪存峰会 10 周年纪念 ，曾历任SanDisk 和 Micron的Bob Norman获得 FMS 终身成就奖。
2016 年
▪️ 闪存芯片年收入达到 33,423,128,000 美元。
▪️ 所有主要供应商都提供 3D NAND 产品。
▪️ 中国首家NAND闪存实验室XMC破土动工。
▪️ 美光推出 768Gb 3D NAND。
▪️ 西部数据收购闪迪。
▪️ Everspin 发布 256Mb MRAM 芯片。
▪️ IBM 将 TLC 应用于 PCM。
▪️ 三星出货 48 层 3D NAND。
▪️ NVMe-oF (NVM Express over Fabrics) Rev. 1.0 发布。
▪️ 至少有 12 家供应商展示了 NVMe-oF 产品。
▪️ 东芝在 16 芯片堆栈 NAND 中引入了硅通孔 (TSV)。
▪️ Spin Transfer Technologies 提供功能齐全的 ST-MRAM 样品。
▪️ 美光启动 Xccela 联盟。
▪️ 东芝推出业界首款NVMe BGA“片上SSD”。
▪️ 西部数据展示了世界上第一块1TB SDXC卡的原型。
▪️ Adesto 推出基于 CBRAM 的 Moneta 系列 ReRAM。
▪️ SFF 委员会成为 SNIA SFF 技术附属公司。
▪️ 三星系统 LSI / 半导体业务总裁 Kinam Kim 获得 FMS 终身成就奖
2017
▪️ 闪存芯片年收入达到 49,727,000,000 美元。
▪️ 闪存市场规模超过了整个 1990 年半导体市场的规模。
▪️ Microchip 出货了第 750 亿个基于 SST SuperFlash 的器件。
▪️ SK海力士发布72层3D NAND。
▪️ 东芝将所有新 SSD 迁移到 64 层 BiCS FLASH TLC。
▪️ 英特尔提供 Optane (3D XPoint) SSD。
▪️ 英特尔的“Ruler standard”捐赠给企业和数据中心固态硬盘外形尺寸 (EDSFF) 工作组。
▪️ HPE 收购 Nimble Storage and Simplivity。
▪️ 美光推出首款串堆叠 3D NAND。
▪️ 三星和东芝/WD 宣布推出 96 层 3D NAND。
▪️ NGD Systems 提供 NVMe 24TB 计算存储设备 (CSD)。
▪️ Everspin 样品1Gb STT MRAM 芯片。
▪️ Global Foundries 推出嵌入式 eMRAM。
▪️ 西部数据开发基于 64 层 3D NAND 的 TLC。
▪️ EDEC 和 SNIA 凭借 NVDIMM-N 标准获得 FMS 奖。
▪️ ScaleFlux 率先部署生产合格的计算存储。
▪️ Eli Harari（2012 年和 2022 年 FMS 终身成就奖获得者）入选国家发明家名人堂。
▪️ 前英特尔、SEEQ 和 ATMEL 的 George Perlegos 获得 FMS 终身成就奖。
2018
▪️ 闪存芯片年收入达到 56,227,000,000 美元。
▪️ 赛普拉斯推出 16Mb FRAM。
▪️ 东芝完成 18B 美元的内存业务出售。
▪️ 三星推出高速Z-SSD。
▪️ 美光使用 QLC 和 1Tb 3D NAND 芯片出货 Enterprise SSD。
▪️ Hyperstone 推出具有人工智能和机器学习功能的闪存控制器。
▪️ 英特尔对 Optane (3D XPoint) DC Persistent Memory 进行采样。
▪️ 中国“大基金”第二阶段的目标是超过300亿美元的半导体投资。
▪️ NVMe WG 批准的 NVMe/TCP 传输绑定规范。
▪️ SNIA 成立计算存储技术工作组 (TWG)。
▪️ Gyrfalcon Technology 推出了首次使用台积电 eMRAM 的 AI 加速器。
▪️ SNIA 发布固态存储和真实世界存储工作负载的性能规范。
▪️ M-Systems 联合创始人 Dov Moran 和 Aryeh Mergi 获得 FMS 终身成就奖。
2019
▪️ 闪存芯片年收入达到 41,141,000,000 美元。
▪️ 所有主要供应商都出货或提供样品 96 层 NAND；SK 海力士、三星和美光对 128 层 NAND 进行送样。
▪️ 所有领先的代工厂都生产嵌入式 MRAM (eMRAM)
▪️ Lightbits Labs 发布了第一个商业 NVMe/TCP 软件定义的分解存储。
▪️ YMTC 对 32 层“Xtacking”NAND 进行送样。
▪️ 英特尔提供 Optane (3D XPoint) DIMM。
▪️ 美光推出业界首款 QLC 企业级 SSD。
▪️ 英特尔提供的 SSD 带有 Optane (3D XPoint) 和 QLC NAND。
▪️ Open-Channel SSD 开始过渡到 NVMe Zoned Namespaces (ZNS)。
▪️ 引入了Computer Express Link (CXL)，并发布了Spec V1.1。
▪️ NGD Systems 推出业界首款基于 ASIC 的可扩展计算存储 NVMe SSD。
▪️ Eideticom 推出首款基于 NVMe 的计算存储处理器。
▪️ SNIA发布Key Value Storage API V1.0，获得FMS奖。
▪️ 东芝内存成为铠侠。
▪️ 群联和 AMD 推出首个 PCIe 4.0 x4 NVMe SSD 和主板解决方案。
▪️ IBM 的 Calline Sanchez 获得 FMS Superwomen in Flash 奖。
▪️ 曾任职于英特尔、SEEQ、IDT、ATMEL、SanDisk 和 WD 的 Micron 的 Sanjay Mehrotra 获得 FMS 终身成就奖。
2020
▪️ 闪存芯片年收入达到 50,714,000,000 美元。
▪️ WDC 出货 112 层 BiCS 3D NAND 作为 512 Gbit TLC 部件。
▪️ 铠侠推出首款512GB密度的汽车UFS。
▪️ Lightbits Labs 发布了第一个集群、冗余、横向扩展的 NVMe/TCP 软件解决方案。
▪️ 英飞凌收购赛普拉斯半导体。
▪️ 铠侠收购 LiteOn。
▪️ NVMe ZNS 命令集规范V1.0 发布。
▪️ NVMe 计算存储任务组成立。
▪️ 开放计算项目 (OCP) 发布 NVMe Cloud SSD Spec V1.0: first Cloud SSD reqs。规格。
▪️ JEDEC 发布 DDR5 SDRAM 标准和通用闪存（UFS）卡扩展 3.0 标准。
▪️ JEDEC 发布首个 DDR4 NVDIMM-P 持久内存模块规范。
▪️ SNIA 发布原生 NVMe-oF 和云数据管理规范。接口 (CDMI)。
▪️ KIXOIA 推出首款 PCIe 4.0 Enterprise NVMe SSD。
▪️ Dialog Semiconductor 收购 Adesto Technologies。
▪️ DNA数据存储联盟成立。
▪️ WekaIO 的 Barbara Murphy 获得 FMS SuperWomen in Flash 奖。
▪️ John R. Szedon，前西屋公司获得 FMS 终身成就奖。
2021
▪️ 闪存芯片年收入达到 60,481,000,000 美元。
▪️ NOR 收入超过36亿美元。
▪️ Kioxia 和 WDC 宣布推出 162 层 3D NAND。
▪️ 三星宣布推出首款在基于 DDR5 的 CXL 上运行的基于 DRAM 的内存。
▪️ JEDEC 发布 XFM（跨界闪存）嵌入式和可移动存储设备标准。
▪️ SK Hynix 开始收购英特尔的 NAND 和 SSD 业务，并命名为 Solidigm。
▪️ Nvidia 推出 GPUDirect Storage (GDS)，提供直接的 NVMe 到 GPU 数据路径。
▪️ 铠侠和三星宣布推出PCIe 5.0 x4 企业级NVMe SSD。
▪️ 瑞萨收购Dialog Semiconductor。
▪️ NVMe 2.0 标准作为一组 9 个规范发布：base、3cmd。集、4 个传输和管理 I/F。
▪️ SK海力士开始量产176层“4D”NAND。
2022
▪️ 闪存芯片年收入达到 72,577,000,000 美元。
▪️ NAND Flash 35 周年。
▪️ 英特尔结束了他们在 Optane 上的努力。
▪️ PCI-SIG 发布 PCIe 6.0 规范。
▪️ Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe) 1.0 规范发布以标准化芯片到芯片互连
▪️ JEDEC 发布 HBM3 对高带宽内存 (HBM) DRAM 标准的更新。
▪️ 美光推出首款 176 层 QLC 3D NAND，并宣布推出 232 层 TLC 3D NAND。
▪️ SK海力士发布238层TLC 3D NAND。
▪️ 长江存储发布>200层TLD 3D NAND。
▪️ Lightbits Labs 推出了第一个集群 NVMe/TCP 软件定义的公共云存储解决方案。
▪️ 西部数据的Yan Li 获得FM SuperWomen in Flash 奖。
▪️ Yoshishige Kitamura（原 NEC）、Sandisk 创始人 Eli Harari 和 Greg Atwood（原 Inte、Numonyx 和 Micron）获得 FMS 终身成就奖
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HP服务器Smart Array 系列阵列卡常见 1700 系列报错中文版
Smart Array 系列阵列卡常见 1700 系列报错
错误代码
可能问题源
操作
1711-Slot Z Drive Array - RAID ADG Logical Drive(s) Configured but Array Accelerator Size <= 32 MB...
未采用建议的配置。
将逻辑驱动器迁移到 RAID 5 或升级到更大的阵列加速器模块。
1712-Slot X Drive Array - RAID 5 logical drive(s) configured with 56 Drives, but Array Accelerator size <= 32 MB...
未采用建议的配置。
将逻辑驱动器迁移到 RAID 0或 1，减少阵列中驱动器的数目或升级到更大的阵列加速器模块。
1713-Slot Z Drive Array Controller - Redundant ROM Reprogramming Failure...
闪存 ROM 出现问题。控制器检测到校验和故障，但无法对备用 ROM 进行重新编程。
1.使用选件ROM升级固件。
2.可能时更换控制器或尝试
1714-Slot Z Drive Array Controller - Redundant ROM Checksum Error...
重新启动可能使控制器闪存操作中断或者闪存 ROM 出现问题。
控制器检测到 ROM 校验和错误并自动切换到备用 ROM 映像。如果此备份的 ROM 映像比当前运行的映像版本低，应使用选件 ROM 升级控制器固件。
1715-Slot X Drive Array Controller - Memory Error(s) Occurred
阵列控制器内存出现故障
如果该报错一直持续，请尝试更换阵列控制器
1720-Slot X Drive Array - S.M.A.R.T. Hard Drive(s) Detect Imminent Failure SCSI: Port Y: SCSI ID Z.
检测到硬盘驱动器预言性故障。
特定的驱动器报告 SMART 故障发生前的状态。以后某个时间，可能会出现故障。
1.如果此驱动器是非容错配置的一部分，请在更换驱动器之前备份所有数据，之后再恢复所有数据。
2.如果此驱动器是容错配置的一部分，除非阵列中的所有其它驱动器均为联机状态，否则，不要更换此驱动器。
1720-S.M.A.R.T. Hard Drive Detects Imminent Failure
这是预先通知 SCSI 硬盘驱动器不久将出现故障
1.如果配置为非 RAID 0 阵列，请更换将出现故障/已经出现故障的驱动器。请参阅维护和维修指南，了解有关何时和如何更换驱动器的详细信息。
2.如果配置为 RAID 0 或非 RAID 设置，请备份驱动器、更换或恢复。
1721-Slot X Drive Array - Drive Parameter Tracking Predicts Imminent Failure...
驱动器参数跟踪预言性故障。超出显示器和性能阈值。
驱动器参数跟踪报告在指定驱动器上将出现的故障。以后某个时间，可能会出现故障。
1.如果此驱动器是非容错配置的一部分，请在更换驱动器之前备份所有数据，之后再恢复所有数据。
2.如果此驱动器是容错配置的一部分，除非阵列中的所有其它驱动器均为联机状态，否则，不要更换此驱动器。
1724-Slot X Drive Array - Physical Drive Position Change(s) Detected - ...
表示逻辑驱动器的配置在物理驱动器位置更改后已自动更新。
不需要操作。
1725-Slot X Drive Array-Optional SIMM Failure Detected
因内存错误或安装了不支持的 SIMM 类型，SIMM已自动被禁用。
更换指定控制器上的 SIMM 内存条。
1726-Slot X Drive Array - Array Accelerator Memory Size Change Detected.
阵列加速器配置已自动更新。
此消息表明因更换大小不同的高速缓存的阵列加速器（或控制器），阵列加速器配置已自动更新。必要时运行阵列配置实用程序来更改默认高速缓存读取/写入分配比率。
1727-Slot X Drive Array - New Logical Drive(s) Attachment Detected...
检测到其它驱动器。
此消息表明断电时控制器检测到连接了其它的驱动器阵列。逻辑驱动器配置信息已更新了添加新逻辑驱动器的信息。所支持的逻辑驱动器最多为 32 个。其它逻辑驱动器不会被添加到配置中。
1729-Slot 1 Drive Array - Performance Optimization Scan In Progress...
RAID 4/5/ADG 奇偶校验驱动器正在初始化。
该信息通常在 RAID 4 或 RAID 5 逻辑驱动器初始配置之后出现。在 ARM（在控制器的后台运行的自动过程）对奇偶校验数据进行初始化之后，控制器的性能将提高。
1753-Slot Z Drive Array - Array Controller Maximum Operating Temperature Exceeded During Previous Power Up
控制器过热。
确保系统充分冷却，同时控制器有足够的气流。
1754-Slot X Drive Array - RAID ADG configured but ADG is not supported on this controller model.
已配置RAID ADG 驱动器，但 ADG 使能器模块被拆除或有缺陷。
更换或重新安装 ADG 使能器模块。
1762-Slot X Drive Array - Controller Firmware Upgrade Needed
控制器上的固件版本过时（不支持冗余控制器运行）。
通过可选件 ROM 升级控制器固件。
1763-Array Accelerator Daughtercard is Detached; Please Reattach
阵列加速器模块松动、缺少或有缺陷。
更换阵列加速器模块，如果连接器未插好，应将其重新插好。
1764-Slot X Drive Array - Capacity Expansion Process is Temporarily Disabled...
因屏幕描述的原因，容量扩展过程被临时禁用。
遵循屏幕上显示的操作继续进行容量扩展过程。
1768-Slot X Drive Array - Resuming Logical Drive Expansion Process
执行逻辑扩展操作时掉电。
不需要进行任何操作。在阵列扩展过程中，一旦发生控制器复位或电源开关动作时，就会出现该信息。
1769-Slot X Drive Array - Drive(s) Disabled Due to Failure During Capacity Expansion.
Select F1 to continue with logical drives disabled.
Select F2 to accept data loss and to re-enable logical drives.
因下列问题之一导致容量扩展失败：
·阵列加速器模块被卸下或出现故障；扩展进程数据丢失
·无法从阵列加速器中读取扩展进程数据
·扩展因不可恢复的驱动器错误而终止 ·扩展因阵列加速器错误而终止
扩展阵列时数据丢失；因此，临时禁用了驱动器：
1.按 F2 键接受数据丢失并重新启用逻辑驱动器。
2.从备份里恢复数据。
3.如果是因驱动器质量有问题或阵列加速器故障而导致的，请更换相应的驱动器或阵列控制器。
1770-Slot X Drive Array - SCSI Drive Firmware Update Recommended
需要更新驱动器固件。
指定的驱动器运行已知会导致间歇问题的固件。运行可选件 ROM 将驱动器固件升级到最新版本。
从 HP 官方网站下载对应 ROM，网址为：www.hp.com
1774-Slot X Drive Array - Obsolete Data Found in Array Accelerator
在另一个控制器上使用驱动器，同时驱动器重新连接到原始控制器上，而数据则位于原始控制器高速缓存中。
阵列加速器中找到的数据比驱动器上找到的数据旧，已自动被废弃。检查文件系统以确定数据是否丢失。
1775-Slot X Drive Array - ProLiant Storage System Not Responding SCSI Port Y: ...
Check storage system power switch and cables. Turn the system power off while checking the ProLiant power and cable connections, then turn the system power back on to retry.
检测到存储系统问题。SCSI 机壳似乎连接到指定的 SCSI 总线，但该总线上未检测到驱动器或 SCSI 背板处理器。
1.关闭系统电源。
2.检查外部 ProLiant 电源开关—在对主要系统加电之前，必须对外部驱动器加电。
3.检查电缆。
4.升级最新的固件版本
5.如果重试也无济于事，请尝试更换电缆、固件、背板或 Smart 阵列控制器。
1775-Slot X Drive Array - ProLiant Storage System Not Responding SCSI Port Y: ...Turn system and storage box power OFF and check cables. Drives in this box and connections beyond it will not be available until the cables are attached correctly.
请参阅HP外置存储文档，确认连线配置
1776-Slot X Drive Array - SCSI Bus Termination Error
指定 SCSI 端口的外部和内部连接器均连接到驱动器。指定的 SCSI 总线已被禁用，直到问题解决。
当内部和外部驱动器同时连接到同一个 SCSI 总线上时，SCSI 总线未正确终结。
1.关闭服务器电源。
2.检查指定端口的电缆。
3.按照指导重新配置驱动器。
1776-Slot X Drive Array - Shared SAS Port Connection Conflict Detected - Ports 1I, 1E: Storage connections detected on both shared internal and external ports.
请参阅阵列控制器手册，确认连线配置
1776-Drive Array Reports Improper SCSI Port 1 Cabling
·集成阵列使能器板出现故障。
·集成 Smart 阵列可选件 ROM 损坏。 ·I/O 板、介质背板风扇板或介质背板需要更换。
· 更换集成阵列使能器板。
· 更新集成Smart Array阵列控制器固件版本到最新。
· 按照下列顺序更换并重试：介质背板风扇板，介质背板，I/O 板。
1777-Slot X Drive Array - ProLiant Drive Storage Enclosure Problem Detected...
违反驱动器机壳上的环境阈值。
·将手放在风扇附近，检查风扇的工作情况。·确保塔式服务器或存储系统中的内部高压冷却风扇可以运行。如果风扇不工作，检查是否有障碍物阻挡，并对内部所有连接进行检查。·如果设备侧板被卸下，请重装该侧板。
·如果 ProLiant 存储系统电源 LED 呈琥珀色而不是绿色，这表明冗余电源出现故障。
·检查 SCSI 电缆.如果消息指出检查 SCSI 电缆，请将您的布线与您的HP Smart Array阵列控制器用户指南中的图进行比较。如果布线正确，则更换指定端口上的电缆，直至加电自检信息消失。
1778-Drive Array Resuming Automatic Data Recovery Process
进行自动数据恢复时出现控制器复位或重新启动情况，将显示此消息。
不需要操作。
1779-Slot X Drive Array - Replacement drive(s) detected OR previously failed drive(s) now operational
出现故障（更换）的驱动器的数目超出了容错级别允许的数目。无法重建阵列。
如果显示该消息，同时未更换驱动器，这表明间歇的驱动器出现故障。确保始终对系统加电并正确断电。
·对系统加电时，必须首先打开服务器，之后（或同时）才能打开所有外部存储系统。
·对系统断电时，必须首先断开所有外部存储系统的电源，之后才能切断服务器电源。
1783-Slot X Drive Array Controller Failure
控制器报错。如果该信息是在更新阵列控制器固件版本后出现的，则该问题可能发生在尝试更新固件时。
·如果阵列加速器模块被拆开，请将其重新装好。
·尝试将控制器重新插入 PCI 插槽
·更换阵列控制器。
1783-Intelligent Drive Array Controller Failure
集成阵列控制器固件损坏，或者是 IAC 质量有问题或出现故障。
1. 确保集成阵列控制器 ROM 固件为最新版本。
2. 更换I/O板。
1784-Slot X Drive Array Drive Failure. The Following SCSI Drive(s) Should Be Replaced: SCSI Port Y: SCSI ID Z
检测到.驱动器和/或 SCSI 电缆有缺陷。
检查电缆连接是否松动。确保所有驱动器均已插入驱动器托架插槽。更换有缺陷的驱动器 X 和/或 电缆。
1784-Slot X Array Controller is in lock-up state due to a hardware configuration failure. (Controller is disabled until this problem is resolved.)
一个或多个硬件子系统初始化失败
重新启动服务器。如果该问题依旧存在同时在控制器上附加了内存模块，那么更换内存模块后重启服务器尝试。
1785-Slot X Drive Array Not Configured...
(1) Run HP Array Configuration Utility
(2) No drives detedted (3) Drive positions appear to have changed - Run Drive Array Advanced Diagnostics if previous positions are unknown.Then turn system power OFF and move drives to their original positions.
(4) Configuration information indicates drive positions beyond the capability of this controller. This may be due to drive movement from a controller that supports more drives than the current controller.
(5) Configuration information indicates drives were configured on a controller with a newer firmware wersion.
未检测到驱动器阵列配置。
1. 运行HP阵列配置实用程序。
2. 通过关闭系统和检查SCSI 电缆的连接以确定驱动器是否连接正确。
3. 如果未知先前的位置，请运行HP阵列诊断实用程序。然后关闭系统电源，将驱动器移至其初始位置。
4. 为了避免数据丢失，关闭系统电源，重新将驱动器连接到原来的控制器上，或者通过选项将控制器固件升级到原来的控制器版本。
1786-Slot 1 Drive Array Recovery Needed.
Select F1 to continue with recovery of data to drive.Select F2 to continue without recovery of data to drive.
系统处于临时数据恢复模式下。先前出现故障或更换的驱动器尚未重建。
·按 F1 键启动自动数据恢复程序。更换驱动器或驱动器工作时，数据自动恢复到驱动器 X。
·按 F2 键使系统能够以临时数据恢复模式继续运行。
如果由于某种原因上一次的重建努力被迫中止，屏幕上会显示上次中止的 1786 POST 消息版本。
1786-Slot 1 Drive Array Recovery Needed.Automatic Data Recovery Previously Aborted!The following SCSI drive(s) need Automatic Data Recovery:SCSI Port Y:SCSI ID Z Select F1 to retry Automatic Data Recovery to drive.Select F2 to continue without starting Automatic Data Recovery.
如果由于某种原因上一次的重建努力被迫中止，屏幕上会显示上次中止的 1786 POST 消息版本。
·按 F1 键启动自动数据恢复程序。更换驱动器或驱动器工作时，数据自动恢复到驱动器 X。
·按 F2 键使系统能够以临时数据恢复模式继续运行。
更多信息，请运行阵列诊断应用程序。
·如果新更换的驱动器出现故障，试着更换另一个驱动器。
·如果因阵列中的另一物理驱动器的读取错误导致重建终止，应备份阵列上的所有可读数据，运行诊断程序进行表面分析，然后恢复数据。
1787-Drive Array Operating in Interim Recovery Mode
硬盘驱动器 X 出现故障或电缆松动或有缺陷。系统重新启动后，屏幕上的信息会提示驱动器 x 有缺陷，而且容错正被使用。
1.检查松动的电缆。
2.更换有缺陷的电缆。
3.尽快更换驱动器 X （根据容错级别，所有数据会在另一驱动器出现故障时丢失）。
1788-Slot X Drive Array Reports Incorrect Drive Replacement
·更换的驱动器被安装在不正确的驱动器托架上。
·也可能因驱动器电源线连接有问题、数据电缆噪音或 SCSI 电缆有缺陷而显示。
1. 按照指导重新正确的安装驱动器。
·按 F1 键重新启动计算机，同时禁用驱动器阵列。
·按 F2 键按照配置使用驱动器并会丢失这些驱动器上的所有数据。
2. 如果此消息是因电源线连接有问题而不是驱动器更换不正确所致，
·请对连接进行维修并按 F2 键
·如果按 F2 键未能清除消息，请运行阵列诊断实用程序 (ADU) 解决问题。
3. 检查电缆路由是否正确。
1789-Slot X Drive Array SCSI Drive(s) Not Responding...
上次在使用系统时工作的驱动器此时缺少或未启动。可能是驱动器出现问题或SCSI电缆松动。
1.切断系统电源，检查电缆的连接并确保所有驱动器均已完全插入其驱动器托架中。
2.关闭系统后重新启动所有外部 SCSI 机壳。 3.打开服务器电源看问题是否依然存在。
4.如果配置为可进行容错操作且 RAID 级别能承受指定的所有驱动器出现的故障，请按 F2 键废除不响应的驱动器，立刻更换为质量良好的驱动器。
5.否则，按 F1 键启动在控制器上禁用所有逻辑驱动器的系统。 确保始终对系统加电并正确断电。
·对系统加电时，必须首先打开所有外部存储系统，之后才能打开服务器。
·对系统断电时，必须首先断开服务器电源，之后才能切断所有外部存储系统的电源。
1792-Drive Array Reports Valid Data Found in Array Accelerator...
此消息指出当系统正在运行时，电源突然中断，而此时数据在阵列加速器内存中。电源是在几天之内恢复的，而阵列加速器中的数据已闪存到驱动器托架中。
不需要操作；没有数据丢失。按顺序关闭系统，以避免数据保存在阵列加速器中。
1793-Drive Array - Array Accelerator Battery Depleted - Data Lost. (Error message 1794 also displays.)
此消息指出当系统正在运行时，电源突然中断，而此时数据在阵列加速器内存中。 阵列加速器电池出现故障。阵列加速器里的数据已丢失。
电源未在足够的时间内恢复。按顺序关闭系统，以避免数据保存在阵列加速器中。
1794-Drive Array - Array Accelerator Battery Charge Low...
这是一种警告，表明电池的电量低于 75%。Posted writes 被禁用。
如果电池在使用36 小时后还未更换，请更换阵列加速器板。
1795-Drive Array - Array Accelerator Configuration Error...
此消息指出当系统正在运行时，电源突然中断，而此时数据在阵列加速器内存中。
使阵列加速器与正确的驱动器托架匹配，或者运行阵列配置实用程序清除阵列加速器中的数据。
1796-Drive Array - Array Accelerator Not Responding
阵列加速器有缺陷或已卸下。根据阵列控制器的型号，在校正此问题之前，高速缓存可能被禁用，或者控制器可能不可用。
更换阵列加速器子板，或者如果是连接器松动，应将其重新插好。
1797-Drive Array - Array Accelerator Read Error Occurred
从 posted-writes 内存读取数据时检测到硬奇偶校验错误。
更换阵列加速器子板。
1798-Drive Array - Array Accelerator Self-Test Error Occurred
阵列加速器使自检失败。根据阵列控制器的型号，在校正此问题之前，高速缓存可能被禁用，或者控制器可能不可用。
更换阵列加速器子板。
1799-Drive Array - Drive(s) Disabled Due to Array Accelerator Data Loss.
Select "F1" to continue with logical drives disabled. Select F2 to accept data loss and to re-enable logical drives.
逻辑驱动器因 posted-writes 内存中数据丢失而出现故障。
按 F1 键且通过禁用逻辑驱动器来继续，或者按 F2 键接受数据丢失并重新启用逻辑驱动器。按 F2 键之后，检查文件系统的完整性并从备份中恢复丢失的数据。
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