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nand颗粒分类 脑吧有科普:固态小知识之固态颗粒等级
发布时间 : 2025-05-12
作者 : 小编
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脑吧有科普:固态小知识之固态颗粒等级

最近两年可以说很多朋友都格外关心起固态来了,后台有很多朋友询问固态相关的问题,这个系列的帖子算是对后台提问的统一回复,本帖会详细说明固态颗粒的等级区分,也会提及相关产品的区分。如果大家还有别的关于固态的问题可以在评论区回复,提问较多的问题会像这样开专门的帖子出来介绍,同样后续会有固态的科普和一些底端NAND「优盘、固态之类的」制品的帖子。

首先要说固态颗粒的等级,因为黑白片之类的并不是在一个生产环节产生,所以如果要想很好的了解,还需要简单的介绍下NAND闪存的制造过程。

一、单晶硅棒

看图就可以知道,这一步基本上就将单硅晶棒子进行切割抛光使其成为比较完美的wafer「晶圆」,目前主流使用的都是12寸的晶圆 ,因为较小的晶圆出去圆外围的部分内部可供使用的die并不是很多,相对12寸可用面积较大。这里解释下,硅晶圆片称之为wafer晶圆,切割后的一小块正方体为die

二、光刻技术与离子刻蚀技术

这一步就是利用光刻技术与离子刻蚀技术将晶圆制作成需要的样子,这一步也是整个制造中比较核心的部分,也是顶尖科技聚集的部分,除此之外还有一些其他步骤,最终成为可用的晶圆。这一步说起来容易,但是实际是从N微米一路发展到如今的10NM左右制程,这进步是很难得的,目前国产半导体制造行业主要也是被这一步限制。

三、切割晶圆

这一步其实没什么好说,就是利用切割机进行切割,同时四周非标准形状「没办反切割出完整的方形的部分」会被回收,制作新的单硅晶棒。

四、die的筛选

这一步会对die进行筛选,也就是这一步会产生黑片,如果要说这一步其实需要分开说,因为固态颗粒和显卡处理器之类的产品不是完全一样的,这里会稍微提一下处理器和显卡之类产品的筛选。首先说明下NAND闪存。「上图颜色不同代表品质不同,工厂会进行挑选,也就产生了颗粒的等级。」

上图黑色部分就是挑走的颗粒,剩下则为较差的颗粒。

一、特挑颗粒 eSLC/eMLC/eTLC

首先会挑选一批特挑颗粒,也就是eSLC/eMLC/eTLC 「注意!!!三种颗粒本质上不同,这里只是说明这一步会产生的等级」特挑颗粒一般会给企业级的产品使用 ,我们接触到的建兴T9使用的就是eMLC颗粒而东芝A100使用的是eTLC颗粒 ,都是这一步产生。但是就特挑颗粒来说也是有等级区分的,这里就不延伸下去。

二、一般颗粒 SLC/MLC/TLC

特挑颗粒挑选过后就剩下挑选的就是一般的SLC/MLC/TLC颗粒了,也就是我们大家使用最多的,这里其实不用说太多,同样这一个等级的颗粒也可以细分等级。

三、黑片

最后剩下的就是所谓的黑片,其实某种意义上黑片也是特挑的颗粒,只不过eSLC/eMLC/eTLC挑选的是好的颗粒,这边反其道而行之挑选的是差的颗粒,黑片是原厂「制造厂」不认可的一种颗粒,在全新颗粒中是最差的一种 。具体的用途,产量这几天会上线一个新的文章,会详细介绍。

四、显卡、处理器等

其实这里很好说,显卡和处理器的体制就是一种体现,然后一些很差的die会被降级作为次级产品使用 ,举一个例子,1080的die有部分不达标,但是远不及需要彻底丢弃的程度,就会拿来降级作为1070来使用。处理器方面最典型的例子就是AMD的羿龙系列和速龙系列处理器,采用三核心设计就是屏蔽了一个核心,那一个核心就是较差的核心。还有一种方法就是降级使用,诸如I7的die不达标降级作为I5使用。

五、封装

AMD1950X处理器开盖图,4die封装在一个基板上。

成品NAND颗粒,黑色物理为树脂。

3DNAND封装示意图

HBM显存颗粒封装

首先说明,这一步会产生白片的一种,这里需要知道每一步都存在一个良品率,而这一步产生的白片就是封装过程中不达标的颗粒,品质会比较接近原厂颗粒 。然后封装其实就是将die固定到基板上笔记本处理器和显卡的芯片都是裸露,台式机处理器会有铜盖保护,内存、NAND闪存等都会加以一层树脂进行封装 「就是看到的黑色的那」。

然后3D NAND颗粒相较于传统的不同之处在于3D NAND颗粒在制造中是需要将N die 叠在在一起,具体工艺更加复杂,良品率更低,好处是成本更低,目前最高为72层TLC颗粒

这里单独说一下HBM显存颗粒的封装,目前这个颗粒只有韩国企业提供,所以所有使用HBM颗粒的显卡最终显示芯片都需要交给内存厂商进行封装,是直接封装在显示芯片边的「手机目前内存都是封装在处理器上」。

这段最后,说一点东芝所有的晶圆厂全部在日本四日县,但是封装基本都在中国大陆和台湾地区,所以东芝的标一般都会注China或者taiwan。

六、打标

英特尔原厂颗粒

这一步就是给颗粒上刻上字,每个原厂颗粒一看就知道是那家的,颗粒上会有编号一些会标注产地和制造日期等,原厂颗粒基本上都可以在官网找到编号的释义 ,而白片是不会有这些的。

七、另一种白片

这里的白片其实就是具有封装能力,但是没有制造能力的厂商所出产的颗粒 ,最典型的例子就是建兴T10使用的颗粒就是出自群联 ,由群联封装完成的,东芝也是群联的股东之一。这类排面颗粒品质不一,但是价格会低于原厂颗粒

八、总结

这里说一下,颗粒品质基本按eSLC/eMLC/eTLC>SLC/MLC/TLC>≈白片>黑片 ,个人认为除了黑片之外其他都可以接受,相较于原厂颗粒,白片具有接近原厂颗粒的品质和较低的价格,但是也有品质较差的白片颗粒,需要大家自己辨别。

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小Z聊固态:NAND闪存颗粒的打开方式

关注固态硬盘产品的各位朋友应该发现了,近来几乎各大品牌的固态硬盘产品都涨价了!虽然涨幅不算太大,但是在价格十分敏感的电子消费产业,还是十分耐人寻味的,特别是一些经典热销产品的涨价就更是让人看不懂了。

下图是笔者统计过的,从6月15日起到6月30日止,京东商城上热销的部分品牌的销量最高产品的价格变化图。通过图表可以看到,除了金士顿和浦科特旗下的两款固态硬盘在统计中没有大的变化外,其余各大品牌,诸如三星、东芝、闪迪、ocz等都有着不同幅度的涨价。

在前面几期的“小Z聊固态”中,我们知道固态硬盘最大的制造成本其实在于闪存颗粒,闪存颗粒的价格变化直接影响到固态硬盘产品的价格变化。看到这里,我想部分朋友已经可以猜到为什么此次固态硬盘产品集体涨价了。

没错,原因就和上次机械硬盘因为泰国洪水淹没大部分机械硬件加工商导致全行业涨价一样,此次三星位于西安的全球最大的NAND闪存制造厂的停电事故,影响了NAND的正常生产,再加上处于闪存颗粒生产的旺季,市场上的NAND闪存供不应求,因而出现了大范围的固态硬盘价格上扬。

那么又有人问了,“一个三星NAND闪存厂竟能影响到全行业?难道没有其他闪存厂能够替代它吗?”

今天,小Z就借着这个话题和大家一起聊聊闪存颗粒和闪存厂的那些事。

在固态硬盘领域,掌握了闪存颗粒几乎可以说就掌控了固态市场。目前,全球范围内从事NAND flash的厂商大大小小不计其数,但具有统治地位的就只有区区六家,他们分别是三星(Samsung)、东芝(Toshiba)、英特尔(intel)、海力士(SK hynix)、美光(Micron)、闪迪(SanDisk),这六家从事NAND FLASH制造的厂商几乎垄断了全球大部分的市场份额,接下来我们就一一介绍。

半导体霸主:英特尔(intel)

英特尔公司(IntelCorporation)总部位于美国加州,工程技术部和销售部以及6个芯片制造工厂位于美国俄勒冈州波特兰。

英特尔的创始人罗伯特·诺伊斯RobertNoyce和戈登·摩尔GordonMoore原本希望他们新公司的名称为两人名字的组合——MooreNoyce,但当他们去工商局登记时,却发现这个名字已经被一家连锁酒店抢先注册。不得已,他们采取了“IntegratedElectronics(集成电子)”两个单词的缩写为公司名称。现任CEO是BrianKrzanich。

英特尔公司在随着个人电脑普及,英特尔公司成为世界上最大设计和生产半导体的科技巨擘。除了为全球日益发展的计算机工业提供建筑模块,包括微处理器、芯片组、板卡、系统及软件等,公司在半导体顶层技术的研发中始终处于世界领先地位,拥有多项半导体生产专利技术,长期位列全球半导体厂商排行榜的首位。

intel早期闪存颗粒的编号信息

在固态硬盘领域,早期的英特尔自产自研的闪存颗粒,多用于自家高端产品,或是合作紧密的友商产品中,几乎很少输出。

到了中期,英特尔和美国著名的半导体厂商美光进行了深度合作,共建晶圆制造厂,并将晶圆厂中品质和纯度较高的闪存颗粒用于自家的产品,如intel 710系列就是采用的eMLC企业级颗粒,而将品质低的颗粒用于低端产品和输出到第三方,例如intel 320系列以及部分威刚、OCZ产品,在此就不一一论述了。

intel 540s采用海力士16nm闪存颗粒

到了后期,也就是现在intel几乎已经很少在中低端产品中使用自家颗粒了,会根据产品定位不同,灵活选择。例如,最新发布的针对消费级市场的INTEL 540S系列就是采用的海力士16nm闪存颗粒,而面向高性能和安全应用的SSD Pro 5400s则是采用美光和intel合资的16nm闪存。

晶圆之光:美光(Micron)

美光科技(MicronTechnology,以下简称美光科技)位于美国爱德荷州首府波伊西市,于1978年由WardParkinson、JoeParkinson、DennisWilson和DougPitman创立,1981年成立自有晶圆制造厂。

美光科技是全球最大的半导体储存及影像产品制造商之一,其主要产品包括DRAM、NAND闪存和CMOS影像传感器。美光科技先进的产品广泛应用于移动、计算机、服务、汽车、网络、安防、工业、消费类以及医疗等领域,为客户在这些多样化的终端应用提供针对性的解决方案。

在1990年代初期,美光科技成立MicronComputers(美光电脑)子公司来制造个人电脑,该公司即后来的MicronElectronics(美光电子)。

1998年亦并购了Rendition公司来制造3D加速芯片。

2002年美光卷入了内存价格操纵丑闻。

2007年3月21日首次在中国西安成立了工厂,主要生产DRAM和NAND快闪存储器。

美光flash颗粒的命名规则

在固态硬盘领域,美光和intel进行了深度合作,并于2006年在美国犹他州Lehi地区合资共建,25nm工艺闪存制造厂IMFT,而根据相关文件披露,IMFT生产的晶元,49%销售给Intel,另外51%则归美光。

除了生产闪存颗粒,美光还拥有固态硬盘生产线以及市场终端品牌英睿达。不同于intel闪存颗粒,多用于自家产品,美光的闪存颗粒因其性能稳定,深受OEM厂商热捧,并大量输出到各大OEM厂商以及各大品牌固态硬盘厂商。

自产自销:三星(Samsung)

如果说英特尔是半导体行业的绝对领路人和开创者的话,那么三星毫无疑问是最强的追逐者和竞争者。

三星电子(SamsungElectronics)作为韩国电子产品生产企业,是韩国规模最大的企业,同时也是三星集团子公司中规模最大且在国际市场处于领先地位的企业。

该公司在全世界共65个国家拥有生产和销售法人网络,员工数多达157,000人,早在2009年超越惠普(HP)跃升为世界最大的IT企业,其中LCDTV、LEDTV和半导体等产品的销售额均在世界上高居榜首。

在庞大的三星集团内部,半导体事业部可谓是打造三星帝国的一等功臣。

三星集团创始人李秉哲不顾公司众人反对,毅然决然地于1983年在日本东京正式开始进军半导体行业。对此他曾经表示,三星符合韩国缺乏资源的自然条件,只有开发高附加值、技术含量高的产品才能实现企业的第二次飞跃。

在此后的10个月内,三星电子在世界上第三个推出64KDRAM,这在国内外经济界引起强烈反响。然而,日后由于半导体价格暴跌,企业在事业之初陷入困境。尽管如此,三星的存储器半导体依然取得了长足的发展,1992年率先开发成功64MDRAM,终于在世界上确保了最强的技术实力;1993年如愿以偿地荣登存储器半导体世界第一的宝座。此后于1994年和1996年连续开发成功256M和1GDRAM,这同样拥有‘世界最先开发’的荣耀,这样,半导体逐渐成为韩国具有代表性的产业。2002年NANDFlash位居世界榜首;2006年与2007年分别在世界上率先研制成功50纳米级DRAM和30纳米级NAND等,三星电子在存储器领域的占有率超过30%,成为业界的强者。

三星750evo采用自家闪存颗粒

拥有大量的世界顶尖的半导体专利技术的三星,近些年也没有停止研发的脚步。就固态硬盘行业而言,三星是业界首个将TLC闪存颗粒运用于固态硬盘产品的厂商,同时研发出全球领先的3D-NAND闪存颗粒技术,极大的提升了闪存颗粒的实际使用容量,进一步压缩了闪存颗粒的体积,引发了闪存颗粒的又一次革命。

三星flash颗粒编号信息表

作为半导体厂商,三星也和intel一样,有着完整的闪存颗粒生产线,却都仅将颗粒运用于自家产品,三星家更是做得彻底,所有原产颗粒都不允许输出,仅装备于自家固态品牌。因而,很多关于三星闪存的具体参数信息很少见诸于网络。

闪存缔造者:东芝(Toshiba)

作为我们的邻居,韩国在闪存制造上有三星,而日本则有东芝。

东芝(TOSHIBA)是日本最大的半导体制造商,亦是第二大综合电机制造商,隶属于三井集团旗下。东芝原名东京芝浦电气株式会社,1939年由株式会社芝浦制作所和东京电气株式会社合并而成;从1875年开创至今,已经走过了133年的漫长历程。

早在80年代东芝与NEC是世界上最大的两家半导体制造商,同时东芝还是闪存存储标准SD协会的董事会成员之一,是多项规格标准的制定者和推动者,拥有着半导体闪存行业多项世界第一和生产专利,到了90年代,东芝已经成长为世界排名前5的芯片厂,在2008年东芝排名第3,仅次于英特尔和三星,但排在德州仪器和意法之前,到了今天东芝依旧在世界半导体行业、芯片制造行业有着举足轻重的作用。

具体到固态硬盘领域,东芝原厂闪存颗粒几乎占领了主流的固态硬盘市场,成为有一定实力的固态硬盘厂商首选颗粒。究其缘由,一则是东芝近百年的生产制造经验带来的严格的品控,二则是东芝乐于向外输出优质原厂闪存颗粒。

目前,几乎所有大品牌的固态硬盘厂商都使用过东芝相关型号的闪存颗粒。例如浦科特全系列M6V/M7V/M6S PLUS等产品,还有金士顿的v300/uv400,OCZ几乎全系列等。

东芝flash颗粒编号示意图

东芝flash颗粒编号示意图

东芝flash颗粒编号示意图

除了制造原厂闪存颗粒外,还有更多的二线厂商使用东芝原厂的白片颗粒,以及部分厂商使用的东芝黑片,可以说几乎所有主流固态硬盘厂商都使用过东芝制造的闪存颗粒。

同时和三星、intel一样,东芝自家也有固态硬盘终端产品,从开山之作东芝Q系列,东芝Q200,东芝Q300一直到东芝Q300 PRO,每一款源自东芝的新品都带给消费者许多惊喜。

性价比之王:海力士(SK Hynix)

闪存颗粒作为固态硬盘制造中最花费成本的核心器件,提供极高性价比的产品也是能有极大的市场。

海力士脱胎于韩国另一家半导体制造企业现代内存,并于2001年更名为海力士,2012年正式更名为SK hynix。

海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立,在1996年正式在韩国上市,1999年收购LG半导体,2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团,成为专业的存储器制造商。2012年2月,韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家内存大厂。

海力士半导体多年前已经在韩国制造了4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸晶圆生产线,并在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位,中国市场占有率处于第一位。并在世界各地有销售法人和办事处,共有员工15000人。

海力士部分flash颗粒产品编号示意图

如今的海力士半导体,一直以行业最高水平的投资效率、生产效率、销售效率,在竞争激烈的半导体行业站稳脚跟,并以快速的更新能力和极高的性价比,成为众多固态硬盘厂商欢迎的原厂颗粒提供商。

目前,intel旗下多款产品采用了海力士颗粒,例如从intel pro 2500到最新的intel 540s。同时国内许多新兴厂商都在使用有着高性价比的SK Hynix闪存颗粒,例如金泰克等。

闪存帝国:闪迪(SanDisk)

在闪存卡领域,闪迪绝对是行业的巨擘,而在固态硬盘领域,闪迪也凭借着其拥有着完整的闪存颗粒加工体系,成为固态硬盘行业的巨头之一。

SanDisk (闪迪)公司是全球最大的闪速数据存储卡产品供应商。诞生于1988年加利福尼亚帕罗奥多,该公司由非易失性存储技术领域的国际权威Harari Eli博士在1988年创立。

闪迪作为全球唯一一家有权制造和销售所有主要闪存卡格式的公司,拥有超过4900多项关于存储、闪存颗粒等相关技术的专利,并在全球各地拥有着多条闪存颗粒加工制造厂。

闪迪至尊极速系列采用闪迪颗粒

早在2005年,就和日本存储大厂东芝合作,在位于日本四日市运营处的建立起NAND flash闪存 300mm工艺的晶片制造厂,并与2011年正式投入生产。

鉴于闪迪在闪存卡拥有着全球唯一的全系列生产线,因而闪迪原厂的闪存颗粒多用于自身产品消化,并没有大规模投入市场。同时鉴于在NAND flash生产上,闪迪几乎和东芝成为一家人,许多相关产品编号信息暂时无法查询。

总结:

intel和美光、东芝和闪迪、自产自销的三星、性价比的海力士,目前市场上存在的闪存颗粒六大巨头都根据自己的实际特点,你追我赶的占领市场高地,近乎垄断了固态硬盘闪存颗粒的所有市场份额。

然而就六大品牌内部比较,由于各大品牌的侧重点不同,主攻方向的差异。在没有限定的前提下,无法区分到底谁家颗粒好,谁家颗粒烂,但是唯一具有参考意义的便是,下次选购固态硬盘的时候,有这六大厂商的品牌logo,至少要比没有品牌logo来路不明的颗粒强得多得多。

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