"ONE里挑一"只用3D NAND，影驰ONE SSD让老本唰的一下就开机
熟悉PC/笔电行业的人都知道，笔记本电脑与PC已经经历了长达5年的业绩下滑，除了因为智能手机与平板电脑的异军突起之外，笔记本电脑的品控上升带来的使用寿命延长也是个值得注意的因素，而固态硬盘SSD的普及带来的老款笔电性能的爆升更是值得大书一笔的功劳，得益于固态硬盘相较于机械硬盘数据传输瓶颈的消弭，我们身边的老本也焕发了的第二青春，然而这还不是全部，我手里这款新晋上市的影驰ONE SSD更是加载了黑科技：东芝BiCS3 64层3D堆叠NAND闪存的全新固态硬盘产品，无疑令SSD的性能再上台阶。
影驰这个PC业界的老牌子，对于固态硬盘产品的关注也是非常高的，旗下产品线构架铺设的已经非常完善了，而这款影驰ONE SSD就是隶属于开辟的ONE产品线，所谓"ONE里挑一"指的就是这个系列以后都会采用高端的东芝BiCS3 64层3D堆叠NAND闪存颗粒，在用料上会精益求精之选最好。作为首家采用东芝BiCS3 64层3D堆叠NAND闪存颗粒的第三方固态硬盘，影驰ONE SSD无疑吸引了所有DIY er的目光。
影驰ONE SSD所采用的 64层3D堆叠NAND闪存颗粒，我也是第一次接触采用这个新技术的产品，简而言之就是价格可以比以往更便宜，而且性能也大幅度的增强了。
这个由英特尔主导的新架构诱因是因为2.5英寸的硬盘用来容纳存储芯片的空间较为有限，容量越高的芯片可以增加硬盘的总体存储空间，高成本自然会拉高售价。3D NAND是英特尔和镁光的合资企业所研发的一种技术，它的概念其实非常简单:不同于将存储芯片放置在单面，英特尔和镁光研究出了一种将它们堆叠最高32层的方法。这样一来，单个MLC闪存芯片上可以增加最高32GB的存储空间，而单个TLC闪存芯片可增加48GB。
度娘显示：3D NAND技术，垂直堆叠了多层数据存储单元，具备卓越的精度。基于该技术，可打造出存储容量比同类NAND技术高达三倍的存储设备。可支持在更小的空间内容纳更高存储容量，进而带来很大的成本节约、能耗降低，以及大幅的性能提升以全面满足众多消费类移动设备和要求最严苛的企业部署的需求。
影驰ONE SSD系列采用全新的蓝色主基调辅以白色线条绕中心圆心的设计，看上去视觉感就非常明快，包装盒很扁平，就像是一张CD的尺码，在刚拿到影驰ONE SSD包装盒的一刻起，我就有了疑问，怎么这么轻？开启包装固态硬盘映入眼帘我的心才落下。
影驰ONE SSD的包装盒里除了说明书、质保卡就是影驰ONE SSD的主体了，我选的这款是120G容量的SSD，作为系统盘绰绰有余了，在目前固态硬盘售价比较贵的行情里，我觉得120G性价比是最高了，影驰ONE 120G SSD的价格更是具有亲和力。
影驰ONE 120G SSD的外壳采用的也是与外包装一致的蓝色掉，很青春的既视感，而且在设计上也采用了轻量化的方向，那么问题来了：影驰ONE 120G SSD有多重？
手边正好有电子称我量了一下，居然只有36克，这个轻量化的设计确实非常有用，对于外出携带的便携笔记本电脑的减重来说无疑大有裨益。
影驰ONE 120G SSD的安装来说，适用于PC台机、笔记本电脑中带光驱的和不带光驱的型号也都没问题，但是对于没有光驱的笔记本型号，就只能是选择内置一块SSD，外挂硬盘的的方案了。
而对于带有光驱的笔记本电脑，就可以透过光驱位硬盘托架的加载，实现双硬盘搭载，操作上既简单又高效。
步骤就是把影驰ONE 120G SSD放在原来的硬盘位上，把以前的老硬盘用螺丝较紧在光驱硬盘架上，然后插入笔记本接口就可以了。
影驰ONE 120G SSD对于老款笔记本的开机提速，软件开启速度的提升方面都是有奇效的，安装系统加载软件之后开机在我的老本上能保持15秒内的开机速度，而且系统与资料保存在影驰ONE 120G SSD上也不怕外出时重要资料因为意外跌落而随着机械硬盘一起挂掉了。
在鲁大师的跑分里相较之前提升幅度不俗，毕竟是5年老本了，有这个成绩我很满意，起码还能顶用三两年。
影驰ONE 120G SSD的主控是群联PS3111-S11，这是群联的新一代双通道设计，在内部设计更加精简功耗也更低，支持SECC、SSmart ECC、Smart Flush、Guaranteed Flush、Smart ZIP、静态与动态磨损平衡、端到端数据保护、TRIM等技术。AS SSD测试中，连续读写速度分别是520/442MB/s；4K随机读取成绩为91199iops，写入为80988iops；在ATTO测试中最大连续写入为544MB/s，CrystalDiskmark跑分这个非常抢眼的跑分成绩，影驰ONE 120G SSD的说明书也指出了当然是比较理想的理论值了。综合测试跑分来说影驰ONE 120G SSD无疑有着超出售价的性能表现。
一直以来，在网络上就有对于苹果Macbook本换上硬盘能再战五年的说法，实际上也确实给苹果老本带来的不小的速度体验的提升，而对于WIN系笔记本来说更换SSD也同样带来性能上的再上台阶，影驰ONE 120G SSD这款搭载了东芝最新的BiCS3 64层3D堆叠NAND闪存的固态硬盘产品，有着出色的性能表现，在价格的亲和力方面也超出竞品，并且在重量上也成功的达成了轻量化的设计，在目前SSD与RAM涨成一片的大气候下，影驰ONE 120G SSD不但带给玩家一个实惠的选择，而且还是一个高性能的优质方案！
存储器基础
前几天跟同事聊到我们常用的各种存储器，比如硬盘，DDR内存条的一些知识，突然发现大概知道是啥意思，但是说出来又感觉含糊不清，今天咱们一起来梳理一下。
我们将按如下框架来说明：
从计算机的角度来看：
易失性存储器最典型的代表是内存 ，非易失性存储器的代表则是硬盘 。
易失性存储器的特点：掉电丢失数据，但存取数据速度很快。
非易失性存储器的特点：掉电不丢失数据，可用于长期存储数据。
一、易失性存储器
易失性存储器的代表是RAM（Random Access Memory），即随机存储器。
RAM相当于计算机中的内存，是程序运行的临时场所。好比办公室，上班时间有人(临时数据)，下班后就没人了(掉电丢失)。
按照存储结构，RAM又分为两种，一种为DRAM(Dynamic RAM)即动态随机存储器，另一种为SRAM(Static RAM)即静态随机存储器。
1.1、DRAM
电容C存储电荷后，即使地址线被拉低使得Q关断，但电容C依旧会对周围空间释放电荷造成数据丢失，所以需要定期对DRAM构造的存储单元进行刷新操作。
DRAM存储单元结构示意图
DRAM保留数据的时间很短，速度比SRAM慢，不过它比任何的ROM都要快，从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM。
DRAM又可以分为SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DDR4 SRAM和DDR5 SRAM。
SDRAM(SynchronousDRAM)同步动态随机存储器，即数据的读写需要时钟来同步。仅在时钟的上升沿将数据采样并进行存储处理，即一个CLK周期，只采样一次数据。
DDR SRAM相比SDRAM，速度上更快，在时钟的上升沿和下降沿都对数据进行了采样存储处理，即一个CLK周期，采样两次数据，故命名为Double Data Rate SDRAM（DDR SDRAM）。而DDR2，DDR3，DDR4和DDR5则在时钟频率上进行了提升。
1.2、SRAM
该存储单元由T1、T2、T3、T4构成锁存结构来实现数据的保存，无需定期刷新操作。
SRAM存储单元结构示意图
它的速率很快，是目前读写最快的存储设备了，但成本比较高，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
DRAM和SRAM主要区别
DRAM一般用于主存，SRAM一般用于cache(高速缓存)DRAM必须定时刷新，运行速度慢，集成度高，发热量小，成本低。SRAM是访问时间短的片上存储器，DRAM是访问时间长的片外存储器。因此SRAM 比 DRAM 快。SRAM很贵，而 DRAM 很便宜。高速缓冲存储器是SRAM的一种应用，而DRAM用于主存储器。由于使用了大量的晶体管，SRAM的结构很复杂。而DRAM易于设计和实现。二、非易失性存储器
非易失性存储器种类比较多，分别是ROM、FLASH以及外部大容量存储器。
2.1、ROM（Read-Only Memory）只读存储器
ROM相当于计算机中的硬盘，我们的操作系统就是装在计算机硬盘之中，每次开机后都是启动硬盘中的程序。
ROM好比是住房，是我们真正的的容身之所(程序本身或者常量、固定数据等，掉电非易失)。
ROM分类：
MASKROM：真正意义上的只读存储器，一次性由厂家用特殊工艺固化，用户无法修改。
EEPROM：可实现重复擦写，直接用电路控制，不需要专门的设备来进行擦写。且操作单位为字节，并不需要操作整个芯片。目前已是主流。
2.2、FLASH
FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程(EEPROM)的性能，还不会断电丢失数据，同时可以快速读取数据其存储特性，相当于硬盘。U盘和MP3里用的就是这种存储器。
近些年来，在嵌入式系统中，FLASH用作存储Bootloader，操作系统，程序代码或者直接当硬盘使用。
FLASH分类：
NOR FLASH 得益于地址线和数据线分开，可以以“字节”读写数据，所以允许程序直接在上面运行。NOR一般只用来存储少量的代码,因为其读取速度快，多用来存储操作系统等重要信息；
NOR的特点是无需专门的接口电路、传输效率高，它是属于芯片内执行，不必再把代码读到系统RAM中。
NAND FLASH 相当于PC系统中的硬盘，容量大，用于存储安装软件之类的。
NAND Flash是通过物理方法保存数据的，既然是用物理方法就必须得有损耗，所以它的寿命是有限的，写入超过一定次数后就会报废。
NAND FLASH对比NOR FLASH在成本上有很大的优势，但是存在坏块问题(NAND通常是以块为单位进行擦除，块内有一位失效整个块就会失效)。
NAND FLASH要在上面读写数据，外部要加主控和电路设计。
生产厂家主要有：东芝、美光、intel、HYNIX、三星。
2.3、eMMC
eMMC(Embedded Multi Media Card，嵌入式多媒体卡)为MMC协会所订立的， 它的内部是把NAND flash+主控IC封装在一起。
eMMC在物联网广泛应用，一般在移动设备，比如手机，平板电脑，一体工控机等等，总之一些硬件空间紧凑的地方。
eMMC优点是除了可以得到大容量的空间（这一点，只用NAND FLASH多堆叠也可以做到）外，还可以管理NAND （坏块处理，ECC，FFS)等。
eMMC（BGA封装）
eMMC现在主要是eMMC5.1，eMMC5.2，至此后，久未更新。
据说eMMC可能被UFS逐步取代，UFS闪存传输速率远超eMMC闪存，实际未知。
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