半导体国产替代的号角？长江存储再次起诉美光

国内半导体行业的新星——长江存储，近日对全球领先的半导体存储制造商美光科技(MU.US)提起诉讼，这一行为在国内引起了广泛关注。

有市场人士直言，中国半导体产业正逐渐硬气起来了，标志着长江存储具备了较强的竞争力。

近日外媒消息称，长江存储日前再次将美光告上法院。

长江存储在美国加州北区指控美光侵犯了其在美国的11项专利，涉及3D NAND Flash和DRAM产品，其中部分专利涉及到96层、128层和176层等不同层数的3D NAND Flash产品。

长江存储还要求法院命令美光停止在美国销售侵权的存储产品，并支付专利使用费。

美光并未对此事作出回应，但于美东时间上周五，美光股价再跌2.72%，已连续五连跌。

背靠国资的半导体产业后浪

长江存储于2016年7月成立，总部位于武汉，是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。

长江存储为全球合作伙伴提供3D NAND闪存晶圆及颗粒，嵌入式存储芯片以及消费级、企业级固态硬盘等产品和解决方案，广泛应用于移动通信、消费数码、计算机、服务器及数据中心。

虽然成立时间较短，但长江存储发展较为迅速。

成立次年，长江存储成功设计制造了中国首款3D NAND闪存；2019年，32层3D NAND闪存芯片实现量产，并宣布64层256Gb TLC 3D NAND闪存芯片投产；2020年4月，第三代TLC/QLC两款产品研发成功；2022年，基于第三代NAND的系统解决方案上市。

根据长江存储官网，目前公司有超过10000项专利申请，其中国际专利超过4300项，每年新增1200项专利。截至目前，长江存储已在武汉、北京等地设有研发中心，全球共有员工8000余人，其中研发工程技术人员6000余人。

企查查资料显示，目前长江存储由长江存储科技控股有限责任公司全资控股，后者有7位股东，其中包括湖北长晟发展(28.5636%)、芯飞科技(27.2826%)、国家集成电路产业投资基金股份有限公司(12.8796%)、国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司(12.2416%)等。

近两年，美方持续升级对华半导体出口管制，国家大基金和地方国资组团增资长江存储，为后者打气。企查查资料显示，目前长江存储注册资本达647.1亿元人民币。

国产替代潮下，存储产业厚积薄发

存储芯片，又称半导体存储器，是以半导体电路作为存储媒介的存储器，广泛应用于内存、U盘、消费电子、智能终端、固态存储硬盘等领域。

存储芯片是半导体市场重要一环，为智能手机、PC、AI服务器等消费电子核心硬件支撑。

据WSTS数据，存储芯片于2023年的全球市场规模约为923亿美元，占到整个半导体市场份额的18%。

由于近年来美方持续打压国内半导体产业，我国政府加大对半导体产业的支持力度，各类相关扶持政策及资金注入该产业，产业加速了“国产替代”进程。

在融资市场上，存储芯片领域成为资本的香饽饽。Wind数据显示，在整个半导体产业20个细分领域中，过去三年存储芯片融资57起，融资公司31家，均排名第九，但融资额合计高达1044.3亿元，排名第三。

国投证券近日在研报中表示，存储产业经历“美—>日—>韩”的变迁，未来十年是中国存储的黄金十年。 全球存储产业经历了两轮大的产业变迁，目前三星、海力士、美光等扮演重要角色；2016年，随着合肥长鑫、长江存储相继成立，中国大陆参与全球大宗DRAM、NAND FLASH产业角逐。

该行表示，随着国内企业近几年的技术持续攻关，国家大基金等产业资本的重点扶持，且我国在手机、PC、新能源汽车等终端领域构建的全球优势，待国产存储芯片的产品力达到临界点后，渗透率有望加速提升。

由于全球NAND供给格局相对分散，以及中国半导体产业的崛起，长江存储有望成为全球市场重要参与者。

根据MTS 2024集邦咨询存储产业预测数据，2025年，供应商的产出位元市场份额为：三星33.4%、铠侠/西部数据29.9%、海力士19%、美光12.1%、长江存储5.5%。

中国半导体行业协会理事长、长江存储董事长陈南翔近日表示，“芯片半导体产业链的全球化体系已经被破坏，现在行业面临巨大的不确定性，芯片产业链将进入‘动荡且无序’的时刻。”

陈南翔直言，中国芯片产业目前还没有达到爆发式增长，但那一天终究会到来，未来3-5年将看到这一进步。

作者：遥远

长江存储再度“亮剑”：起诉美光侵犯其11项美国专利！

7月20日消息，据Tomshardware报道，中国3D NAND Flash大厂长江存储（YMTC）近日在美国加利福尼亚州北部地区再度对美光提起诉讼，指控这家美国公司侵犯了其11项专利，涉及3D NAND Flash及DRAM产品。长江存储要求法院勒令美光停止在美国销售侵权的存储器产品，同时支付专利使用费。

长江存储指控称，美光的96层（B27A）、128层（B37R）、176层（B47R）和232层（B58R）3D NAND Flash以及美光的一些DDR5 SDRAM产品（Y2BM系列）侵犯了长江存储在美国提交的11项专利或专利申请。

值得一提的是，2023年11月，长江存储还在美国加州北区地方法院对美光及其子公司美光消费类产品事业部提起诉讼，指控它们侵犯了其8项与3D NAND Flash相关的美国专利。

以下是诉讼中引用的八项专利：

US10950623：3D NAND存储器件及其形成方法

US11501822：非易失性存储器件及控制方法

US10658378：三维存储器件的直通阵列接触（TAC）

US10937806：三维存储器件的直通阵列接触（TAC）

US10861872：三维存储装置及其形成方法

US11468957：NAND存储器操作的架构和方法

US11600342：三维存储设备的读取时间

US10868031：多堆叠三维存储器件及其制造方法

今年6月7日，长江存储由在美国加利福尼亚州北区联邦地区法院提起诉讼，指控受美光资助的丹麦咨询公司Strand Consult及其副总裁罗丝琳·雷顿（Roslyn Layton）散布虚假信息，破坏长江存储的市场声誉和商业关系。

显然，长江存储正试图通过专利来打击美光，以获得对抗美国打压的筹码。

美国商务部于2022年底将长江存储列入了实体清单，这使得该公司无法从美国公司获得先进的半导体设备来制造领先的128层及以上的3D NAND Flash器件。

尽管受到美国政府的严格限制，长江存储仍继续努力通过原有的设备及国产设备来帮助其发展其3D NAND Flash。该公司的Xtacking 3.0产品依然在奋力的维持生产，并正在开发新一代的Xtacking 4.0架构的3D NAND Flash。今年早些时候，长江存储还宣布，它已经设法将3D QLC NAND Flash的耐久性大幅提高到3D TLC NAND Falsh的水平（达到4000个编程/擦除周期），这大大改善了廉价SSD的特性。

编辑：芯智讯-浪客剑

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